Brazage actif de métal avec substrat céramique en alumine / nitrure d′aluminium / nitrure de silicium

Détails du Produit
Application: Appareils électroniques, Semi-conducteurs
Couche conductrice: Épaisse couche de cuivre
Matériel: AlN
Fabricant/Usine & Société Commerciale

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Info de Base

N° de Modèle.
AA INC-AMB20310
Process
amb
Épaisseur
personnalisé
résistance à la compression
2300mpa
épaisseur de revêtement
8 μm
couche de revêtement
mo/mn
couche plaquée
nickel/cuivre/or
conductivité thermique
25 w/(m.k)
epaisseur de placage
2-9 μm
température d′utilisation max
1600ºc
densité
3,7 g/cm3
composition du matériau
alumine, al2o3
type
céramique isolante
Paquet de Transport
cartons standard avec mousse
Spécifications
personnalisé
Marque Déposée
innovation
Origine
Fujian, China
Capacité de Production
10000 pièces par mois

Description de Produit

Alumina / Aluminum Nitride / Silicon Nitride Active Metal Brazing Amb Ceramic Substrate

 

 
LE substrat céramique AMB est une méthode permettant de réaliser la liaison de la céramique et du métal en réagissant une petite quantité d'éléments actifs Ti et ZR dans le métal d'apport avec la céramique pour former une couche de réaction qui peut être humidifiée par le métal d'apport liquide.
 
Avantage :
* la combinaison est obtenue par réaction chimique entre la céramique et la pâte de soudure active à haute température, de sorte que sa force de collage est plus élevée et la fiabilité est meilleure;
* pourrait avoir une épaisseur différente de cuivre sur une plaque;
* environnement fritdly;
* forte résistance au froid et à la chaleur;
* automatisation complète facile, efficacité de production élevée, faible coût de production;
* épaisseur de cuivre 0.1-0.5mm, très adapté pour l'emballage de dispositif de haute puissance.
 
Spécifications
> épaisseur de métallisation : 25 ±10 UM > épaisseur du nickel : 2 à 10 UM ; > résistance maximale de la broche : 4200 kgf/cm2 moy. (À la broche Φ3.0mm)
 
Matériau
Élément
Valeur
 
 
 
 
 
 
Si3N4
Composition
96 % péché
Epaisseur (mm)
0.2,0.32,0.35,0.635,0.4-1.5
Densité (g/cm3)
3.2±0.25
Conductivité thermique (20 °C, W/m·k)
85+
Résistance à la flexion (MPA)
700-800
Constante diélectrique (IMHz)
8
Perte diélectrique (IMHz)
0.001
Rigidité diélectrique (KV/mm)
20
Résistivité volumique (Ω/cm)
1*1014
 
 
 
 
 
 
ALN
Composition
96 % ALN
Epaisseur (mm)
0.25,0.32,0.635
Densité (g/cm3)
3.3
Conductivité thermique (20 °C, W/m·k)
170+
Résistance à la flexion (MPA)
350
Constante diélectrique (IMHz)
9
Perte diélectrique (IMHz)
0.0005
Rigidité diélectrique (KV/mm)
20
Résistivité volumique (Ω/cm)
1014
 
 
 
Cuivre
Matériau
Cuivre sans oxygène
Pureté (%)
99.99
Dureté ( HV)
60-110
Conductivité (MS/m)
58.6
Epaisseur (mm)
1.2,1.0,0.8,0.5,0.4,0.3,0.25,0.2
 
 
 
 
 
SUBSTRAT AMB
Taille maximale (mm)
190*140
Espacement des lignes (mm)
≥ 0.5
Largeur de ligne (mm)
personnalisé
Résistance au pelage de la couche de cuivre (minimum) (N/mm)
> 10
Aptitude à la soudure (%)
> 95 %
Méthode de livraison
Petits morceaux ou panneau
États de surface (UM)
CU/AU/AG
 
 
Alumina / Aluminum Nitride / Silicon Nitride Active Metal Brazing Amb Ceramic Substrate
Alumina / Aluminum Nitride / Silicon Nitride Active Metal Brazing Amb Ceramic Substrate
 
 
 
Alumina / Aluminum Nitride / Silicon Nitride Active Metal Brazing Amb Ceramic Substrate
Alumina / Aluminum Nitride / Silicon Nitride Active Metal Brazing Amb Ceramic Substrate
Alumina / Aluminum Nitride / Silicon Nitride Active Metal Brazing Amb Ceramic Substrate
Alumina / Aluminum Nitride / Silicon Nitride Active Metal Brazing Amb Ceramic Substrate
Alumina / Aluminum Nitride / Silicon Nitride Active Metal Brazing Amb Ceramic Substrate
Alumina / Aluminum Nitride / Silicon Nitride Active Metal Brazing Amb Ceramic Substrate
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