Motif: | Single Shear Beam Load Cell |
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Type de transfo: | Résistance Strain |
Out-Wire: | 4 Wires |
Type de sortie Signal: | Type de analogique |
Caractéristique: | Semiconductor |
Procédé de production: | Intégration |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Spécifications : | ||
La capacité | T | 0.5,1,1.5,2, |
Surcharge sûre | %FS | 150 |
Surcharge ultime | %FS | 200 |
La sortie nominale | MV/V | 2,0 ± 0,003 |
Tension d'excitation | Vcc | 9 ~ 12 |
Erreur de combiné | %FS | ± 0,03 |
Déséquilibre de zéro | %FS | ± 1 |
La non-linéarité | %FS | ± 0,03 |
L'hystérésis | %FS | ± 0,03 |
Répétabilité | %FS | ± 0,02 |
Le fluage | %FS/30min | ± 0,03 |
Résistance d'entrée | Ω | 350 ± 5 |
Résistance de sortie | Ω | 350 ± 3 |
Résistance d'isolement | M Ω | ≥ 5000 @ 50 Vcc |
Plage de température de fonctionnement | ºC | -20 ~ +55 |
Plage de température compensée | ºC | -10 ~ +40 |
Coefficient de température de SPAN | %FS/10ºC | ± 0,02 |
Coefficient de température de zéro | %FS/10ºC | ± 0,03 |
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