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Substrat céramique en nitrure d′aluminium poli à conductivité thermique élevée

Application: Bare Ceramic Circuit Board
Standard: GB, ISO 9001
Traitement de surface: Lapping, Polishing, Laser Scribing, Laser Cutting,
Matériel: Aluminum Nitride Ceramic
méthode de forme: moulage de ruban
fonctionnalités: conductivité thermique élevée, cte correspondant si

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  • Présentation du produit
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  • paramètres du produit
  • Capacité de fabrication
  • Emballage et expédition
Aperçu

Info de Base.

N° de Modèle.
JJBP-0141-0014
densité
plus de 3,33 g/cm3
epaisseur standard
0.1 mm disponible
tolérance d′épaisseur
±0.03/0,05 mm (selon l′épaisseur)
tolérance de longueur et de largeur
±2 mm
service personnalisé
oem, odm, prototypage, commande d′essai prise en charge
Paquet de Transport
Individual Package
Spécifications
Max. Side Length or Diameter 300mm
Marque Déposée
JingHui
Origine
China
Code SH
8547100000

Description de Produit

Substrat céramique en nitrure d'aluminium poli à conductivité thermique élevée
Présentation du produit

 

High Thermal Conductivity Polished Aln Wafer Aluminum Nitride Ceramic Substrate

Trois avantages majeurs du rodage et du polissage

1. Un motif plus fin peut être obtenu.

2. Meilleur parallélisme des surfaces supérieure et inférieure (épaisseur

tolérance) peut être atteinte.

3. Une couche de métallisation plus mince peut être acquise.


Caractéristiques des substrats en céramique de nitrure d'aluminium

1. Grande conductivité thermique.

2. Coefficient faible de dilatation thermique (CTE).

3. Température de service élevée ou très basse.

4. Petite perte diélectrique.

5. Résistance élevée à l'usure et aux produits chimiques.

6. Résistance élevée à la chaleur.

7. Haute résistance mécanique.

8. 0 % d'absorption d'eau.

 
Applications

High Thermal Conductivity Polished Aln Wafer Aluminum Nitride Ceramic Substrate

paramètres du produit
Substrat  céramique ALN
Élément Unité Valeur
Propriétés mécaniques
Couleur / Gris
Densité g/cm³ ≥ 3.33
Résistance à la flexion MPa ≥ 380
Absorption de l'eau % 0
Carrossage Longueur‰ ≤3‰
Propriétés thermiques
Max. Température de service (sans charge) ºC > 1000
CTE (coefficient de
Expansion thermique)
20-800ºC, 1×10-6/ºC 4-6
Conductivité thermique 20 ºC, W/M·K 170-230
 Propriétés électriques
Constante diélectrique 1 MHz 8-10
Résistivité du volume 20 ºC, Ω·cm ≥ 1013
Rigidité diélectrique KV/mm ≥ 17
Capacité de fabrication

1. Spécification du produit

Des produits de différentes spécifications peuvent être produits. Le tableau  ci-dessous indique nos épaisseurs et dimensions standard.

Substrat  céramique ALN
Epaisseur  (mm) Taille maximale (mm) Forme Technique de moulage
Tel que tiré Rodées Poli Rectangulaire Carré Rond
0.1-0.2   50.8 50.8   Coulage de bande
≥ 0.2   114.3 114.3   Coulage de bande
0.38 140×190 140×190 120   Coulage de bande
0.5 140×190 140×190 120   Coulage de bande
0.635 140×190 200 200 Coulage de bande
1 140×190 300 200 Coulage de bande
1.5   300 200   Coulage de bande
2   300 200   Coulage de bande
2.5   300     Coulage de bande
3   300     Coulage de bande
  450     Pression isostatique
10   450     Pression isostatique
D'autres épaisseurs spéciales dans la plage d'épaisseur de 0.1 mm peuvent être obtenues par rodage.

2. Tolérances du produit
 
Substrat  céramique ALN
Élément Epaisseur du substrat (mm) Tolérance standard (mm)
 
Tolérance optimale (mm)
 
Tolérance de coupe au laser (mm)
Tolérance de longueur et de largeur / ±2   ±0.15
Tolérance d'épaisseur T<1.0 ±0.03 ±0.01  
1.0≤T<1.5 ±0.05 ±0.01  
T≥1.5 ±0.07 ±0.01  

3. Rugosité de surface
 
Substrat  céramique ALN
Matériau Rugosité de surface (μm)
Comme tiré Rodées Poli
AIN RA 0.4 RA 0.3-0.7 RA ≤0.05

4. Traitement laser

(1) taille du trou

 
Substrat  céramique ALN
Diamètre du trou  (mm) Tolérance standard (mm)
φ≤0.5 0.08
φ 0.5 0.2

(2) griffonnage laser
 
Substrat  céramique ALN
Epaisseur du substrat (mm) Pourcentage de
Profondeur de ligne laser
À l'épaisseur (%)
0.2-0.3 40 %±5 %
0.5<T≤1.0 50 %±3 %
1.0<T≤1.2 55 %±3 %
1.2<T≤1.5 60 %±3 %
2.0 45 % (profondeur extrême)
Le point de griffonnage peut être de différentes tailles. Il existe généralement un petit spot de 0.03 à 0,04 mm (épaisseur du substrat ≤ 0,5 mm ) et un grand spot de 0.08 à 0,1 mm (épaisseur du substrat > 0,5 mm), et la précision est de ±0,01 mm.
Emballage et expédition

Les céramiques étant des matériaux durs et fragiles, chacun de nos produits sera emballé de manière sûre et fiable afin d'éviter tout dommage pendant le transport.
High Thermal Conductivity Polished Aln Wafer Aluminum Nitride Ceramic Substrate

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Capital Social
1000000 RMB
Surface de l'Usine
>2000 Mètres Carrés