| Spécifications |
Structure d'encapsulation: Transistor à puce;
Installation: Triode enfichable;
Fréquence de travail: Haute fréquence;
Niveau d'énergie: Haute puissance;
Fonction: Photosensible, Puissance Triode, commutation Triode;
Structure: Alliage;
Matériel: Silicium;
température de fonctionnement: -55~ 150 (celsius);
courant de collecteur maximum admissible: 10A;
courant maximum du collecteur (icm): 500 ma;
puissance maximale: 300 mw;
polarité du transistor: transistor npn;
tension de claquage du collecteur (vceo): 25V;
eq. machine à circuit électronique ultrasonique: équipement de machine à circuit électronique ultrasonique;
type de fournisseur: fabricant d'origine;
gain de courant c.c. (hfe) (min) à ic, vce: gain de courant c.c. (hfe) (min) à ic, vce;
type de montage: trou traversant;
type: 2sc3998;
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Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed;
Installation: Triode SMD;
Fréquence de travail: Haute fréquence;
Niveau d'énergie: Haute puissance;
Fonction: Photosensible, Puissance Triode, commutation Triode;
Structure: NPN;
Matériel: Silicium;
température de fonctionnement: -55~ 150 (celsius);
courant de collecteur maximum admissible: 10A;
courant maximum du collecteur (icm): 500 ma;
puissance maximale: 300 mw;
polarité du transistor: transistor npn;
tension de claquage du collecteur (vceo): 25V;
eq. machine à circuit électronique ultrasonique: équipement de machine à circuit électronique ultrasonique;
type de fournisseur: fabricant d'origine;
gain de courant c.c. (hfe) (min) à ic, vce: gain de courant c.c. (hfe) (min) à ic, vce;
type de montage: trou traversant;
type: 2sc3998;
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Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed;
Installation: Triode SMD;
Fréquence de travail: Haute fréquence;
Niveau d'énergie: Haute puissance;
Fonction: Photosensible, Puissance Triode, commutation Triode;
Structure: NPN;
Matériel: Silicium;
température de fonctionnement: -55~ 150 (celsius);
courant de collecteur maximum admissible: 10A;
courant maximum du collecteur (icm): 500 ma;
puissance maximale: 300 mw;
polarité du transistor: transistor npn;
tension de claquage du collecteur (vceo): 25V;
eq. machine à circuit électronique ultrasonique: équipement de machine à circuit électronique ultrasonique;
type de fournisseur: fabricant d'origine;
gain de courant c.c. (hfe) (min) à ic, vce: gain de courant c.c. (hfe) (min) à ic, vce;
type de montage: trou traversant;
type: 2sc3998;
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Structure d'encapsulation: Transistor à puce;
Installation: Triode enfichable;
Fréquence de travail: Haute fréquence;
Niveau d'énergie: Haute puissance;
Fonction: Photosensible, Puissance Triode, commutation Triode;
Structure: Alliage;
Matériel: Silicium;
température de fonctionnement: -55~ 150 (celsius);
courant de collecteur maximum admissible: 10A;
courant maximum du collecteur (icm): 500 ma;
puissance maximale: 300 mw;
polarité du transistor: transistor npn;
tension de claquage du collecteur (vceo): 25V;
eq. machine à circuit électronique ultrasonique: équipement de machine à circuit électronique ultrasonique;
type de fournisseur: fabricant d'origine;
gain de courant c.c. (hfe) (min) à ic, vce: gain de courant c.c. (hfe) (min) à ic, vce;
type de montage: trou traversant;
type: 2sc3998;
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Structure d'encapsulation: Transistor à puce;
Installation: Triode enfichable;
Fréquence de travail: Haute fréquence;
Niveau d'énergie: Haute puissance;
Fonction: Photosensible, Puissance Triode, commutation Triode;
Structure: Alliage;
Matériel: Silicium;
température de fonctionnement: -55~ 150 (celsius);
courant de collecteur maximum admissible: 10A;
courant maximum du collecteur (icm): 500 ma;
puissance maximale: 300 mw;
polarité du transistor: transistor npn;
tension de claquage du collecteur (vceo): 25V;
eq. machine à circuit électronique ultrasonique: équipement de machine à circuit électronique ultrasonique;
type de fournisseur: fabricant d'origine;
gain de courant c.c. (hfe) (min) à ic, vce: gain de courant c.c. (hfe) (min) à ic, vce;
type de montage: trou traversant;
type: 2sc3998;
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