Amélioration du transistor TO220 Sfg100n08PF VDS-80V ID-300A RDS (ON) -6,5milliohm QG-53.2nc Pour MOSFET de puissance à canal N de convertisseur CC-CC de protection de batterie

• certificat: RoHS, ISO
• Forme: ST
• Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube
• Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi
• Fonction: Micro-ondes Transistor
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• N° de Modèle.: TO220 SFG100N08PF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Niveau d′énergie: Haute puissance
• Matériel: Silicium
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 35.3x30x37.5/60x23x13
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Origine: Chine
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1kk/Month

Description de Produit

 Description générale
  MOSFET SFGMOS®  est  basé  sur l' Oriental  Semiconductor    Design de périphérique unique  pour  atteindre  un faible RDS(ON) , la basse   charge de grille, une  commutation rapide  et d' excellentes   caractéristiques d'avalanche. Le  haut  Vth  série est  spécialement  optimisée  pour   les systèmes de haut  avec  la porte de  la conduite de  tension  supérieure à  10V.
 

Fonctionnalités
      Faible  RDS(ON) &  FOM
      Extrêmement  faibles   pertes de commutation
      Excellente  stabilité  et de  l'homogénéité
       Commutation rapide  et de   récupération soft

Les applications
        Alimentation en mode commuté  
      Excitateur de moteur  
       La protection de la batterie
       Convertisseur DC-DC
       Onduleur solaire
         L'onduleur UPS et de l'énergie


 Les  paramètres de performance clés

Le paramètre	Valeur	Unité
VDS, min  @ Tj(max)	80	V
ID,  pulse	300	Un
RDS(ON), max  @ VGS  =10V	6.5	MΩ
Qg	53,2	NC

  Cotes  de maximum absolu  Tj  =25°C  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension drain-source	VDS	80	V
Tension source de la porte	VGS	±20	V
Courant de vidange en continu1) , Tc=25 °C	ID	100	Un
Vidanger le  courant pulsé2) , Tc=25 °C	ID,  pulse	300	Un
Courant direct de diode continu1) , Tc=25 °C	Est	100	Un
Courant pulsé de diode2) , Tc=25 °C	N'EST, de pouls	300	Un
La dissipation de puissance3) , Tc=25 °C	PD	148	W
L'énergie pulsée unique avalanche5)	La fonction EAS	135	MJ
Fonctionnement  et   la température de stockage	Tstg  ,TJ	-55 à 150	°C

Les  caractéristiques thermiques

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0,84	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	62	°C/W

 Caractéristiques électriques  à  Tj  =25°C  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	80			V	VGS  =0 V, ID  =250 μA
Seuil de porte La tension	VGS(th)	2.0		4.0	V	VDS  =VGS , ID =250 μA
Source de vidange  Résistance à l'état	RDS(ON)		6	6.5	MΩ	VGS  =10 V, ID=12 A
Porte-source  Courant de fuite	IGSS			100	NA	VGS  =20 V
				- 100		VGS  =-20 V
Source de vidange  Courant de fuite	Les IDS			1	Μa	VDS  =80 V, VGS  =0 V
Résistance de la porte	RG		3.1		Ω	Ƒ=1 MHz,  drain ouvert

Remarque :
1)    calculée    en se fondant  sur courant continu  maximum  admissible de   température de jonction.
2)     cote de  largeur d'impulsions répétitives;  limitée  par la   température de jonction max..
3)    Pd  est  basée  sur   la température de jonction max., en utilisant  junction-  résistance thermique de cas.
4)     La  valeur  de  RθJA  est  mesurée  avec  le  périphérique  monté  sur 1 en 2 FR-4 carte  avec 2oz. Le cuivre, dans  un    environnement de l'air encore  avec  TA=25 °C.
5)     La DMV=50 V,VGS=10 V, L = 0,3 mH, démarrage  Tj  = 25 °C.

 

 Informations de commande
 

Paquet Type	Unités/ Le tube	Tubes/    boîte intérieure	Unités/     boîte intérieure	Les boîtes de intérieure/  boîte en carton	Unités/      boîte en carton
À220-J	50	20	1000	5	5000

 Informations produit
 

Produit	Paquet	Pb  libre	RoHS	Sans halogène
SFG100N08PF	D220	Oui	Oui	Oui

Chaîne d'approvisionnement

Déclaration de produits écologiques