Gx7N65 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx3N80 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant original à251 Pièces 800V 3A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx6N65 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
2321psa de haute qualité Pchannel transistor MOSFET basse tension composant Original Pièces SOT23 -20V-2.9un
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Wgu5N50 haute qualité N Moyenne tension transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 500V 4.5A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
2324basse tension de haute qualité de la NSA N transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 100V 2A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant original à-220pièces 400V 11.4Un
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx2N65 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 650V 2A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
2309psa basse tension de haute qualité transistor MOSFET canal P composant Original Pièces SOT23 -60V -2A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx2N60 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 600V 2A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx1N65 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant original des pièces D-126 650V 0,5 A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Wgd60r450 tension Moyenne, Haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à251 600V 10A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx15n60 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 600V 15A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Wga24n50 haute qualité N Moyenne tension transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 500V 24A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
2305psa basse tension de haute qualité transistor MOSFET canal P composant Original Pièces SOT23 -12V -4.1un
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Tension de haute qualité N Canal 5.5A GX730 400V transistor MOSFET TO-220 composant original
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx1N80 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à251 800V 1A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Psa-3401L haute qualité à faible tension transistor MOSFET canal P composant Original Pièces SOT23 -30V -4.1un
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Wgp16n50 haute qualité N Moyenne tension transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 500V16A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx5N60 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 600V 4.5A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
60h12mnsa basse tension de haute qualité N transistor MOSFET canal composant Original Pièces SOT23 600V 0.03Un
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
Gx16n50 haute tension de haute qualité N transistor MOSFET canal original des pièces composant à220 500V 16A
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Puissance Triode,commutation Triode
- Structure: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Province: Jiangsu, China
ISC Transistor de puissance NPN silicium (2SC3320)
- Emballage: to-3pn
- Standard: OEM
- Marque Déposée: ISCSEMI/ISC
- Origine: China
- Code SH: 85412900
- Capacité de Production: 10000
-
Inchange Semiconductor Company Limited
- Province: Jiangsu, China
Laisser refroidir le transistor de puissance MOS (SPP04N60C3)
- Emballage: 50 PCS/Tube
- Code SH: 8542390000
- Capacité de Production: 100000
-
Hongkong Partnartek Company
- Province: Guangdong, China
Tcan1043admtrq1 circuits intégrés Ti de nomenclature d'origine et nouveaux dans Stock Texas Chip instruments
- certificat: RoHS
- Niveau d'énergie: Petite puissance
- Fonction: Puissance Triode
- Structure: PNP
- Matériel: Silicium
- Emballage: Air Transport
-
Q-Yang Co., Limited
- Province: Guangdong, China
Transistor de puissance RF MRF185
- Emballage: Standard
-
Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- Province: Guangdong, China
Un seul fabricant dans le monde pour le tube d'électrons to4/1250 / 5868
- certificat: CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Verre Transistor Sealed
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Puissance moyenne
- Fonction: Puissance Triode
-
Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- Province: Liaoning, China
Redresseur de pont Gbu Diode 1A 1000V boîtier dB Diode de pont pour LED
- certificat: CE
- Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Overclocking
- Niveau d'énergie: Petite puissance
- Capacité de Production: 500000pieces/Year
-
Anhui Morhon Technology Co., Ltd.
- Province: Anhui, China
500V 22un MOSFET à220f
- certificat: RoHS,CE,CCC
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Structure: Planar
- Matériel: Silicium
-
Shenzhen Boomingmicro Electronics Co., Ltd
- Province: Guangdong, China
Cj3401 MOSFET canal P en mode d'amélioration de transistor à effet de champ
- certificat: RoHS,CE,ISO,CCC
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Puissance moyenne
- Fonction: commutation Triode
-
Yi Ping Electronic (Hongkong) Co., Limited
- Province: Guangdong, China
