description: | perte de commutation extrêmement faible |
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caractéristiques: | excellente stabilité et uniformité |
applications: | alimentation pc |
industries: | éclairage led |
Paquet de Transport: | Air |
Marque Déposée: | Orientalsemiconductor |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Description générale
OSG90R1K2xF utilise la technologie avancée GreenMOSTM pour fournir un RDS(ON) faible, une faible charge de grille, une commutation rapide et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. Ce dispositif est adapté aux applications de correction active du facteur de puissance et d'alimentation à découpage.
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Nom du produit | Package | Marquage |
OSG65R038HZF | TO247 | OSG65R038HZ |
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
Tension de la source de vidange | VDS | 650 | V |
Tension de la source de grille | VGS | ±30 | V |
Courant de drain continué1), TC=25 °C. | ID |
80 | A |
Courant de drain continué1), TC=100 °C. | 50 | ||
Courant de drain pulsé 2), TC=25 °C. | ID, impulsion | 240 | A |
Diode continue en forward current1), TC=25 °C. | EST | 80 | A |
Diode pulse2), TC=25 °C. | EST, impulsion | 240 | A |
Alimentation 3) ,TC=25 °C. | PD | 500 | W |
Énergie d'avalanche à impulsion unique5) | EAS | 2900 | MJ |
MOSFET dv/dt robustesse, VDS=0…480 V. | dv/dt | 100 | V/ns |
Diode inverse dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID | dv/dt | 50 | V/ns |
Température de fonctionnement et de stockage | Tstg, TJ | -55 à 150 | °C |
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
Résistance thermique, boîtier de jonction | RθJC | 0.25 | °C/W |
Résistance thermique, ambient4) | RθJA | 62 | °C/W |
Paramètre | Symbole | Min. | Type | Max. | Unité | Condition de test |
Tension de claquage de la source de vidange |
BVDSS |
650 | V |
VGS=0 V, ID=2 MA | ||
700 | 770 | VGS=0 V, ID=2 mA, TJ=150 °C. | ||||
Seuil de porte tension |
VGS(TH) | 3.0 | 4.5 | V | VDS=VGS, ID=2 MA | |
Source de vidange résistance à l'état on |
RDS(ON) |
0.032 | 0.038 | Ω |
VGS=10 V, ID=40 A | |
0.083 | VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C. | |||||
Courant de fuite de la source de grille | IGS |
100 | N/a |
VGS = 30 V. | ||
-100 | VGS=-30 V. | |||||
Courant de fuite de la source de vidange | IDS | 10 | ΜA | VDS=650 V, VGS=0 V. | ||
Résistance de la grille | RG | 2.1 | Ω | ƒ=1 MHz, drain ouvert |
Paramètre | Symbole | Min. | Type | Max. | Unité | Condition de test |
Capacité d'entrée | CISS | 9276 | PF | VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ = 100 kHz |
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Capacité de sortie | COSS | 486 | PF | |||
Capacité de transfert inverse | FCR | 12.8 | PF | |||
Capacité de sortie effective, liée à l'énergie | Co(er) | 278 | PF | VGS=0 V, VDS=0 V-400 V. |
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Capacité de sortie effective, liée au temps | Co(tr) | 1477 | PF | |||
Délai d'activation | td(on) | 55.9 | ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A. |
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Temps de montée | tr | 121.2 | ns | |||
Délai de mise hors tension | td(désactivé) | 114.2 | ns | |||
Temps de chute | par | 8.75 | ns |
Paramètre | Symbole | Min. | Type | Max. | Unité | Condition de test |
Charge totale de grille | QG | 175.0 | NF | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A. |
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Charge de la source d'entrée | QGS | 40.1 | NF | |||
Grille de charge de vidange | QGD | 76.1 | NF | |||
Tension de plateau de grille | Plateau Vplateau | 6.4 | V |
Paramètre | Symbole | Min. | Type | Max. | Unité | Condition de test |
Tension avant de diode | VSD | 1.3 | V | EST = 80 A, VGS = 0 V. | ||
Temps de récupération inverse | trr | 180 | ns | EST=30 A, Di/dt = 100 A/μs |
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Charge de récupération inversée | Qrr | 1.5 | UC | |||
Courant de récupération inverse de crête | Irrm | 15.2 | A |
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