6inch 8inch 6" 8" Côtés Poli ou Lappé Plaque d′Aluminium Nitrure pour Fabrication de Semiconducteurs

Détails du Produit
Application: Aérospatiale, Électronique, Médical, Réfractaire
Type: Pièce en céramique
taille: 6 po 8 po 6 po 8 po
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Info de Base.

couleur
gris
contenu principal
96 % aln, 97 % aln
caractéristiques principales
conductivité thermique élevée, excellente résistance au plasma
applications principales
pièces dissipant la chaleur, pièces de résistance au plasma
densité en vrac
3.30
dureté vickers (charge 500 g)
10.0
résistance à la compression
2500
young&rsquor ; module d′élasticité
320
coefficient de poisson et de quacceuil
0.24
chaleur spécifique
0.74
résistivité volumique
>=10-14
rigidité diélectrique
>=15
perte tangente
5 *10-4
Paquet de Transport
emballage en carton
Spécifications
personnalisé
Marque Déposée
innovation
Origine
Fujian, China

Description de Produit

 
 
 

6 po 8 po 6 po 8 po en aluminium poli ou à côtés taraudés Substrats de nafer nitrure pour la fabrication de semi-conducteurs

Les substrats de Wafer au nitrure d'aluminium jouent un rôle essentiel dans l'industrie des semi-conducteurs. L'une des raisons principales de leur popularité est leur profil thermique, qui correspond étroitement à celui du silicium. Cette similarité fait des substrats AIN un excellent choix pour les applications de semi-conducteurs où la gestion thermique est essentielle. Innovacera, un fournisseur de premier plan de ces substrats, propose des substrats de Wafer en nitrure d'aluminium de différents diamètres, allant de 2 pouces à 8 pouces, les tailles 6 pouces et 8 pouces étant les plus couramment utilisées.
 
6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing
Les caractéristiques du nitrure d'aluminium comprennent :
> conductivité thermique élevée
> isolation électrique élevée
> faible constante diélectrique
> résistance mécanique et stabilité
> résistance à la corrosion
Stabilité chimique et thermique
Les propriétés uniques des substrats de Wafer en nitrure d'aluminium les rendent très recherchés dans diverses applications de semi-conducteurs.
Les substrats sont particulièrement appréciés dans :
> électronique de puissance
> appareils RF et micro-ondes
> Fabrication de LED
> technologie de collage de wafer
6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing


Les substrats de Wafer en nitrure d'aluminium sont indispensables dans l'industrie moderne des semi-conducteurs, offrant une combinaison de conductivité thermique, d'isolation électrique et de résistance mécanique que peu de matériaux peuvent égaler. La gamme de plaquettes en nitrure d'aluminium (AIN) d'Innovacera, disponibles en différentes tailles et options personnalisées, offre la fiabilité et les performances nécessaires pour les applications à forte demande. À mesure que l'industrie des semi-conducteurs continue de progresser, le rôle des substrats AIN ne fera que devenir plus critique, ce qui garantit que les appareils restent efficaces, durables et capables de répondre aux demandes croissantes de la technologie.
 
6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing
6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing
6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing
 
Propriétés du matériau en nitrure d'aluminium
Matériau
ALN
N° d'article
INC-AN180
INC-AN200
INC-AN220
Couleur
Gris
Gris
Beige
Contenu principal
96 % ALN
96 % ALN
97 % ALN
Caractéristiques principales
Conductivité thermique élevée, excellente résistance au plasma
Applications principales
Pièces dissipant la chaleur, pièces résistant au plasma
Densité de masse
3.30
3.30
3.28
Absorption de l'eau
0
0
0
Dureté Vickers (charge 500 g)
10.0
9.5
9.
Résistance à la flexion
>=350
>=325
>=280
Résistance à la compression
2500
2500
-
Module d'élasticité de Young
320
320
320
Coefficient de poisson
0.24
0.24
0.24
Résistance à la rupture
-
-
-
Coefficient de dilatation thermique linéaire
40 degrés
4.8
4.6
4.5
Conductivité thermique
20 degrés
180
200
220
Chaleur spécifique
0.74
0.74
0.76
Résistance thermique choquante
-
-
-
Résistivité du volume
20 degrés
>=10-14
>=10-14
>=10-13
Rigidité diélectrique
>=15
>=15
>=15
Constante diélectrique
1 MHz
9
8.8
8.6
Perte tangente
*10-4
5
5
6

6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing6inch 8inch 6" 8" Polished or Lapped Sides Aln Aluminum Nitride Wafer for Semiconductors Manufacturing
 
 

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