Chargeur EV d′éclairage LED Osg60r028htf TO247 VDS 650V RDS28mΩ MOSFET

• Manufacturing Technology: Dispositif Discret
• Matériel: Silicon Wafers
• Type: Semi-Conducteur de Type P
• Paquet: To247
• Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction
• Demande: éclairage led
• N° de Modèle.: OSG60R028HTF TO247
• Modèle: Osg60r028htf
• Numéro de lot: 2024+
• Marque: Orientalsemi
• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• Paquet de Transport: Air
• Spécifications: TO247
• Marque Déposée: Orientalsemiconductor
• Origine: China
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20K/Monthly

Description de Produit

Description du produit

Description générale

Le MOSFET haute tension GreenMOS®  utilise la technologie d'équilibrage de charge pour obtenir une résistance à l'activation exceptionnelle et une charge de grille inférieure. Il est conçu pour minimiser la perte de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et une capacité d'avalanche robuste.
La série GreenMOS® Generic est optimisée pour des performances de commutation extrêmes afin de minimiser la perte de commutation. Il est conçu pour les applications à forte densité de puissance afin de répondre aux normes d'efficacité les plus élevées.


Fonctionnalités

• RDS (ON)  ET  FOM FAIBLES
• Perte de   commutation extrêmement faible  
• Excellente  stabilité  et  uniformité

Applications

•  Alimentation PC
•  Éclairage LED
•  Puissance de télécommunication
•  Alimentation du serveur
•  Chargeur EV
• Solaire/UPS

 

Paramètres de  performance clés  
 

Paramètre	Valeur	Unité
VDS,  min  à  TJ(max)	650	V
ID,  impulsion	240	A
RDS(ON)  ,  MAX  @ VGS=10V	28	MΩ
QG	181.8	NF

 Informations de marquage

 

Nom du produit	Package	Marquage
OSG60R028HTF	TO247	OSG60R028HT

  Valeurs nominales maximales absolues  à  TJ=25 °C  sauf  indication contraire  
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de la source de vidange	VDS	600	V
Tension de la source de grille	VGS	±30	V
Courant de drain continué1^),  TC=25  °C.	ID	80	A
Courant de drain continué1^),  TC=100  °C.		50
Courant de drain pulsé 2^),  TC=25  °C.	ID,  impulsion	240	A
Diode continue  en forward  current1^),  TC=25  °C.	EST	80	A
Diode  pulse2 ^),  TC=25  °C.	EST,  impulsion	240	A
Puissance  dissipe3^),  TC=25  °C.	PD	455	W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5^)	EAS	1850	MJ
MOSFET  dv/dt  robustesse,  VDS=0…480  V.	dv/dt	50	V/ns
Diode inverse  dv/dt,  VDS=0…480  V,  ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Température de fonctionnement  et  de stockage	Tstg, TJ	-55  à  150	°C

 Caractéristiques thermiques
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique,  boîtier de jonction	RθJC	0.27	°C/W
Résistance thermique,  ambient4^)	RθJA	62	°C/W

 Caractéristiques électriques  à  TJ=25°C  sauf  indication contraire  

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension de claquage de la source de vidange	BVDSS	600			V	VGS=0  V,  ID=1  MA
		650				VGS=0  V,  ID=1  mA, TJ=150 °C.
Tension seuil de grille	VGS(TH)	2.9		3.9	V	VDS=VGS,  ID=2  MA
Résistance à l'état on de la source de vidange	RDS(ON)		0.024	0.028	Ω	VGS=10  V,  ID=40  A
			0.06			VGS=10  V,  ID=40A, TJ=150 °C.
Courant de fuite de la source de grille	IGS			100	N/a	VGS = 30  V.
				-100		VGS=-30  V.
Courant de fuite de la source de vidange	IDS			1	ΜA	VDS=600  V,  VGS=0  V.
Résistance de la grille	RG		2.2		Ω	ƒ=1  MHz,  drain ouvert

 Caractéristiques dynamiques

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CISS		7373		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100  KHz
Capacité de sortie	COSS		504		PF
Capacité de transfert inverse	FCR		17		PF
Délai d'activation	td(on)		42.5		ns	VGS=10 V, VDS=400  V, RG=2 Ω, ID=40 A.
Temps de montée	tr		71		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		126.6		ns
Temps de chute	par		3.7		ns

  Caractéristiques de charge de grille

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		181.8		NF	VGS=10 V, VDS=400  V, ID=40 A.
Charge de la source d'entrée	QGS		36.5		NF
Grille de  charge de vidange	QGD		49.5		NF
Tension de plateau de grille	Plateau Vplateau		5.5		V

  Caractéristiques de la diode corps

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension  avant de diode	VSD			1.3	V	EST = 80  A, VGS = 0  V.
Temps de  récupération inverse	trr		584		ns	VR=400  V, IS=40 A, Di/dt = 100  A/μs
Charge de  récupération inversée	Qrr		12.8		ΜC
Courant de   récupération inverse de crête	Irrm		39.8		A

Remarque

1. Courant continu calculé    en fonction      de la température de jonction maximale autorisée.
2. Valeur nominale répétitive  ;   largeur d'impulsion  limitée  par    la température de jonction maximale.
3. Le PD  est  basé  sur    la température de jonction maximale,  en utilisant    la résistance thermique du boîtier de jonction.
4. La  valeur  de  RθJA  est  mesurée  avec  l' appareil  monté  sur      une carte FR-4 1 en 2  avec  2 oz.  Cuivre, dans un environnement à air fixe avec Ta=25 °C.
5. VDD=100  V,  VGS=10  V,  L=79.9  mH,  TJ de départ =25  °C.