Chargeur de voiture Super Sic Qualifieaec AEC-Q101-Q101 pilote Moter hzaf OSG65R038à247 650V VDS RDS38mΩ Mosfet de Diode de récupération rapide

• Certification: RoHS, ISO
• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• Paquet de Transport: Air
• N° de Modèle.: OSG65R038HZAF TO247
• Marque Déposée: Orientalsemiconductor
• Origine: Chine
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20kkkk/Monthly

Description de Produit

Description générale
Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie de l'équilibre de charge pour obtenir d'excellents faible résistance et de charge inférieur de porte. Elle est conçue pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieure et une solide capacité d'avalanche.
La série Z GreenMOS® est intégré à la récupération rapide de la diode (DRA) afin de minimiser le temps de récupération de marche arrière. Il est approprié pour les topologies de commutation de résonance pour atteindre une plus grande efficacité, une fiabilité accrue et plus petit facteur de forme.

Fonctionnalités

• Faible RDS(ON) & FOM
• Extrêmement faibles pertes de commutation
• Excellente stabilité et de l'homogénéité
• Ultra-rapide et robuste de la diode du corps

Les applications                                                                                             

• Alim PC
• Telecom power
• Alimentation du serveur
• Chargeur de EV
• Excitateur de moteur

Les paramètres de performance clés
 

Le paramètre	Valeur	Unité
VDS, min @ Tj(max)	650	V
ID, pulse	240	Un
RDS(ON), max @ VGS=10V	30	MΩ
Qg	178	NC

Marquage des informations
 

Nom du produit	Paquet	Le marquage
OSG60R030HZF	D247	OSG60R030Hz

Cotes de maximum absolu Tj=25°C sauf indication contraire
 

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de source de vidange	VDS	600	V
Gate-source de tension	VGS	±30	V
Courant de vidange en continu^1), TC=25 °C	ID	80	Un
Courant de vidange en continu^1), TC=100 °C		50
Vidanger le courant pulsé^2), TC=25 °C	ID, pulse	240	Un
Diode de l'avant de courant continu^1), TC=25 °C	Est	80	Un
Courant pulsé de diode^2), TC=25 °C	N'EST, de pouls	240	Un
La dissipation de puissance^3), TC=25 °C	PD	480	W
L'énergie pulsée unique avalanche5)	La fonction EAS	2500	MJ
Le MOSFET de robustesse dv/dt, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Diode de marche arrière dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	Dv/dt	50	V/ns
Fonctionnement et la température de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	°C

Les caractéristiques thermiques
 

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0.26	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à Tj=25°C sauf indication contraire

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	600			V	VGS=0 V, ID=1 mA
Tension de seuil de porte	VGS(th)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 mA,
Source de vidange Résistance à l'état	RDS(ON)		0,028	0,030	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0,058			VGS=10 V, ID=40 A, Tj=150 °C
Porte-source courant de fuite	IGSS			100	NA	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Source de courant de fuite de vidange	Les IDS			10	Μa	VDS=600 V, VGS=0 V
Résistance de la porte	RG		2.1		Ω	Ƒ=1 MHz, drain ouvert

Les caractéristiques dynamiques

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	Ciss		9343		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz
Capacité de sortie	Coss		708		PF
Transfert inverse de la capacité	Sir		15		PF
Capacité de sortie efficace, l'énergie liées	Co(er)		345		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V
Capacité de sortie efficace, l'heure liées	Co(tr)		1913		PF
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		52.1		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG = 2 Ω, ID=40 A
Le temps de montée	Tr		105.2		Ns
Désactiver le temps de retard	Td(arrêt)		125,7		Ns
Temps de chute	Tf		4.1		Ns

Caractéristiques de charge de la porte

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Total des frais de porte	Qg		177.9		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Porte-charge source	Qgs		37,4		NC
Gate-frais de vidange	Qgd		78.4		NC
Plateau de la porte de la tension	Vplateau		6.2		V

Caractéristiques de la diode du corps

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Diode de la tension de marche avant	VSD			1.4	V	Est de=80 A, VGS=0 V
Le temps de récupération de marche arrière	Les DRT		186,6		Ns	Est de=40 A Di/dt = 100 A/μs
Frais de récupération de marche arrière	Qrr		1.6		ΜC
Pic de courant de récupération de marche arrière	Irrm		15.4		Un

Remarque :

1. Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
2. Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la température de jonction max..
3. Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction-résistance thermique de cas.
4. La DMV=100 V, VGS=10 V, L=80 mH, démarrage Tj=25 °C.