Verre de quartz fusionné pour semi-conducteur

• Personnalisation: Disponible
• Utilisation: Éclairage, Optique, Photographie
• Type: Lentille Convexe
• N° de Modèle.: quartz 02
• Transmittance: > 95%
• Forme: Mono-Objectif
• Matériel: Verre
• Lentilles de couleur: Clair
• Certificat: RoHS, ISO9001
• Personnalisé: Personnalisé
• Revêtement: HC
• Spécifications: diamètre 5mmà 350mm
• Capacité de Production: 200 pièces par jour

Description de Produit

quartz pour semi-conducteur  
Quels sont les applications et les avantages spécifiques du verre de quartz dans le domaine des semi-conducteurs ?

Le verre de quartz joue en effet un rôle central dans l'industrie des semi-conducteurs en raison de ses propriétés remarquables. Sa polyvalence est mise en évidence dans divers processus critiques tout au long de la fabrication de semi-conducteurs. Examinons plus en détail les avantages du quartz et de ses applications spécifiques :
1. Résistance aux températures élevées : le verre de quartz peut résister aux températures extrêmes rencontrées dans le traitement des semi-conducteurs, ce qui le rend adapté aux applications telles que les processus d'oxydation et de diffusion où des températures élevées sont impliquées. Sa capacité à maintenir l'intégrité structurelle dans de telles conditions garantit la stabilité et la fiabilité du processus.
Excellentes propriétés mécaniques : la durabilité mécanique du verre de quartz est essentielle dans la fabrication des semi-conducteurs où la précision et la cohérence sont primordiales. Les bocaux en verre de quartz, les creusets et les porte-bateaux sont utilisés dans des processus tels que la réduction du polysilicium et le nettoyage des cachets, où ils doivent résister à la contrainte mécanique et maintenir la stabilité dimensionnelle.
3. Transparence optique supérieure : le verre de quartz présente une clarté optique exceptionnelle, permettant des processus photolithographiques précis. Les substrats en verre de quartz de haute précision servent de base aux substrats photomasques, essentiels au processus de gravure des circuits semi-conducteurs. La transparence du verre de quartz permet une répétition et un alignement précis des composants semi-conducteurs.
4. Faible expansion thermique : avec un faible coefficient de dilatation thermique, le verre de quartz réduit le risque de défauts induits par la contrainte thermique pendant le traitement des semi-conducteurs. Cette propriété assure la stabilité dimensionnelle et empêche la déformation ou la déformation des plaquettes de semi-conducteurs, contribuant ainsi au rendement et à la qualité des produits finaux.
5. Inertie chimique : le verre de quartz est chimiquement inerte et résistant aux substances corrosives couramment utilisées dans les procédés de fabrication de semi-conducteurs. Cette propriété est particulièrement avantageuse dans les applications de gravure où un enlèvement précis des matériaux est essentiel sans compromettre l'intégrité des structures des semi-conducteurs.
6. Haute isolation électrique : les excellentes propriétés d'isolation électrique du verre de quartz sont essentielles dans la fabrication de semi-conducteurs, où un contrôle précis des caractéristiques électriques est essentiel. Les composants en verre de quartz permettent de maintenir l'isolation électrique et d'éviter les interactions indésirables entre les éléments semi-conducteurs, garantissant ainsi la fiabilité et les performances des dispositifs semi-conducteurs.
la combinaison unique de propriétés mécaniques, thermiques, optiques et chimiques rend le verre de quartz indispensable dans l'industrie des semi-conducteurs. Ses applications étendues dans divers processus de fabrication soulignent son rôle essentiel dans la production de dispositifs semi-conducteurs hautes performances.

Propriétés du verre de silice/quartz fused

Tableau 1.  Propriétés typiques du verre de silice/quartz fusionné.

	Propriété	Unités	Valeur
Généralités	Formule chimique	s/o	SiO2
	Densité	g/cm3	2.23
Mécanique	Conception résistance à la traction	MPa	48
	Conception résistance à la compression	MPa	1100
	Module de Young	Gal	72
Thermique	Max. Utiliser la température	°C	950-1300
	Conductivité thermique	W/m.K	1.4
	Co-efficacité de l'expansion linéaire	10-6/°C.	0.55
Électrique	Résistance de volume	Ù cm	1016
	Constante diélectrique		3.7
	Rigidité diélectrique	KV/mm	40