300D organiques-inorganiques Système de revêtement d'évaporation combinés pour la préparation de la nano-échelle de nouveaux matériaux de film
description du produit de 300D organiques-inorganiques Système de revêtement d'évaporation combiné:
Il est principalement constitué de la chambre à vide du système de chambre d'évaporation, l'évaporation système source, stade de l'échantillon, de dépression du système de pompage et de système de mesure, le système de gaz, système de contrôle, système de test d'épaisseur du film, couvercle supérieur du mécanisme d'ouverture hydraulique et le système de contrôle électronique.
Application de 300D organiques-inorganiques Système de revêtement d'évaporation combiné:
Il est utilisé pour la préparation de nouveaux matériaux tels que le film mince nano-scale à couche unique et multi-fonctionnelle de la couche de films, films, métal dur les films, films et films diélectriques semi-conducteurs. Il est largement utilisé dans la recherche et de petits la préparation de lots de matières à film mince dans les universités et instituts de recherche.
Les spécifications techniques des 300D organiques-inorganiques Système de revêtement d'évaporation combiné:
| Le vide absolu |
6.7*10-5Pa |
| Temps de dépression de récupération |
6, 6×10 Pa à 40 minutes (l'exposition de courte durée à l'atmosphère et de remplissage avec de l'azote sec pour démarrer le pompage) |
| Taux de fuite du système |
1*10-7PAL/S |
| La chambre à vide |
Chambre à vide circulaire, taille 300 * 350 mm |
| Stade de l'échantillon |
Un échantillon plat mesurant 3 pouces par 3 pouces et d'avoir une épaisseur de 3, 2 mm; |
| Électrode |
Quantité: 4 pièces, type standard brasé indirecte structure refroidie par eau; Diamètre Φ20mm, l'eau de refroidissement interne. L'évaporation dans film, des échantillons de substrat: Biais négatif -200V |
| Source de faisceau organiques four |
Quantité: 3, type standard 600 degrés de contrôle de température, l'évaporation à film; |
| Platine de l'échantillon |
Placer le porte-échantillon sur le substrat couronne avec un substrat position (le titulaire de l'échantillon peut être placé à 2 pouces séparément) pour installer le four. |
| Substrat |
Afin d'accroître l'uniformité de l'épaisseur du film sur un substrat de 2 pouces étape, le substrat est tourné à la position de revêtement. La température du substrat est de la température ambiante à 600 ° C (la température de la surface supérieure de la galette de silicium, seulement besoin d'être étalonné une fois) |
| 4 ensembles de système de déflecteur |
Déflecteur du substrat et la source; 3 ensembles de déflecteur de la cible du déflecteur, joint dynamique, desserrés Boîte de vitesses, contrôle manuel; Échantillon le déflecteur (1 jeu), fourche, magnétique |
| Système de gaz à commande manuelle |
Contrôleur de débit massique 1 voie |
| Contrôleur de débit massique 1 voie |
Plage de mesure d'épaisseur de film 0-999999Å |
| La pompe |
Ensemble de la pompe moléculaire en option ou vortex cryopump combinés système de pompage de la pompe à sec |
Images connexes des 300D organiques-inorganiques Système de revêtement d'évaporation combiné:
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