Transistor de puissance RF (2SC1946A 2SC1946)
- Code SH: 8541100000
- Capacité de Production: 50, 000 PCS/Year.
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Bocen (Hk) Technology Co.,Ltd.
- Province: Guangdong, China
Plaque de base d'aiguille rhomboïde avec boîtier pour module IGBT
- certificat: RoHS,CE,ISO
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode SMD
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Structure: Alliage
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Gootage(Kunshan) Thermal Technology Co., Ltd
- Province: Jiangsu, China
Transistor de puissance LDMOS RF Mrf6V12500hr6
- Structure d'encapsulation: Céramique Transistor Emballé
- Capacité de Production: 1000
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Quanzhou Yingtron Microwave Electronics Co., Ltd.
- Province: Fujian, China
Transistors de puissance/Modules transistor
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Shenzhen Juteng Electronics Co., Ltd.
- Province: Guangdong, China
Tube à électrons 5868 TB4/1250
- Structure d'encapsulation: Verre Transistor Sealed
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Fonction: Puissance Triode
- Emballage: Cartons
- Standard: 6/carton
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HAN Trade (Beijing) Company
- Province: Beijing, China
Mosfet à canal N (SOT-23)
- Code SH: 85411000
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Yachtron International Co., Ltd.
- Province: Taiwan, Taiwan_China
Mosfet à canal N de silicium (SFP840)
- Capacité de Production: 500, 000, 000
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Winsemi Microelectronics Company Limited
- Province: Guangdong, China
Série TMOS MOSFET
- Marque Déposée: TMOS
- Capacité de Production: TW
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Jannock Electronics Technology (GZ) Co., Ltd.
- Province: Guangdong, China
Transistors de puissance NPN (W13001, W13002 série)
- Capacité de Production: 1 billion pcs/year
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Shenzhen GHD Electronics Co., Ltd.
- Province: Guangdong, China
Le MOSFET (WFF4N60)
- Marque Déposée: MEIYA
- Capacité de Production: 50000
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Shenzhen Meiya Technologies Co.,Ltd.
- Province: Guangdong, China
FU3060C de la puissance RF Triode, équivalent à RS3060CJ
- Fonction: Puissance Triode
- Code SH: 8540890000
- Capacité de Production: 500 PCS Per Year
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Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Province: Beijing, China
Transistors IGBT Fga60n65SMD
- certificat: RoHS
- Structure d'encapsulation: Plastic Transistor Sealed
- Installation: Triode enfichable
- Fréquence de travail: Haute fréquence
- Niveau d'énergie: Haute puissance
- Matériel: Silicium
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Sunshine Electronics (Hk) Co., Limited
- Province: Guangdong, China