Mosfet à canal N (SOT-23)
- Code SH: 85411000
-
Yachtron International Co., Ltd.
- Province: Taiwan, Taiwan_China
Les composants électroniques IC
-
Focus Electronics Technology Co., Limited
- Province: Guangdong, China
Cat4104vp2-GT3 composants électroniques circuit IC d'origine liste de nomenclature Service TDFN-8 En stock Cat4104vp2-GT3
- certificat: RoHS
- Niveau d'énergie: Petite puissance
- Emballage: Air Transport
- Origine: Made-in-Taiwan
- Capacité de Production: 6000
-
Q-Yang Co., Limited
- Province: Guangdong, China
Transistors IGBT Fga60n65SMD
- certificat: RoHS
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Matériel: Silicium
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Sunshine Electronics (Hk) Co., Limited
- Province: Guangdong, China
Mosfet à canal N de silicium (SFP840)
- Capacité de Production: 500, 000, 000
-
Winsemi Microelectronics Company Limited
- Province: Guangdong, China
(Produit / MOSFET à-92 KIA1N65H)
-
Shenzhen Farce Jie Xin Electronics Co., Ltd
- Province: Guangdong, China
Plaque de base Pinfin de goutte d'eau pour module IGBT/SIC d'EV
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Structure: Alliage
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Gootage(Kunshan) Thermal Technology Co., Ltd
- Province: Jiangsu, China
Transistors de puissance haute tension (W13003 série)
- Standard: Sample available
- Capacité de Production: 1 billion pcs/year
-
Shenzhen GHD Electronics Co., Ltd.
- Province: Guangdong, China
Tube d'électrons (FU-3101S)
- Origine: Beijing, China
- Code SH: 8541800
-
Beijing Sinocleansky Technologies Corp.
- Province: Beijing, China
Le Mosfet (2SJ652)
- Emballage: 100PCS/Bag
- Capacité de Production: 100PCS/Bag
-
Shenzhen Boype Electronics Co., Ltd.
- Province: Guangdong, China
Transistor de puissance LDMOS RF Mrf6V12500hr6
- Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
- Capacité de Production: 1000
-
Quanzhou Yingtron Microwave Electronics Co., Ltd.
- Province: Fujian, China
ISC Transistor de puissance NPN silicium mais11A
- Code SH: 85912900
- Capacité de Production: 100000
-
Inchange Semiconductor Company Limited
- Province: Jiangsu, China
Atxmega128A1u-au fournisseur de circuits électroniques intégrés FPGA IC Nouveau et original Xmega128A1u Atxmega128A1u
- certificat: RoHS
- Niveau d'énergie: Petite puissance
- Fonction: Puissance Triode
- Emballage: Air Transport
- Marque Déposée: MICROCHIP
- Origine: Thailand
-
Q-Yang Co., Limited
- Province: Guangdong, China
Le Silicium MOSFET de puissance à canal N (SFP50N06)
- Emballage: to-220
- Capacité de Production: 500, 000, 000
-
Winsemi Microelectronics Company Limited
- Province: Guangdong, China
MOSFET canal P unique 60V, 14A, 52mohm Nvtfs5116pltag
- certificat: RoHS
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Basse fréquence
- Niveau d'énergie: Petite puissance
- Matériel: Silicium
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Sunshine Electronics (Hk) Co., Limited
- Province: Guangdong, China
Plaque de base en forme de losange avec boîtier pour module IGBT
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Structure: Alliage
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Gootage(Kunshan) Thermal Technology Co., Ltd
- Province: Jiangsu, China
Transistor de puissance NPN Fast-Switching (SBP13003-O)
- Emballage: to-220
- Capacité de Production: 500, 000, 000
-
Winsemi Microelectronics Company Limited
- Province: Guangdong, China
Ud2195g-AB3-R durée de conservation de 12 mois PCB PCB PCB PCB CMS 3D Printing CNC mécatronique
- certificat: RoHS
- Niveau d'énergie: Petite puissance
- Fonction: Puissance Triode
- Structure: PNP
- Matériel: Silicium
- Emballage: Air Transport
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Q-Yang Co., Limited
- Province: Guangdong, China