Motif: | cellule de charge crêpe |
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Type de transfo: | Résistance Strain |
Out-Wire: | 4 fils |
Type de sortie Signal: | Type de analogique |
Caractéristique: | Semiconductor |
Procédé de production: | Intégration |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Caractéristiques : | ||||
capacité | kilogramme | 500--2000 | ||
surcharge sûre | %FS | 150 | ||
surcharge éventuelle | %FS | 200 | ||
sortie évaluée | mV/V | 2.0 ± 0.2 | ||
tension d'excitation | Volts continu | 10 | ||
erreur combinée | %FS | ± 0.3 | ± 0.5 | ± 1 |
déséquilibre zéro | %FS | ± 2 | ||
non-linéarité | %FS | ± 0.3 | ± 0.5 | ± 1 |
hystérésis | %FS | ± 0.3 | ± 0.5 | ± 0.5 |
répétabilité | %FS | ± 0.1 | ± 0.2 | ± 0.2 |
fluage | %FS/30min | ± 0.1 | ± 0.2 | ± 0.3 |
résistance d'entrée | Ω | 350 ± 10 | ||
résistance de sortie | Ω | 351 ± 4 | ||
résistance d'isolation | M Ω | ≥ 5000 @ 50 volts continu | ||
plage de températures d'opération | ºC | - 10 ~ +60 | ||
plage de températures compensée | ºC | - 10 ~ +40 | ||
coefficient de température d'ENVERGURE | %FS/10ºC | ± 0.05 | ± 0.1 | ± 0.2 |
coefficient de température de ZÉRO | %FS/10ºC | ± 0.05 | ± 0.1 | ± 0.2 |
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