6 pouces de carbure de silicium, type conducteur, carbure de silicium P/N (6 pouces)

Détails du Produit
Personnalisation: Disponible
Application: Composants électroniques de puissance, Réfrigérateur, Mesure de la température
Numéro de lot: up-to-Date
Membre d'Or Depuis 2025

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Aperçu

Info de Base

N° de Modèle.
AT-61004
Certification
CE
Technologie de fabrication
Circuit intégré Dispositif
Matériel
sic
Modèle
at-61004
Paquet
non
Traitement du signal
non
Type
Semiconducteur intrinsèque
Paquet de Transport
Renewable Box
Spécifications
6/8 inches
Marque Déposée
Anttrans
Origine
Chine

Description de Produit

Description du produit

 

carbure de silicium
Introduction de base au carbure de silicium (SIC)
Propriétés chimiques et physiques
Avec la formule chimique du SIC, il est fait à partir de matières premières comme le sable de quartz et le coke de pétrole par fusion à haute température. Il est représentatif des matériaux semi-conducteurs de troisième génération. Il présente des caractéristiques telles qu'une force de champ de claquage élevée (résistance à haute tension), une conductivité thermique élevée (dissipation rapide de la chaleur) et une vitesse de dérive de saturation des électrons élevée (excellentes performances haute fréquence), ce qui le rend adapté aux environnements extrêmes. Il est rare dans la nature et existe principalement sous la forme de moissanite synthétiquement produite.
Structure et formes de cristal
Il existe plusieurs formes de cristal, telles que 3C, 4H, 6H, 15R, etc., avec des différences significatives dans les propriétés physiques entre les différentes formes de cristal. Le β-SIC (système cubique) est prédominant à basses températures (<1 600 °C) et peut se transformer en α-SIC (système hexagonal ou rhombique) à hautes températures.
Caractéristiques du carbure de silicium
Le carbure de silicium se caractérise par sa résistance aux environnements extrêmes, ses hautes performances et sa longue durée de vie. Le carbure de silicium est un matériau essentiel des semi-conducteurs de troisième génération et continue de stimuler les innovations technologiques dans des domaines tels que l'énergie nouvelle, l'aérospatiale et la fabrication de pointe.
zone d'application
Semiconducteurs et électronique : dispositifs de puissance (IGBT), communications haute fréquence, réseaux intelligents.
Industrie et énergie : onduleurs photovoltaïques, supports de catalyseurs d'énergie hydrogène, échangeurs thermiques à haute température.
Défense nationale et aérospatiale : revêtements résistants aux températures élevées, matériaux d'armure, systèmes de propulsion aérospatiaux.
Protection de l'environnement et de la Chemic
Photos détaillées

6 Inch Silicon Carbide, Conductive Type, Silicon Carbide P/N (6 inches)6 Inch Silicon Carbide, Conductive Type, Silicon Carbide P/N (6 inches)6 Inch Silicon Carbide, Conductive Type, Silicon Carbide P/N (6 inches)6 Inch Silicon Carbide, Conductive Type, Silicon Carbide P/N (6 inches)6 Inch Silicon Carbide, Conductive Type, Silicon Carbide P/N (6 inches)6 Inch Silicon Carbide, Conductive Type, Silicon Carbide P/N (6 inches)

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