Mode d′amélioration de transistor à247 Ost120N65hemf Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-480UN VCE (sat) QG-261-1.6V NC N′IGBT de puissance canal-

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• N° de Modèle.: OST120N65HEMF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 35x30x37cm
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Origine: China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1kk/Month

Description de Produit

 Description générale
OST120N65HEMF   utilise     la   technologie brevetée Oriental-Semi   Trident-Gate avancé     (transistor bipolaire à la technologie TGBTTM)  pour  une  très  faible  VCE(sat), faible   charge de grille et d' excellentes  performances de commutation.  Cet  appareil  est  adapté  pour le  milieu  de   gamme haute    les convertisseurs de fréquence de commutation.



Fonctionnalités
        La technologie TGBTTM avancée
      Excellente  conduction  et de   pertes de commutation
      Excellente  stabilité  et de  l'homogénéité
          Diode antiparallèles souple et rapide



Les applications
       Les onduleurs PV
       Convertisseurs d'induction
        Blocs d'alimentation non interruptible



 Les  paramètres de performance clés

Le paramètre	Valeur	Unité
VCES,  min  @ 25°C	650	V
Température de jonction maximum	175	°C
IC, de  pouls	480	Un
VCE(sat), typ  @ VGE=15V	1.6	V
Qg	261	NC

  Cotes  de maximum absolu  Tvj=25°C  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de l'émetteur de collecteur	VCES	650	V
Tension de l'émetteur de la porte	VGES	±20	V
Émetteur de la porte de  tension transitoire, TP≤10µs, d<0,01		±30	V
Courant de collecteur continu1) , TC=25ºC	IC	160	Un
Courant de collecteur continu1) , TC=100ºC		120	Un
Courant de collecteur d'impulsion2) , TC=25ºC	IC, de  pouls	480	Un
Courant direct de diode1) , TC=25ºC	Si	90	Un
Courant direct de diode1) , TC=100ºC		89	Un
Courant pulsé de diode2) , TC=25ºC	Si, de pouls	300	Un
La dissipation de puissance3) , TC=25ºC	PD	536	W
La dissipation de puissance3) , TC=100ºC		268	W
Fonctionnement  et   la température de stockage	Tvj Tstg,	-55 à 175	°C

Les  caractéristiques thermiques

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique de l'IGBT, cas de jonction	RθJC	0.28	°C/W
La diode   résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0.38	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	40	°C/W

 Caractéristiques électriques  à  Tvj  =25°C  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture collecteur-émetteur	V(Br)SCE	650			V	VGE  =0 V, IC  =0,5 mA
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE(sat)		1.60	1.85	V	VGE  =15 V, IC=120 Un Tvj=25 °C
			1.88		V	VGE  =15 V, IC=120 A, Tvj   =125 °C
			2.05			VGE  =15 V, IC=120 A, Tvj   =175 °C
Porte-émetteur de         la tension de seuil	VGE(e)	3.5	4.5	5.5	V	VCE  =VGE , ID =0,5 mA
La diode de  l'avant La tension	VF		2.0	2.2	V	VGE  =0 V, si  =120 A Tvj   =25 °C
			1.90			VGE  =0 V, si  =120 A, Tvj   =125 °C
			1.82			VGE  =0 V, si  =120 A, Tvj   =175 °C
Porte-émetteur  Courant de fuite	IGES			100	NA	VCE  =0 V, VGE=20  V
Courant de collecteur de tension zéro de la porte	Le CIEM			10	Μa	VCE  =650 V, VGE  =0 V

 Les caractéristiques dynamiques

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	Le CIES		15022		PF	VGE=0 V, VCE  =25 V, Ƒ=100 kHz
Capacité de sortie	Centres d'excellence		297		PF
Transfert inverse de  la capacité	Cres		10		PF
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		109		Ns	VGE=15 V, Scr=400 V, RG=10 Ω, IC=120 A
Le temps de montée	Tr		143		Ns
Désactiver le   temps de retard	Td(arrêt)		218		Ns
Temps de chute	Tf		88		Ns
Tourner sur  l'énergie	Eon		6.32		MJ
Couper  l'énergie	Eoff		2.76		MJ
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		98		Ns	VGE=15 V, Scr=400 V, RG=10 Ω, IC=60  A
Le temps de montée	Tr		74		Ns
Désactiver le   temps de retard	Td(arrêt)		252		Ns
Temps de chute	Tf		47		Ns
Tourner sur  l'énergie	Eon		2.17		MJ
Couper  l'énergie	Eoff		0.85		MJ

  Caractéristiques de charge de la porte

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Total des   frais de porte	Qg		261		NC	VGE  =15 V, Scr=520 V, IC=120 A
Porte- charge de l'émetteur	Qge		110		NC
Porte- charge de collecteur	Qgc		58		NC

  Caractéristiques de la diode du corps

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Temps de récupération de la diode de marche arrière	Les DRT		111		Ns	VR  =400 V, Si=120 A, Le diF/dt = 500 A/μs Tvj   = 25 °C
Frais de récupération de la diode de marche arrière	Qrr		920		NC
Pic de   courant de récupération de la diode de marche arrière	Irrm		15		Un

Remarque :
1)    calculée    en se fondant  sur courant continu  maximum  admissible de   température de jonction.
2)     cote de  largeur d'impulsions répétitives;  limitée  par la   température de jonction max..
3)    Pd  est  basée  sur   la température de jonction max., en utilisant  junction-  résistance thermique de cas.



 Informations produit

Produit	Paquet	Pb  libre	RoHS	Sans halogène
OST120N65HEMF	D247	Oui	Oui	Oui

 

L'approvisionnement Chian




Déclaration de produits écologiques