IGBT

0,10 - 0,60 $US / Pièce

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Quel est Effet des matériaux de dissipation de chaleur Ost40n120hmf 10µ Tolérance au court-circuit 1200V 40A Frd intégré to-247n IGBT

Name: Effet des matériaux de dissipation de chaleur Ost40n120hmf 10µ Tolérance au court-circuit 1200V 40A Frd intégré to-247n IGBT
Uploaded: 2025-08-13T20:50:33+08:00
Description: Description générale OST40N120HMF utilise la technologie brevetée Oriental-Semi Trident-Gate avancé (transistor bipolaire à la technologie TGBTTM) pour une tr&egrav

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À propos de cet article

Prix

Commande Min. Prix FOB de Référence

1 000 Pièces 0,10 - 0,60 $US / Pièce

Spécifications

certificat RoHS, ISO
Forme ST
Type de Blindage Cutoff de Sharp Blindage Tube
Méthode de refroidissement Air Tube Refroidi
Fonction Micro-ondes Transistor
Fréquence de travail Haute fréquence
Structure Planar
Structure d′encapsulation Transistor à puce
Niveau d′énergie Haute puissance
Matériel Silicium
Paquet de Transport carton
Spécifications 35,3 x 30x37,5/60x23x13
Marque Déposée orientalsemi
Origine chine

Description de Produit

Description générale OST40N120HMF utilise la technologie brevetée Oriental-Semi Trident-Gate avancé (transistor bipolaire à la technologie TGBTTM) pour une très faible VCE(sat), faible charge de grille et d'excellentes performances de commutation. Cet ...

Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Membre d'Or Depuis 2022

Fournisseur Audité

Type d'Entreprise Fabricant/Usine, Société Commerciale
Produits Principaux Transistor Mosfet de puissance semi-conducteur, Transistor Mosfet de puissance pour chargeur EV, Transistor Mosfet à jonction super haute tension, Transistor Mosfet pour charge DC de véhicule à énergie nouvelle, 5g Transistor Mosfet pour alimentation de station de base, Transistor Mosfet pour onduleur photovoltaïque, Transistor Mosfet pour stockage d′énergie, Transistor Mosfet pour serveur de centre de données, Éclairage industriel de puissance Mosfet, Transistor Mosfet de puissance pour charge DC
Capital Social 10000000 RMB
Surface de l'Usine 501~1000 Mètres Carrés
Certification du Système de Gestion ISO 9001, ISO 14001
Délai Moyen Délai de Livraison en Pleine Saison: Un Mois
Délai de Livraison hors Saison: 3-6 Mois

IGBT Comparaison

	Effet des matériaux de dissipation de chaleur Ost40n120hmf 10µ Tolérance au court-circuit 1200V 40A Frd intégré to-247n IGBT Contacter	Circuit Intégré 5A 550V Transistor Bipolaire de Puissance 2sc5287 C5287 Contacter	Transistors précommandés RoHS Lfbga-292 Sak-Tc3e7qx-192f300s Transistor AA Contacter	Transistor IGBT to-247-3 Ikw40n120h3 K40h1203 1200volt 80A Transistor Contacter	Aperçu Rapide Array de Transistors Bipolaires 2 NPN 50V 30mA 260MHz Montage Traversant to-78-6 Contacter

Informations sur la Transaction
	Effet des matériaux de dissipation de chaleur Ost40n120hmf 10µ Tolérance au court-circuit 1200V 40A Frd intégré to-247n IGBT Contacter	Circuit Intégré 5A 550V Transistor Bipolaire de Puissance 2sc5287 C5287 Contacter	Transistors précommandés RoHS Lfbga-292 Sak-Tc3e7qx-192f300s Transistor AA Contacter	Transistor IGBT to-247-3 Ikw40n120h3 K40h1203 1200volt 80A Transistor Contacter	Aperçu Rapide Array de Transistors Bipolaires 2 NPN 50V 30mA 260MHz Montage Traversant to-78-6 Contacter
Prix	0,10 - 0,60 $US / Pièce	0,20 - 0,30 $US / Pièce	0,01 - 0,10 $US / Pièce	0,90 - 1,00 $US / Pièce	0,0001 - 0,10 $US / Pièce
Commande Min.	1 000 Pièces	1 Pièce	1 Pièce	1 Pièce	1 Pièce
Conditions de Paiement	LC, T/T, D/P, Western Union	LC, T/T	LC, T/T	LC, T/T	LC, T/T
Contrôle de qualité
Certification du produit	RoHS, ISO	-	-	-	-
Certification du Système de Gestion	-	-	-	-	-
Capacité Commerciale
Marchés d'exportation	Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe de l′Est, Asie du Sud-Est, Afrique, Océanie, Moyen Orient, Asie de l′Est, Europe de l′Ouest	Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe, Asie du Sud-Est/Moyen-Orient, Asie de l′Est(Japon/Corée du Sud), Australie	Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe, Asie du Sud-Est/Moyen-Orient, Asie de l′Est(Japon/Corée du Sud), Australie	Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe, Asie du Sud-Est/Moyen-Orient, Asie de l′Est(Japon/Corée du Sud), Australie	Amérique du Nord, Amérique du Sud, Europe, Asie du Sud-Est/Moyen-Orient, Asie de l′Est(Japon/Corée du Sud), Australie
Recettes Annuelles d'Exportation	-	-	-	-	-
Modèle d'affaires	-	Own Brand, ODM	Own Brand, ODM	Own Brand, ODM	Own Brand, ODM
Délai Moyen	Délai de Livraison en Pleine Saison: Un Mois Délai de Livraison hors Saison: 3-6 Mois	Délai de Livraison en Pleine Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables	Délai de Livraison en Pleine Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables	Délai de Livraison en Pleine Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables	Délai de Livraison en Pleine Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables Délai de Livraison hors Saison: Dans les 15 Jours Ouvrables
Attributs du Produit
Spécifications	Forme: ST; Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube; Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi; Fonction: Micro-ondes Transistor; Fréquence de travail: Haute fréquence; Structure: Planar; Structure d'encapsulation: Transistor à puce; Niveau d'énergie: Haute puissance; Matériel: Silicium;	Forme: autre; type conducteur: circuit intégré unipolaire; intégration: gsi; techniques: ci semi-conducteur;	Forme: autre; type conducteur: circuit intégré unipolaire; intégration: gsi; techniques: ci semi-conducteur;	Forme: autre; type conducteur: circuit intégré unipolaire; intégration: gsi; techniques: ci semi-conducteur;	Forme: rond; température de fonctionnement: -20°c ~ 75°c; vitesse de balayage: 6 v/µs; courant - alimentation: 5 ma; tension - décalage d'entrée: 300 µv; type conducteur: circuit intégré bipolaire; intégration: Msi; techniques: ci semi-conducteur;
Nom du fournisseur	Shanghai Winture Electric Co., Ltd.	ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.	ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.	ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.	ShenZhen Nova Semiconductor Co., Ltd.

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