Augmenter les frais d′EV Ultra-Fast PFC et le corps robuste Diode hszaf OSG65R099à247 650V VDS RDS99mΩ Diode de récupération rapide Mosfet du régulateur de tension élevée

• Certification: CE, ISO9001, RoHS
• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• Paquet de Transport: Air
• N° de Modèle.: OSG65R099HSZAF To247
• Marque Déposée: Orientalsemiconductor
• Origine: China
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20kkkk/Monthly

Description de Produit

Description générale
Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie de l'équilibre de charge pour obtenir d'excellents faible résistance et de charge inférieur de porte. Elle est conçue pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieure et une solide capacité d'avalanche.
La série Z GreenMOS® est intégré à la récupération rapide de la diode (DRA) afin de minimiser le temps de récupération de marche arrière. Il est approprié pour les topologies de commutation de résonance pour atteindre une plus grande efficacité, une fiabilité accrue et plus petit facteur de forme.

Fonctionnalités                                                                                                    

• Faible RDS(on) & FOM
• Extrêmement faibles pertes de commutation
• Excellente stabilité et de l'homogénéité
• Ultra-rapide et robuste de la diode du corps
• AEC-Q101 qualifié pour l'application de l'automobile

Les applications

• Alim PC
• Telecom power
• Alimentation du serveur
• Chargeur de EV
• Excitateur de moteur

Les paramètres de performance clés

 

Le paramètre	Valeur	Unité
VDS	650	V
ID, pulse	96	Un
RDS(ON), max @ VGS=10V	99	MΩ
Qg	66,6	NC

Marquage des informations

 

Nom du produit	Paquet	Le marquage
OSG65R099HSZAF	D247	OSG65R099HSZA

L'HTRB test a été effectué à 600V plus stricte que l'AEC-Q101 Rev. C (80 % V(Br)DSS). Tous les autres tests ont été effectués conformément à l'AEC Q101 rev. E.

 

Cotes de maximum absolu Tj=25°C sauf indication contraire
 

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de source de vidange	VDS	650	V
Gate-source de tension	VGS	±30	V
Courant de vidange en continu^1), TC=25 °C	ID	32	Un
Courant de vidange en continu^1), TC=100 °C		20
Vidanger le courant pulsé^2), TC=25 °C	ID, pulse	96	Un
Diode de l'avant de courant continu^1), TC=25 °C	Est	32	Un
Courant pulsé de diode^2), TC=25 °C	N'EST, de pouls	96	Un
La dissipation de puissance^3)  ,TC=25  °C	PD	278	W
L'énergie pulsée unique avalanche5)	La fonction EAS	648	MJ
Le MOSFET de robustesse dv/dt, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Diode de marche arrière dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	Dv/dt	50	V/ns
Fonctionnement et la température de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	°C

Les caractéristiques thermiques
 

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0,45	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à Tj=25°C sauf indication contraire

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=1 mA
Tension de seuil de porte	VGS(th)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=1 mA
Drain-source sur- résistance de l'état	RDS(ON)		0,090	0,099	Ω	VGS=10 V, ID=16 A
			0,21			VGS=10 V, ID=16 A, Tj=150 °C
Porte-source courant de fuite	IGSS			100	NA	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Source de courant de fuite de vidange	Les IDS			10	Μa	VDS=650 V, VGS=0 V
Résistance de la porte	RG		7.8		Ω	Ƒ=1 MHz, drain ouvert

Les caractéristiques dynamiques

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	Ciss		3988		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, Ƒ=100 kHz
Capacité de sortie	Coss		210		PF
Transfert inverse de la capacité	Sir		7.4		PF
Capacité de sortie efficace, l'énergie liées	Co(er)		124		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V
Capacité de sortie efficace, l'heure liées	Co(tr)		585		PF
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		46.0		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG = 2 Ω, ID=20 A
Le temps de montée	Tr		60,3		Ns
Désactiver le temps de retard	Td(arrêt)		93,0		Ns
Temps de chute	Tf		3.7		Ns

Caractéristiques de charge de la porte

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Total des frais de porte	Qg		66,6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=20 A
Porte-charge source	Qgs		20.6		NC
Gate-frais de vidange	Qgd		24,8		NC
Plateau de la porte de la tension	Vplateau		6.7		V

Caractéristiques de la diode du corps

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Diode de la tension de marche avant	VSD			1.3	V	Est de=32 A, VGS=0 V
Le temps de récupération de marche arrière	Les DRT		151,7		Ns	Est de=20 A, Di/dt = 100 A/μs
Frais de récupération de marche arrière	Qrr		1.0		ΜC
Pic de courant de récupération de marche arrière	Irrm		12.3		Un

Remarque :

1. Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
2. Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la température de jonction max..
3. Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction-résistance thermique de cas.
4. La DMV=100 V, VGS=10 V, L=80 mH, démarrage Tj=25 °C.