IGBT

0,10 - 0,60 $US / Pièce

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Quel est Tension de saturation collecteur - émetteur faible Ost40n120hmf 10µ Tolerance au court-circuit 1200V 40A Frd intégré to-247n IGBT à tranchée à arrêt de champ

Name: Tension de saturation collecteur - émetteur faible Ost40n120hmf 10µ Tolerance au court-circuit 1200V 40A Frd intégré to-247n IGBT à tranchée à arrêt de champ
Uploaded: 2025-08-13T20:46:37+08:00
Description: Description générale OST40N120HMF utilise la technologie brevetée de transistor bipolaire Trident-Gate (TGBTTM) d'Oriental-semi pour fournir un VCE (SAT) extrêmement faible

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À propos de cet article

Prix

Commande Min. Prix FOB de Référence

1 000 Pièces 0,10 - 0,60 $US / Pièce

Spécifications

certificat RoHS, ISO
Forme ST
Type de Blindage Cutoff de Sharp Blindage Tube
Méthode de refroidissement Air Tube Refroidi
Fonction Micro-ondes Transistor
Fréquence de travail Haute fréquence
Structure Planar
Structure d′encapsulation Transistor à puce
Niveau d′énergie Haute puissance
Matériel Silicium
Paquet de Transport carton
Spécifications 35,3 x 30x37,5/60x23x13
Marque Déposée orientalsemi
Origine chine

Description de Produit

Description générale OST40N120HMF utilise la technologie brevetée de transistor bipolaire Trident-Gate (TGBTTM) d'Oriental-semi pour fournir un VCE (SAT) extrêmement faible, une faible charge de grille et d'excellentes performances de commutation. Ce dispositif est ...

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Membre d'Or Depuis 2022

Fournisseur Audité

Type d'Entreprise Fabricant/Usine, Société Commerciale
Produits Principaux Transistor Mosfet de puissance semi-conducteur, Transistor Mosfet de puissance pour chargeur EV, Transistor Mosfet à jonction super haute tension, Transistor Mosfet pour charge DC de véhicule à énergie nouvelle, 5g Transistor Mosfet pour alimentation de station de base, Transistor Mosfet pour onduleur photovoltaïque, Transistor Mosfet pour stockage d′énergie, Transistor Mosfet pour serveur de centre de données, Éclairage industriel de puissance Mosfet, Transistor Mosfet de puissance pour charge DC
Capital Social 10000000 RMB
Surface de l'Usine 501~1000 Mètres Carrés
Certification du Système de Gestion ISO 9001, ISO 14001
Délai Moyen Délai de Livraison en Pleine Saison: Un Mois
Délai de Livraison hors Saison: 3-6 Mois

IGBT Comparaison

	Tension de saturation collecteur - émetteur faible Ost40n120hmf 10µ Tolerance au court-circuit 1200V 40A Frd intégré to-247n IGBT à tranchée à arrêt de champ Contacter	Tube électronique Tube en verre 5867 Contacter	Aperçu Rapide Tb3-750 pour Tube à Vide en Verre Tube Électronique (TB3-750) Contacter	Aperçu Rapide 833A pour tube à vide en verre Contacter	Aperçu Rapide Tube amplificateur en verre à vide (833C) Contacter

Informations sur la Transaction
	Tension de saturation collecteur - émetteur faible Ost40n120hmf 10µ Tolerance au court-circuit 1200V 40A Frd intégré to-247n IGBT à tranchée à arrêt de champ Contacter	Tube électronique Tube en verre 5867 Contacter	Aperçu Rapide Tb3-750 pour Tube à Vide en Verre Tube Électronique (TB3-750) Contacter	Aperçu Rapide 833A pour tube à vide en verre Contacter	Aperçu Rapide Tube amplificateur en verre à vide (833C) Contacter
Prix	0,10 - 0,60 $US / Pièce	Négociable	150,00 - 250,00 $US / Pièce	100,00 - 200,00 $US / Pièce	100,00 - 200,00 $US / Pièce
Commande Min.	1 000 Pièces	1 Pièce	1 Pièce	1 Pièce	1 Pièce
Conditions de Paiement	LC, T/T, D/P, Western Union	LC, T/T, Western Union	LC, T/T, Western Union	LC, T/T, Western Union	LC, T/T, Western Union
Contrôle de qualité
Certification du produit	RoHS, ISO	-	-	-	-
Certification du Système de Gestion	-	-	-	-	-
Capacité Commerciale
Marchés d'exportation	Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l′Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l′Est, Europe de l′Ouest	Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l′Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l′Est, Europe de l′Ouest	Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l′Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l′Est, Europe de l′Ouest	Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l′Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l′Est, Europe de l′Ouest	Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l′Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l′Est, Europe de l′Ouest
Recettes Annuelles d'Exportation	-	-	-	-	-
Modèle d'affaires	-	-	-	-	-
Délai Moyen	Délai de Livraison en Pleine Saison: Un Mois Délai de Livraison hors Saison: 3-6 Mois	Délai de Livraison en Pleine Saison: Un Mois Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables	Délai de Livraison en Pleine Saison: Un Mois Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables	Délai de Livraison en Pleine Saison: Un Mois Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables	Délai de Livraison en Pleine Saison: Un Mois Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables
Attributs du Produit
Spécifications	Forme: ST; Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube; Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi; Fonction: Micro-ondes Transistor; Fréquence de travail: Haute fréquence; Structure: Planar; Structure d'encapsulation: Transistor à puce; Niveau d'énergie: Haute puissance; Matériel: Silicium;	Forme: GT; Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi; Fréquence de travail: Haute fréquence; Structure d'encapsulation: autre; Niveau d'énergie: Haute puissance; Matériel: verre; position de travail: verticale; refroidissement: air forcé;	Forme: GT; Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi; Fréquence de travail: Haute fréquence; Structure d'encapsulation: garniture en mousse; Niveau d'énergie: Haute puissance; Matériel: verre; position de travail: verticale; refroidissement: air forcé;	Forme: GT; Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi; Fréquence de travail: Haute fréquence; Structure d'encapsulation: autre; Niveau d'énergie: Haute puissance; Matériel: verre; position de travail: verticale; refroidissement: air forcé;	Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi; Fréquence de travail: Haute fréquence; Structure d'encapsulation: garniture en mousse; Niveau d'énergie: Haute puissance; Matériel: céramique métallique; position de travail: verticale; refroidissement: air forcé;
Nom du fournisseur	Shanghai Winture Electric Co., Ltd.	Ningbo Setec Electron Co., Ltd.	Ningbo Setec Electron Co., Ltd.	Ningbo Setec Electron Co., Ltd.	Ningbo Setec Electron Co., Ltd.

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