Accueil Annuaire de Produits Électricité & Électronique Triode
Environ 2536 produits trouvés

Wgu9n20 basse tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 200V 9A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Gx2N65 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 650V 2A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Wgp740 tension Moyenne, Haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 400V 11.4Un

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Wga460 tension Moyenne, Haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 500V 20A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Gx8N60 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 600V 7,5A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Wgp9n20 basse tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant d'origine d'-220 pièces

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Wgd60r650 de haute qualité N Moyenne tension transistor MOSFET canal original des pièces composant à251 600V 7A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Wgd60r450 tension Moyenne, Haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à251 600V 10A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Wgp65r500 de haute qualité N Moyenne tension transistor MOSFET canal original des pièces composant à251 650V 10A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Wga20n50 haute qualité N Moyenne tension transistor MOSFET canal composant d'origine d3p pièces 500V 20A

  • certificat: RoHS,CE,ISO
  • Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: commutation Triode
  • Structure: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Province: Jiangsu, China

Transistor Hg2879 2sc2879

  • certificat: RoHS,ISO
  • Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Binhu Boer Electronic Components Sales Center
  • Province: Jiangsu, China

Diode multifonctionnelle DMF pour vente en gros semi-conducteurs semi-conducteurs discrets diodes et redresseurs redresseurs en pont

  • certificat: CE
  • Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Overclocking
  • Niveau d'énergie: Petite puissance
  • Capacité de Production: 500000pieces/Year
  • Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
  • Province: Anhui, China

Tas6424eqdkqrq1 Nouveau fournisseur de composants électroniques d'origine Hssop-56 Tas6424eqdkqrq1

  • certificat: RoHS
  • Niveau d'énergie: Petite puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Structure: PNP
  • Matériel: Silicium
  • Emballage: Air Transport
  • Q-Yang Co., Limited
  • Province: Guangdong, China

Module thyristor Skch28/16

  • certificat: RoHS
  • Fonction: Puissance Triode
  • Standard: TO-247
  • Marque Déposée: ST
  • E-Solution Technology Co., Limited
  • Province: Guangdong, China

Transistor de puissance Spw20n60c3 Spw20n60

  • Emballage: to-247-3
  • Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
  • Province: Guangdong, China

Triode Bw1185J2/yd1212/l'ITK90-1/Fu-3092CA

  • certificat: CE
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: Wooden Box
  • Marque Déposée: HUAGUANG
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Province: Liaoning, China

Mmbt3904 transistor NPN 40V 200mA SOT23-3 Mmbt390

  • Installation: Triode SMD
  • Structure: PNP
  • Emballage: Standard
  • Standard: Standard
  • Marque Déposée: /
  • Origine: Original
  • Chip-Easy(Shenzhen) Technology Co., Ltd.
  • Province: Guangdong, China

Ikcm30f60GD Ikcm20L60GD Ikcm20L60GA Ikcm30f60GA nouveau stock original

  • certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Fonction: Puissance Triode
  • Structure: PNP
  • Matériel: Silicium
  • Emballage: Tube
  • CRD Technology (HK) Ltd.
  • Province: Guangdong, China

Haute puissance pour l'Oscillateur Ceramic-Metal Triode dans les applications de chauffage à haute fréquence FD-934S

  • certificat: ISO
  • Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Puissance Triode
  • Beijing Gem Wisdom Technology Developing Co., Ltd
  • Province: Beijing, China

Transistor BC107

  • Shanghai Xuanxin International Trande Co Ltd
  • Province: Shanghai, China

Le transistor de haute qualité d'alimentation SCR X0405 à-202

  • certificat: RoHS
  • Emballage: to-202
  • Standard: 4A/600V SCR
  • Marque Déposée: MX
  • Origine: China
  • Capacité de Production: 800000
  • Nantong Mingxin Microelectronics Co., Ltd
  • Province: Jiangsu, China

Tube d'oscillation 7t69rb

  • certificat: CE
  • Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Haute puissance
  • Fonction: Photosensible,Tube de Darlington,Puissance Triode
  • Huizhou Yiyuan Machinery Co., Ltd.
  • Province: Guangdong, China

CS 7805

  • certificat: RoHS
  • Nanjing International Group Co., Ltd
  • Province: Guangdong, China

Des MOSFET MDF13n50

  • Emballage: to-220f
  • Marque Déposée: KWS
  • Origine: China
  • Shenzhen Kaiwosi Technology Co., Ltd.
  • Province: Guangdong, China

Le vide du tube d'électrons FU3062f, 7T62R, E3062c équivalents, pour le HF Chauffage diélectrique, le chauffage par induction

  • certificat: CCC
  • Installation: Triode enfichable
  • Fréquence de travail: Haute fréquence
  • Niveau d'énergie: Puissance moyenne
  • Fonction: Puissance Triode
  • Emballage: Strong Cartons
  • Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
  • Province: Beijing, China

Triac, thyristors (BT131)

  • Emballage: to-92
  • Standard: ISO 9001, ISO 14001, UL, ROHS, SGS, REACH, etc.
  • Marque Déposée: JJ
  • Origine: Jiangsu, China
  • Capacité de Production: 10000000PCS/Month
  • Ningbo Haishu Jiemao Electronics Co., Ltd
  • Province: Zhejiang, China

Composants électroniques circuit intégré unique composants IC à guichet unique correspondance de nomenclature

  • certificat: RoHS,ISO
  • Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
  • Installation: Triode SMD
  • Fréquence de travail: Basse fréquence
  • Niveau d'énergie: Petite puissance
  • Fonction: Puissance Triode,commutation Triode
  • Chip Sun Technology Co., Ltd.
  • Province: Guangdong, China

Transistor

  • certificat: RoHS
  • Code SH: 8541210000
  • Capacité de Production: 100000
  • Shenzhen Yihua Tech Co., Ltd
  • Province: Guangdong, China

Les caractéristiques classiques de Transistors CMS comprennent :

  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Installation: Triode SMD
  • Origine: China
  • Capacité de Production: 10, 000, 000 Pieces/Day
  • Pagooda Technolo
  • Province: Guangdong, China

D-126 (transistor bipolaire NPN)

  • Structure d'encapsulation: Transistor à puce
  • Guangdong Hottech Industrial Co., Ltd.
  • Province: Guangdong, China
1 75 76 77 78 79 85 Page Suivante
Montrer: 10 30 50

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