Barrette de LED MOSFET avec RDS faible (ON)

• Certification: RoHS, ISO
• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Installation: Plug-in Triode
• Working Frequency: High Frequency
• Power Level: Medium Power
• Function: Power Triode, Switching Triode
• N° de Modèle.: OSG60R060H4T3ZF TO247-4L
• Structure: NPN
• Material: Silicon
• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• Paquet de Transport: Air
• Spécifications: TO247-4L
• Marque Déposée: Orientalsemiconductor
• Origine: China
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20K/Monthly

Description de Produit

Description du produit

Description générale

Le MOSFET haute tension GreenMOS®  utilise la technologie d'équilibrage de charge pour obtenir une résistance à l'activation exceptionnelle et une charge de grille inférieure. Il est conçu pour minimiser la perte de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et une capacité d'avalanche robuste.
La série GreenMOS® Generic est optimisée pour des performances de commutation extrêmes afin de minimiser la perte de commutation. Il est conçu pour les applications à forte densité de puissance afin de répondre aux normes d'efficacité les plus élevées.


Fonctionnalités

• RDS (ON)  ET  FOM FAIBLES
• Perte de   commutation extrêmement faible  
• Excellente  stabilité  et  uniformité

Applications

•  Alimentation PC
•  Éclairage LED
•  Puissance de télécommunication
•  Alimentation du serveur
•  Chargeur EV
• Solaire/UPS

 

Paramètres de  performance clés  
 

Description générale  
Le   MOSFET haute tension GreenMOS®  utilise  la technologie d'équilibrage de charge pour  obtenir  une résistance à   l'activation exceptionnelle  et  une charge de  grille inférieure .   Il  est  conçu  pour  minimiser   la perte de conduction,  fournir  des  performances de commutation supérieures et  une capacité d'avalanche robuste.
La  série Z de GreenMOS® est intégrée à une diode de récupération rapide (FRD) pour minimiser    le temps de récupération inverse.  Il  convient aux  topologies de commutation résonantes pour  atteindre  une efficacité  supérieure,  une fiabilité supérieure   et  un format plus petit.

Fonctionnalités
.  RDS (ON)  ET  FOM FAIBLES
.  Perte de  commutation extrêmement faible  
.  Excellente stabilité et  uniformité

Applications
.   Éclairage LED
.  Adaptateur
.  Télécommunications
.  Solaire/UPS
.  Serveur

Paramètres de performance clés  



 

Paramètre	Valeur	Unité
VDS	600	V
ID,  impulsion	156	A
RDS(ON),  MAX . À VGS=10 V.	58	MΩ
QG	83	NF

 Informations de marquage
 

Nom du produit	Package	Marquage
OSG60R060H4T3ZF	TO247-4L	OSG60R060H4T3Z

 

  Valeurs nominales maximales absolues  à  TJ=25 °C  sauf  indication contraire  

 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de la source de vidange	VDS	600	V
Tension de la source de grille	VGS	±30	V
Courant de  drain continuel1 )  , TC=25  °C.	ID	52	A
Courant de  drain continuel1 )  , TC=100  °C.		32.8
Courant de  drain pulsé  2)  , TC=25  °C.	ID,  impulsion	156	A
Diode continue  en marche avant  current1)  , TC=25  °C.	EST	52	A
Diode  pulse2 )  , TC=25  °C.	EST,  impulsion	156	A
Puissance  dissipe3)  , TC=25  °C.	PD	440	W
Énergie d'avalanche à impulsion unique4)	EAS	486	MJ
MOSFET  dv/dt  robustesse, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diode inverse  dv/dt, VDS=0…480 V,  ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg, TJ	-55 à  150	°C

Caractéristiques thermiques

 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique,  boîtier de jonction	RθJC	0.28	°C/W
Résistance thermique,  jonction-ambiante	RθJA	62	°C/W

 Caractéristiques électriques  à  TJ=25°C  sauf  indication contraire  
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Source de vidange tension de claquage	BVDSS	600			V	VGS=0 V,  ID=1  MA
Seuil de porte tension	VGS(TH)	3.0		5.0	V	VDS=VGS  ,  ID=1  MA
Source de vidange résistance à l'état on	RDS(ON)		52	58	MΩ	VGS=10 V,  ID=26 A
			129			VGS=10 V,  ID=26 A, TJ = 150  °C.
Source de porte courant de fuite	IGS			100	N/a	VGS = 30 V.
				-  100		VGS=-30 V.
Source de vidange courant de fuite	IDS			10	ΜA	VDS=600 V, VGS=0 V.
Résistance de la grille	RG		2		Ω	ƒ=1  MHz, drain ouvert

Caractéristiques dynamiques
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CISS		4257		PF	VGS = 0 V, VDS=50 V, ƒ = 100  kHz
Capacité de sortie	COSS		210		PF
Capacité de transfert inverse	FCR		3		PF
Capacité de sortie effective,  liée à l'énergie	Co(er)		181		PF	VGS = 0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacité de sortie effective,   liée au temps	Co(tr)		783		PF
Délai d'activation	td(on)		30		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=5  Ω, ID=40 A.
Temps de montée	tr		88		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		65		ns
Temps de chute	par		4		ns

Caractéristiques de charge de grille
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		83		NF	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A.
Charge de la source d'entrée	QGS		27		NF
Grille de charge de vidange	QGD		29		NF
Tension de plateau de grille	Plateau Vplateau		7.4		V

Caractéristiques de la diode corps
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension avant de diode	VSD			1.3	V	EST=52 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse	trr		172		ns	VR  =400 V, EST=40 A, Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée	Qrr		911		NF
Courant de  récupération inverse de crête	Irrm		9.2		A

Remarque
1)   courant continu calculé  en fonction    de la température de jonction maximale autorisée.  2)   valeur  nominale répétitive ;  largeur d'impulsion  limitée  par  la température de jonction maximale.
3)   le PD  est  basé sur  la température de jonction maximale,  en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.  4)    VDD=100 V, VGS=10 V,  L=75  mH, TJ de départ =25  °C.