Mode d′amélioration de transistor MOSFET de puissance à canal N à220f OSG80R380FF VDS-850V ID-33un RDS (ON) milliohm -380Qg-22.2nc pour chargeur solaire/UPS EV

• certificat: RoHS, ISO
• Forme: Porcelaine Métal Tube
• Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube
• Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi
• Fonction: Commutateur Transistor
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• N° de Modèle.: TO220F OSG80R380FF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Niveau d′énergie: Haute puissance
• Matériel: Silicium
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Origine: China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1kk/Month

Description de Produit

 Description générale
Le     MOSFET haute tension GreenMOS®  utilise    la technologie de l'équilibre de charge  pour  obtenir d' excellents faible  résistance  et de    charge inférieur de porte.  Elle  est  conçue  pour  minimiser les   pertes de conduction, fournir des   performances de commutation supérieure  et  une solide   capacité d'avalanche.
La       série générique GreenMOS®   est   optimisé   pour les       performances de commutation extrême   afin de   minimiser les   pertes de commutation.  Il   est  adapté  pour       les applications haute densité de puissance   pour   satisfaire  aux   plus hautes   normes d'efficacité.

Fonctionnalités
      Faible  RDS(ON) &  FOM
      Extrêmement  faibles   pertes de commutation
      Excellente  stabilité  et de  l'homogénéité

Les applications
       Alim PC
       D'éclairage LED
      Telecom  power
       Alimentation du serveur
       Chargeur de EV
      Solaire/UPS


 Les  paramètres de performance clés

Le paramètre	Valeur	Unité
VDS, min  @ Tj(max)	850	V
ID,  pulse	33	Un
RDS(ON) , MAX  @ VGS  =10V	380	MΩ
Qg	22.2	NC

  Cotes  de maximum absolu  Tj  =25°C  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de source de vidange	VDS	800	V
Gate-source de  tension	VGS	±30	V
Courant de vidange en continu1) , Tc=25 °C	ID	11	Un
Courant de vidange en continu1) , TC=100 °C		6.9
Vidanger le  courant pulsé2) , Tc=25 °C	ID,  pulse	33	Un
Courant direct de diode continu1) , Tc=25 °C	Est	11	Un
Courant pulsé de diode2) , Tc=25 °C	N'EST, de pouls	6.9	Un
La dissipation de puissance3) , Tc=25 °C	PD	34	W
L'énergie pulsée unique avalanche5)	La fonction EAS	400	MJ
Le MOSFET de   robustesse dv/dt, VDS  =0…640 V	Dv/dt	50	V/ns
Diode de marche arrière  dv/dt, VDS  =0…640 V, ISD≤ID	Dv/dt	15	V/ns
Fonctionnement  et   la température de stockage	Tstg  , TJ	-55 à 150	°C

Les  caractéristiques thermiques

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	3.68	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	62,5	°C/W

 Caractéristiques électriques  à  Tj  =25°C  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	800			V	VGS  =0 V, ID  =250 μA
		850				VGS  =0 V, ID  =250 μA, TJ  =150 °C
Seuil de porte La tension	VGS(th)	2.9		3.9	V	VDS  =VGS , ID =250 μA
Drain-source  sur-   résistance de l'état	RDS(ON)		0.30	0.38	Ω	VGS  =10 V, ID=5.5  Un
			0.69			VGS  =10 V, ID=5.5 Un, TJ  =150 °C
Porte-source  Courant de fuite	IGSS			100	NA	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30 V
Source de vidange  Courant de fuite	Les IDS			10	Μa	VDS  =800 V, VGS  =0 V

 Informations de commande

Paquet Type	Unités/ Le tube	Tubes/    boîte intérieure	Unités/     boîte intérieure	Les boîtes de intérieure/  boîte en carton	Unités/      boîte en carton
D220F-C	50	20	1000	6	6000
D220F-J	50	20	1000	5	5000

 Informations produit

Produit	Paquet	Pb  libre	RoHS	Sans halogène
OSG80R380FF	D220F	Oui	Oui	Oui

Chaîne d'approvisionnement

Déclaration de produits écologiques