Fabricant de Transistors NPN ODM SKD OEM TO-92 Transistors BJT Circuits Semi-conducteurs Haute Technologie
Prix FOB:
0,0096-0,037 $US / Pièce
Commande Minimum: 100 Pièces
Commande Minimum: 100 Pièces
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Petite puissance
- Structure: NPN
- Matériel: Silicium
- Province: Guangdong, China
Module IGBT Mitsubishi Cm300ha-5f Cm600ha-5f Cm500ha-34A Cm200ha-28 Cm400ha-28h
Prix FOB:
99,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- certificat: CE
- Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Structure: Alliage
- Province: Fujian, China
80V Mosfet de puissance N-Channel pour courant élevé, emballage rapide pour circuit d'alimentation de chargeur embarqué fabriqué en Chine
Prix FOB:
0,1-1,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 600 Pièces
Commande Minimum: 600 Pièces
- certificat: RoHS,ISO
- Structure d'encapsulation: Transistor à puce
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Puissance moyenne
- Fonction: Puissance Triode,commutation Triode
- Province: Shanghai, China
Vente en gros de modules IGBT Infineon d'origine Tt570n16kof Tt570n12kof
Prix FOB:
90,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Structure: Planar
- Emballage: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Province: Fujian, China
C1383 2sc1383 Petit Transistor de Puissance to-92L Composants Électroniques
Prix FOB:
0,002-1,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 000 Pièces
Commande Minimum: 1 000 Pièces
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Triode enfichable
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Puissance Triode,commutation Triode
- Origine: China
- Province: Guangdong, China
Composants Électroniques 1200V 64A Transistor IGBT Fgl40n120and 40n120
Prix FOB:
2,9-4,9 $US / Pièce
Commande Minimum: 100 Pièces
Commande Minimum: 100 Pièces
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Fréquence de travail: Overclocking
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Photosensible,commutation Triode
- Structure: NPN
- Emballage: Standard
- Province: Guangdong, China
Composant Électronique Transistor Bipolaire 2sc5200-O (Q) to-3pl 100% Original Neuf
Prix FOB:
0,92 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Overclocking
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode,commutation Triode
- Province: Guangdong, China
Tube électronique à haute fréquence triode sous vide (RS3060CJC, RS3060CJ)
Prix FOB:
4 000,00-5 000,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Puissance Triode
- Emballage: Foam Packing
- Marque Déposée: SETEC
- Origine: China
- Province: Zhejiang, China
Irfb3077 Pbf N-Canal 75 V 120A (Tc) Mosfet Transistor Irf300 Irf3007
Prix FOB:
1,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- Origine: Original
- Capacité de Production: 10000PCS/Day
- Province: Guangdong, China
Module IGBT à haute efficacité Fha40t65A pour applications industrielles
Commande Minimum:
10 Pièces
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Emballage: Box
- Standard: TO-220
- Province: Guangdong, China
Conception avancée VC3906B SOT-23 200MW Transistor SMD PNP en plastique encapsulé, semi-conducteur
Prix FOB:
0,0051-0,034 $US / Pièce
Commande Minimum: 100 Pièces
Commande Minimum: 100 Pièces
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Basse fréquence
- Niveau d'énergie: Petite puissance
- Fonction: commutation Triode
- Province: Guangdong, China
Module IGBT Infineon Bsm100GB120DN2K Bsm75GB120dlc Bsm50GB120DN2 Bsm100GB60dlc
Prix FOB:
99,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- certificat: CE
- Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Structure: Alliage
- Province: Fujian, China
Puissance PC Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Diode de récupération rapide Mosfet
Prix FOB:
0,2 $US / Pièce
Commande Minimum: 660 Pièces
Commande Minimum: 660 Pièces
- certificat: RoHS,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Puissance moyenne
- Fonction: Puissance Triode,commutation Triode
- Province: Shanghai, China
Module IGBT Original Starpdwer en gros Gd450hfy120c2s Veuillez consulter le service client pour d'autres modèles
Prix FOB:
90,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Structure: Planar
- Emballage: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Province: Fujian, China
Fga25n120 Transistor à effet de champ IGBT pour cuisinière à induction 25A/1200V
Prix FOB:
0,7-0,85 $US / Pièce
Commande Minimum: 450 Pièces
Commande Minimum: 450 Pièces
- certificat: RoHS,CE
- Structure d'encapsulation: Transistor à puce
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Basse fréquence
- Niveau d'énergie: Puissance moyenne
- Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode,commutation Triode
- Province: Guangdong, China
2sc5411 C5411 Affichage TV Transistor Non amorti
Prix FOB:
1,25-1,9 $US / Pièce
Commande Minimum: 10 Pièces
Commande Minimum: 10 Pièces
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Structure d'encapsulation: Transistor à puce
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Overclocking
- Niveau d'énergie: Puissance moyenne
- Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode,commutation Triode
- Province: Guangdong, China
Transistor Mosfet Dhx Cea6961 to-252-3 100% Original Neuf
Prix FOB:
0,14 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Overclocking
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode,commutation Triode
- Province: Guangdong, China
Triode céramique métallique haute fréquence (7T62RE)
Prix FOB:
100,00-200,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Puissance Triode
- Emballage: Foam Packing
- Marque Déposée: SETEC
- Origine: China
- Province: Zhejiang, China
Irfb4115pbf Composants Électroniques Transistor to-220
Prix FOB:
1,0E-4-0,1 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Puissance moyenne
- Structure: PNP
- Province: Guangdong, China
2sc3264/2SA1295 Transistors complémentaires pour les étages de sortie audio haute puissance
Prix FOB:
0,1 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Emballage: Box
- Standard: MT-200
- Province: Guangdong, China
Conception Avancée VC3904B SOT-23 Transistor NPN en Silicium, Fourniture d'Usine de Semiconducteur Électronique
Prix FOB:
0,006-0,0121 $US / Pièce
Commande Minimum: 100 Pièces
Commande Minimum: 100 Pièces
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Petite puissance
- Fonction: commutation Triode
- Province: Guangdong, China
Module de thyristor Ixys Mdo600-16n1 Mdo500-22n1 Mdo500-18n1 Mdo1201-22n1 Mdo600-16n1
Prix FOB:
99,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- certificat: CE
- Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Structure: Alliage
- Province: Fujian, China
Transistor IGBT Trench-Fs Simple to-247 Boîtier faible Vce (sat) pour contrôleur de climatiseur à conversion de fréquence domestique Fabriqué en Chine
Prix FOB:
0,1-1,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 600 Pièces
Commande Minimum: 600 Pièces
- certificat: RoHS,ISO
- Structure d'encapsulation: Transistor à puce
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Puissance moyenne
- Fonction: Puissance Triode,commutation Triode
- Province: Shanghai, China
Vente en gros de modules IGBT Infineon d'origine Fp50r12kt3/Fp75r12kt4/Fp100r12kt4/Fp150r12kt4 en stock
Prix FOB:
90,00-100,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- certificat: CE
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Structure: Planar
- Emballage: Original Packaging
- Standard: Standard specifications
- Province: Fujian, China
Offre Chaude Transistor Fqpf2n60 to-220 600V Mosfet N-Canal 2n60
Prix FOB:
0,48-0,5 $US / Pièce
Commande Minimum: 100 Pièces
Commande Minimum: 100 Pièces
- Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
- Fonction: Puissance Triode
- Matériel: Silicium
- Origine: China
- Capacité de Production: 10000
- Province: Guangdong, China
Nouveau et Original Ikw50n65h5 IGBT to-247 650V 50A Transistor
Prix FOB:
1,9-4,9 $US / Pièce
Commande Minimum: 100 Pièces
Commande Minimum: 100 Pièces
- certificat: RoHS
- Structure d'encapsulation: Transistor à puce
- Fonction: Photosensible,Tube de Darlington
- Emballage: Tube
- Standard: /
- Origine: China
- Province: Guangdong, China
Transistor Mosfet Ces2312 Sot-23 100% Original Neuf
Prix FOB:
0,0331 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Overclocking
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode,commutation Triode
- Province: Guangdong, China
Tt820n16koftimhpsa1 Tt61n16kofhpsa1 Tt60n16sofb01 Bg-Sb20-1 Composants chauds de transistor
Prix FOB:
1,0E-4-0,1 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Petite puissance
- Fonction: Puissance Triode
- Province: Guangdong, China
Tube oscillateur à valve à vide, triode de machine à souder (3CX15000H3)
Prix FOB:
1 300,00-1 700,00 $US / Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
Commande Minimum: 1 Pièce
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Puissance Triode
- Emballage: Foam Packing
- Marque Déposée: SETEC
- Origine: China
- Province: Zhejiang, China
Solutions IC fiables pour l'électronique grand public : Mosfet N-Channel 40A Crst055n08n
Commande Minimum:
10 Pièces
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Basse fréquence
- Niveau d'énergie: Petite puissance
- Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode
- Structure: La diffusion
- Province: Guangdong, China