MOSFET Super si Oss65r340FF TO220F à fonctionnement haute fréquence

• certificat: RoHS, CE
• Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed
• Installation: Plug-in Triode
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• Niveau d′énergie: Puissance moyenne
• Fonction: Puissance Triode, commutation Triode
• N° de Modèle.: OSS65R340FF TO220F
• Structure: NPN
• Matériel: Silicium
• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: OSS65R340FF TO220F
• Marque Déposée: Orientalsemiconductor
• Origine: China
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20kkkk/Monthly

Description de Produit

Description du produit

 

Description générale
Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie d'équilibrage de charge pour obtenir une résistance à l'activation exceptionnelle et une charge de grille inférieure. Il est conçu pour minimiser la perte de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et une capacité d'avalanche robuste.
La série GreenMOS® SuperSi est basée sur la conception unique d'Oriental Semiconductor pour obtenir des caractéristiques de commutation extrêmement rapides. Il remplace parfaitement le circuit Gallium Nitrude (GAN) dans les opérations à haute fréquence, avec une robustesse et un coût supérieurs. Il est conçu pour répondre aux normes d'efficacité les plus strictes des systèmes d'alimentation en poussant les performances et la densité de puissance à des limites extrêmes.

Fonctionnalités                                                                                                   

• RDS(ON) ET FOM FAIBLES
• Perte de commutation extrêmement faible
• Excellente stabilité et uniformité
• Conception facile

Applications

• Chargeur PD
• Grand écran
• Puissance de télécommunication
• Alimentation du serveur

Paramètres de performance clés

 

Paramètre	Valeur	Unité
VDS, min à TJ(max)	700	V
ID, impulsion	36	A
RDS(ON), MAX. À VGS=10 V.	340	MΩ
QG	9.6	NF

Informations de marquage

 

Nom du produit	Package	Marquage
OSS65R340DF	TO252	OSS65R340D

 

Valeurs nominales maximales absolues à TJ=25 °C sauf indication contraire
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de la source de vidange	VDS	650	V
Tension de la source de grille	VGS	±30	V
Courant de drain continué1^), TC=25 °C.	ID	12	A
Courant de drain continué1^), TC=100 °C.		7.6
Courant de drain pulsé 2^), TC=25 °C.	ID, impulsion	36	A
Diode continue en forward current1^), TC=25 °C.	EST	12	A
Diode pulse2^), TC=25 °C.	EST, impulsion	36	A
Puissance dissipe3^), TC=25 °C.	PD	83	W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5)	EAS	200	MJ
MOSFET dv/dt robustesse, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diode inverse dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	°C

Caractéristiques thermiques
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	1.5	°C/W
Résistance thermique, ambient4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à TJ=25°C sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension de claquage de la source de vidange	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		700				VGS=0 V, ID=250 μA, TJ=150 °C.
Tension seuil de grille	VGS(TH)	2.9		3.9	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Résistance à l'état on de la source de vidange	RDS(ON)		0.30	0.34	Ω	VGS=10 V, ID=6 A
			0.73			VGS=10 V, ID=6 A, TJ=150 °C.
Courant de fuite de la source de grille	IGS			100	N/a	VGS = 30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Courant de fuite de la source de vidange	IDS			1	ΜA	VDS=650 V, VGS=0 V.

Caractéristiques dynamiques

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CISS		443.5		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz
Capacité de sortie	COSS		59.6		PF
Capacité de transfert inverse	FCR		1.7		PF
Délai d'activation	td(on)		22.4		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6 A.
Temps de montée	tr		17.5		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		40.3		ns
Temps de chute	par		7.2		ns

Caractéristiques de charge de grille

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		9.6		NF	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A.
Charge de la source d'entrée	QGS		2.2		NF
Grille de charge de vidange	QGD		4.5		NF
Tension de plateau de grille	Plateau Vplateau		6.5		V

Caractéristiques de la diode corps

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension avant de diode	VSD			1.3	V	EST = 12 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse	trr		236.5		ns	VR=400 V, IS=6 A, Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée	Qrr		2.2		ΜC
Courant de récupération inverse de crête	Irrm		19.1		A

Remarque

1. Courant continu calculé en fonction de la température de jonction maximale autorisée.
2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
4. La valeur de RθJA est mesurée avec l'appareil monté sur une carte FR-4 1 en 2 avec 2 oz. Cuivre, dans un environnement à air fixe avec Ta=25 °C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 mH, TJ de départ=25 °C.