Architecture de PFC et de contrôle bidirectionnel 3-Phase pieux de charge de la topologie de Vienne EV VDS, Min @ TJ (max) 700V ID, OSG65R035htf à247 MOSFET de puissance haute tension

• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• type: station de charge fast ev
• certification: ISO, TUV, RoHS
• N° de Modèle.: OSG65R035HTF TO247
• garantie: 24 mois
• Paquet de Transport: Air
• Marque Déposée: Orientalsemiconductor
• Origine: China
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20kkkk/Monthly

Description de Produit

Description générale
Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie de l'équilibre de charge pour obtenir d'excellents faible résistance et de charge inférieur de porte. Elle est conçue pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieure et une solide capacité d'avalanche.
La série générique GreenMOS® est optimisé pour les performances de commutation extrême afin de minimiser les pertes de commutation. Il est adapté pour les applications haute densité de puissance pour satisfaire aux plus hautes normes d'efficacité.

Fonctionnalités     
   Faible RDS(on) & FOM
   Extrêmement faibles pertes de commutation
   Excellente stabilité et de l'homogénéité

Les applications
   Alim PC
   D'éclairage LED
   Telecom power
   Alimentation du serveur
   Chargeur de EV
   Solaire/UPS


Les paramètres de performance clés
 

Le paramètre	Valeur	Unité
VDS, min @ Tj(max)	700	V
ID, pulse	240	Un
RDS(ON) , MAX @ VGS=10V	35	MΩ
Qg	153,6	NC

Marquage des informations
 

Nom du produit	Paquet	Le marquage
OSG65R035FASS	D247	OSG65R035HT

 

 

Cotes de maximum absolu Tj=25°C sauf indication contraire

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de source de vidange	VDS	600	V
Gate-source de tension	VGS	±30	V
Courant de vidange en continu^1), TC=25 °C	ID	80	Un
Courant de vidange en continu^1), TC=100 °C		50
Vidanger le courant pulsé^2), TC=25 °C	ID, pulse	240	Un
Diode de l'avant de courant continu^1), TC=25 °C	Est	80	Un
Courant pulsé de diode^2), TC=25 °C	N'EST, de pouls	240	Un
La dissipation de puissance^3), TC=25 °C	PD	455	W
L'énergie pulsée unique avalanche^5)	La fonction EAS	1850	MJ
Le MOSFET de robustesse dv/dt, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Diode de marche arrière dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	Dv/dt	15	V/ns
Fonctionnement et la température de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	°C

 

Les caractéristiques thermiques
 

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0.27	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant^4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à Tj=25°C sauf indication contraire

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	600			V	VGS=0 V, ID=1 mA
		650				VGS=0 V, ID=1 mA, Tj=150 °C
Tension de seuil de porte	VGS(th)	2.9		3.9	V	VDS=VGS, ID=2 mA
Drain-source sur- résistance de l'état	RDS(ON)		0,024	0,028	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0.06			VGS=10 V, ID=40A, Tj=150 °C
Porte-source courant de fuite	IGSS			100	NA	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Source de courant de fuite de vidange	Les IDS			1	Μa	VDS=600 V, VGS=0 V
Résistance de la porte	RG		2.2		Ω	Ƒ=1 MHz, drain ouvert

Les caractéristiques dynamiques

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	Ciss		7373		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz
Capacité de sortie	Coss		504		PF
Transfert inverse de la capacité	Sir		17		PF
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		42,5		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG = 2 Ω, ID=40 A
Le temps de montée	Tr		71		Ns
Désactiver le temps de retard	Td(arrêt)		126,6		Ns
Temps de chute	Tf		3.7		Ns

Caractéristiques de charge de la porte

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Total des frais de porte	Qg		181,8		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Porte-charge source	Qgs		36,5		NC
Gate-frais de vidange	Qgd		49.5		NC
Plateau de la porte de la tension	Vplateau		5.5		V

Caractéristiques de la diode du corps

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Diode de la tension de marche avant	VSD			1.3	V	Est de=80 A, VGS=0 V
Le temps de récupération de marche arrière	Les DRT		584		Ns	VR = 400 V, est de=40 A Di/dt = 100 A/μs
Frais de récupération de marche arrière	Qrr		12.8		ΜC
Pic de courant de récupération de marche arrière	Irrm		39,8		Un

Remarque :

1. Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
2. Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la température de jonction max..
3. Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction-résistance thermique de cas.
4. La valeur de RθJA est mesurée avec le périphérique monté sur 1 en 2 FR-4 carte avec 2oz. Le cuivre, dans un environnement de l'air encore avec TA=25 °C.
5. La DMV=100 V, VGS=10 V, L=79,9 mH, démarrage Tj=25 °C.

Informations de commande
 

Type de paquet	Unités/ tube	Tubes/ boîte intérieure	Unités/ boîte intérieure	Les boîtes de intérieure/ boîte en carton	Unités/ boîte en carton
À247-C	30	11	330	6	1980
À247-J	30	20	600	5	3000

Informations produit
 

Produit	Paquet	Pb libre	RoHS	Sans halogène
OSG60R028FASS	D247	Oui	Oui	Oui

Legal Disclaimer
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