Faible charge de grille 10µ S tolérance aux courts-circuits 1200V 40A FRD IGBT Trench d′arrêt sur site Ost40n120hmf to-247n intégré

• Manufacturing Technology: Dispositif de Circuit Intégré
• Matériel: Semi-Conducteur Composé
• Type: Semi-Conducteur de Type N
• Paquet: DIP(Dual In－line Package)
• Traitement du Signal: Simulation
• Demande: Pile solaire
• N° de Modèle.: OST40N120HMF TO-247N
• Modèle: Orientalsemi
• Numéro de lot: 2022
• Marque: Orientalsemi
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 35.3x30x37.5/60x23x13
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Origine: China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1kk/Month

Description de Produit

Description générale
OST40N120HMF utilise la technologie brevetée de transistor bipolaire Trident-Gate (TGBTTM) d'Oriental-semi pour fournir un VCE (SAT) extrêmement faible, une faible charge de grille et d'excellentes performances de commutation. Ce dispositif est adapté aux convertisseurs de fréquence de commutation moyenne à haute.

Fonctionnalités

• Technologie TGBTTM avancée
• Excellente perte de conduction et de commutation
• Excellente stabilité et uniformité
• Diode antiparallèle rapide et souple

Applications

• Convertisseurs à induction
• Alimentations sans coupure

Paramètres de performance clés

 

Paramètre	Valeur	Unité
VCES, min. À 25 °C.	1200	V
Température de jonction maximale	175	°C
IC, impulsion	160	A
VCE(sat), type @ VGE=15 V.	1.45	V
QG	214	NF

Informations de marquage

 

Nom du produit	Package	Marquage
OST40N120HMF	TO247	OST40N120HM

 

Valeurs nominales maximales absolues à Tvj=25°C sauf indication contraire
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de l'émetteur du collecteur	VCES	1200	V
Tension de l'émetteur de grille	VGES	±20	V
Tension d'émetteur de grille transitoire, TP≤0,5µs, D<0.001		±25	V
Courant collecteur continu 1^), TC=25ºC	CI	56	A
Courant collecteur continu 1^), TC=100ºC		40	A
Courant du collecteur pulse2^), TC=25ºC	IC, impulsion	160	A
Diode en fort1^), TC=25ºC	SI	56	A
Diode en fort1^), TC=100ºC		40	A
Diode pulse2^), TC=25ºC	SI, Pulse	160	A
Power dissipation3^), TC=25ºC	PD	357	W
Power dissipation3^), TC=100ºC		179	W
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg, Tvj	-55 à 175	°C
Temps de résistance aux courts-circuits VGE=15 V, VCC≤600 V. Nombre autorisé de courts-circuits < 1000 temps entre les courts-circuits :≥1.0 S. Tvj=150 °C.	TSC	10	μs

Caractéristiques thermiques

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique IGBT, boîtier de jonction	RθJC	0.42	°C/W
Résistance thermique de diode, boîtier de jonction	RθJC	0.75	°C/W
Résistance thermique, ambient4)	RθJA	40	°C/W

 

Caractéristiques électriques à Tvj=25°C sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension de claquage collecteur-émetteur	V(BR)CES	1200			V	VGE=0 V, IC=0.5 MA
Tension de saturation collecteur-émetteur	VCE (Sam)		1.45	1.8	V	VGE=15 V, IC=40 A TVJ=25°C.
			1.65		V	VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =125°C.
			1.8			VGE=15 V, IC=40 A, TVJ =175°C.
Porte-émetteur tension de seuil	VGE(TH)	4.8	5.8	6.8	V	VCE=VGE, ID=0.5 MA
Tension avant de diode	VF		1.9	2.1	V	VGE=0 V, IF=40 A TVJ =25°C.
			1.6			VGE=0 V, IF=40 A, TVJ =125°C.
			1.5			VGE=0 V, IF=40 A, TVJ =175°C.
Porte-émetteur courant de fuite	IGES			100	N/a	VCE=0 V, VGE=20 V.
Courant du collecteur de tension de grille nulle	ICES			10	ΜA	VCE=1200V, VGE=0 V.

 

Caractéristiques dynamiques
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CIES		11270		PF	VGE=0 V, VCE=25 V, ƒ = 100 kHz
Capacité de sortie	COE		242		PF
Capacité de transfert inverse	Cres		10		PF
Délai d'activation	td(on)		120		ns	VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=40 A.
Temps de montée	tr		88		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		246		ns
Temps de chute	par		160		ns
Énergie d'activation	EON		3.14		MJ
Couper l'énergie	Eoff		1.02		MJ
Délai d'activation	td(on)		112		ns	VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=20 A.
Temps de montée	tr		51		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		284		ns
Temps de chute	par		148		ns
Énergie d'activation	EON		1.32		MJ
Couper l'énergie	Eoff		0.53		MJ

Caractéristiques de charge de grille
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		214		NF	VGE=15 V, VCC=960 V, IC=40 A.
Charge porte-émetteur	QGE		103		NF
Frais de collecteur de grille	QGC		40		NF

Caractéristiques de la diode corps
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Temps de récupération inverse de diode	trr		293		ns	VR=600 V, IF=40 A, DIF/dt=500 A/μs Tvj = 25°C.
Charge de récupération inverse de diode	Qrr		2.7		ΜC
Courant de récupération inverse de crête de diode	Irrm		25		A

Remarque

1. Courant continu calculé en fonction de la température de jonction maximale autorisée.
2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
4. La valeur de RθJA est mesurée avec l'appareil monté sur la carte FR-4 de 1 in2 avec 2 oz. Cuivre, dans un environnement à air fixe avec Ta=25 °C.

 

Version 1 : dimensions du contour du boîtier TO247-P.

Informations de commande
 

Type de package	Unités/tube	Tubes/boîtier intérieur	Unités/boîtier intérieur	Boîtes intérieures/boîte de carton	Unités/boîte de carton
TO247-P.	30	11	330	6	1980

Informations sur le produit
 

Produit	Package	Sans PB	RoHS	Sans halogène
OST40N120HMF	TO247	oui	oui	oui

Clause de non-responsabilité
Les informations fournies dans le présent document ne sont en aucun cas considérées comme une garantie de conditions ou de caractéristiques. En ce qui concerne les exemples ou les indices donnés dans le présent document, les valeurs typiques énoncées dans le présent document et/ou toute information concernant l'application de l'appareil, Oriental Semiconductor rejette par les présentes toute garantie et responsabilité de quelque nature que ce soit, y compris, sans s'y limiter, les garanties de non-violation des droits de propriété intellectuelle de tout tiers.

Chaîne d'approvisionnement

Déclaration de produit écologique