Commande de moteur de suralimentation entrelacée RoHS systèmes de rectification synchrone Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 commutation rapide et récupération logicielle charge de grille basse MOSFET Fsmos

• Certificat: RoHS
• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• Paquet de Transport: Air
• N° de Modèle.: SFS04R013UGF PDFN5 x 6
• Marque Déposée: Orientalsemiconductor
• Origine: China
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20kkkk/Monthly

Description de Produit

Description générale
Le MOSFET FSMOS® est basé sur la conception unique d'Oriental Semiconductor pour obtenir un RDS(ON) faible, une faible charge de grille, une commutation rapide et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. La série Low Vth est spécialement optimisée pour les systèmes de rectification synchrone à faible tension d'entraînement.


Fonctionnalités

• RDS(ON) et FOM (Figure de mérite) faibles
• Perte de commutation extrêmement faible                                                                  
• Excellente fiabilité et uniformité
• Commutation rapide et récupération logicielle
• Certifié AEC-Q101 pour les applications automobiles

Applications

• Alimentation électrique électronique grand public
• Commande du moteur
• Rectification synchrone
• Convertisseur CC/CC isolé
• Inverseurs

Paramètres de performance clés

 

Paramètre	Valeur	Unité
VDS	40	V
ID, impulsion	600	A
RDS(ON) MAX. @ VGS=10V	1.1	MΩ
QG	118.4	NF

Informations de marquage

 

Nom du produit	Package	Marquage
SFS04R013UGF	PDFN5 x 6	SFS04R013UG

 

 

Valeurs nominales maximales absolues à TJ=25 °C sauf indication contraire
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de la source de vidange	VDS	40	V
Tension source de la grille	VGS	±20	V
Courant de drain continué1^), TC=25 °C.	ID	200	A
Courant de drain pulsé 2^), TC=25 °C.	ID, impulsion	600	A
Diode continue en forward current1^), TC=25 °C.	EST	200	A
Diode pulse2^), TC=25 °C.	EST, impulsion	600	A
Puissance dissipe3^), TC=25 °C.	PD	178	W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5)	EAS	144	MJ
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg, TJ	-55 à 175	°C

Caractéristiques thermiques
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0.84	°C/W
Résistance thermique, ambient4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à TJ=25°C sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension de claquage de la source de vidange	BVDSS	40			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Tension seuil de grille	VGS(TH)	1.2		2.5	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Résistance à l'état on de la source de vidange	RDS(ON)		0.9	1.1	MΩ	VGS=10 V, ID=20 A
Résistance à l'état on de la source de vidange	RDS(ON)		1.5	2.0	MΩ	VGS=6 V, ID=20 A
Courant de fuite de la source de grille	IGS			100	N/a	VGS = 20 V.
				-100		VGS=-20 V.
Courant de fuite de la source de vidange	IDS			1	UA	VDS=40 V, VGS=0 V.
Résistance de la grille	RG		3.2		Ω	ƒ=1 MHz, drain ouvert

Caractéristiques dynamiques

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CISS		5453		PF	VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ = 100 kHz
Capacité de sortie	COSS		1951		PF
Capacité de transfert inverse	FCR		113		PF
Délai d'activation	td(on)		23.9		ns	VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 Ω, ID=40 A.
Temps de montée	tr		16.9		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		80.4		ns
Temps de chute	par		97.7		ns

Caractéristiques de charge de grille

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		85.6		NF	VGS=10 V VDS=40 V, ID=40 A,
Charge de la source d'entrée	QGS		17.6		NF
Grille de charge de vidange	QGD		14.5		NF
Tension de plateau de grille	Plateau Vplateau		3.6		V

Caractéristiques de la diode corps

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension avant de diode	VSD			1.3	V	EST = 20 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse	trr		71.1		ns	VR=40 V, IS=40 A, Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée	Qrr		50.1		NF
Courant de récupération inverse de crête	Irrm		1.2		A

Remarque

1. Courant continu calculé en fonction de la température de jonction maximale autorisée.
2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
4. La valeur de RθJA est mesurée avec l'appareil monté sur la carte FR-4 de 1 in2 avec 2 oz. Cuivre, dans un environnement à air fixe avec Ta=25 °C.

VDD=30 V, VG=10 V, L=0.3 mH, TJ de départ=25 °C.