Spécifications |
Application: entraînements de moteur, alimentation, transmission de puissance;
Numéro de lot: 2023+;
Technologie de fabrication: Sémiconducteur optoélectronique;
Matériel: Semiconducteur composé;
Modèle: mds200a 600-1800v;
Paquet: SMD;
Traitement du signal: Analogique, numérique, composite et fonction.;
Type: Semi-conducteur de type N;
champ d'application: onduleur, chauffage à induction, broyeur, puissance accrue;
fonction: base de montage isolée;
type de puce: modules;
installez: parallèle, série;
délai de livraison: 3-7 jours;
durée du prix: fob/cpt/cif;
marque: saillon/sti;
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Application: Composants électroniques de puissance, Réfrigérateur, Cellule solaire, EV, Solar Energy,;
Technologie de fabrication: Circuit intégré Dispositif;
Matériel: Semi-conducteur de puissance;
Modèle: A1;
Paquet: A1, A3, A4, A5, A6;
Traitement du signal: Numérique;
Refer to Infenon: Hpd, HP1, DC;
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Application: circuit de commutation d'alimentation;
Numéro de lot: 2021;
Technologie de fabrication: Dispositif discret;
Matériel: semi-conducteur à oxyde métallique;
Modèle: 18n20;
Paquet: to-220c;
Type: Semi-conducteur de type N;
tension: 200V;
actuel: 18A;
marque: wxdh;
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Application: Diode, alimentation de commutation;
Numéro de lot: 2021;
Technologie de fabrication: Dispositif discret;
Matériel: silicium;
Modèle: murf1640ct;
Paquet: to-220f;
Type: Semi-conducteur de type N;
tension: 400V;
devise: 16A;
marque: wxdh;
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Application: Sj Mosfet;
Numéro de lot: 2023+;
Technologie de fabrication: Dispositif discret;
Matériel: Semi-conducteur de puissance;
Modèle: Bml60n120UC1;
Paquet: Dfn 8*8;
Traitement du signal: aucun;
Type: Semi-conducteur de type N;
Bvdss@ Tj,Max: 650V;
id: 23A;
RDS(on),Max: 120 MΩ;
Qg,Typ: 53 Nc;
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