Éclairage par LED de puissance PC Telecom le pouvoir d′220 OSG60R180PF VDS-650V ID-60un RDS (ON) -180milliohm Qg-23.3nc Mode d′amélioration de transistor MOSFET de puissance à canal N

• certificat: RoHS, ISO
• Forme: Porcelaine Métal Tube
• Type de Blindage: Télécommande Cut-Off Blindage Tube
• Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi
• Fonction: Commutateur Transistor
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• N° de Modèle.: TO220 OSG60R180PF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Niveau d′énergie: Haute puissance
• Matériel: Silicium
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 35x30x37cm
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Origine: Chine
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1kk/Month

Description de Produit

Description générale

Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie de l'équilibre de charge pour obtenir d'excellents faible résistance et de charge inférieur de porte. Elle est conçue pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieure et une solide capacité d'avalanche.
La série générique GreenMOS® est optimisé pour les performances de commutation extrême afin de minimiser les pertes de commutation. Il est adapté pour les applications haute densité de puissance pour satisfaire aux plus hautes normes d'efficacité.
 

Fonctionnalités

• Faible RDS(ON) &  FOM
• Extrêmement faibles  pertes de commutation
• Excellente stabilité et de  l'homogénéité

 

Les applications

•  Alim PC
• D'éclairage LED
• Telecom  power
•  Alimentation du serveur
• Chargeur de EV
• Solaire/UPS

 

Les paramètres de performance clés

 

Le paramètre	Valeur	Unité
VDS, min @ Tj(max)	650	V
ID, pulse	60	Un
RDS(ON) , MAX @ VGS=10V	180	MΩ
Qg	23.3	NC

Marquage des informations

 

Nom du produit	Paquet	Le marquage
OSG60R180PF	D220	OSG60R180P

 

 

Cotes de maximum absolu Tj=25°C sauf indication contraire

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de source de vidange	VDS	600	V
Gate-source de tension	VGS	±30	V
Courant de vidange en continu1), TC=25 °C	ID	20	Un
Courant de vidange en continu1), TC=100 °C		12.5
Vidanger le courant pulsé2), TC=25 °C	ID, pulse	60	Un
Diode de l'avant de courant continu1), TC=25 °C	Est	20	Un
Courant pulsé de diode2), TC=25 °C	N'EST, de pouls	60	Un
La dissipation de puissance3), TC=25 °C	PD	151	W
L'énergie pulsée unique avalanche5)	La fonction EAS	600	MJ
Le MOSFET de robustesse dv/dt, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Diode de marche arrière dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	Dv/dt	15	V/ns
Fonctionnement et la température de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	°C

 

Les caractéristiques thermiques

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0.82	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à Tj=25°C sauf indication contraire

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	600			V	VGS=0 V, ID=250 uA
		650				VGS=0 V, ID=250 uA, Tj=150 °C
Seuil de porte La tension	VGS(th)	2		4	V	VDS=VGS, ID=250 uA
Drain-source sur- résistance de l'état	RDS(ON)		0.15	0,18	Ω	VGS=10 V, ID=10 A
			0.38			VGS=10 V, ID=10 A, Tj=150 °C
Porte-source courant de fuite	IGSS			100	NA	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Source de courant de fuite de vidange	Les IDS			1	Μa	VDS=600 V, VGS=0 V

 

Les caractéristiques dynamiques

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	Ciss		1440		PF	VGS=0 V, VDS=50  V, Ƒ=1  MHz
Capacité de sortie	Coss		105		PF
Transfert inverse de la capacité	Sir		3.94		PF
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		40,3		Ns	VGS=10 V, VDS=480 V, RG=25 Ω, ID=20 A
Le temps de montée	Tr		49.3		Ns
Désactiver le temps de retard	Td(arrêt)		60		Ns
Temps de chute	Tf		59,2		Ns

Caractéristiques de charge de la porte

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Total des frais de porte	Qg		23.3		NC	VGS=10 V, VDS=480 V, ID=20 A
Porte-charge source	Qgs		6.6		NC
Gate-frais de vidange	Qgd		8.3		NC
Plateau de la porte de la tension	Vplateau		5.6		V

Caractéristiques de la diode du corps

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Diode de la tension de marche avant	VSD			1.4	V	Est de=20 A, VGS=0 V
Le temps de récupération de marche arrière	Les DRT		367,2		Ns	VR = 400 V, est de=20 A, Di/dt = 100 A/μs
Frais de récupération de marche arrière	Qrr		4.2		ΜC
Pic de courant de récupération de marche arrière	Irrm		24.3		Un

Remarque :

1. Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
2. Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la  température de jonction max..
3. Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction- résistance thermique de cas.
4. La  valeur  de  RθJA  est  mesurée  avec  le  périphérique  monté  sur  1  en  2  FR-4  carte  avec  2oz.  Le cuivre, dans un environnement de l'air encore avec TA=25  °C.
5. La DMV=150 V, VGS=10 V, L=10,8 mH, démarrage Tj=25  °C.

Informations de commande

 

Type de paquet	Unités/ tube	Tubes/ boîte intérieure	Unités/ boîte intérieure	Les boîtes de intérieure/ boîte en carton	Unités/ boîte en carton
À220-P	50	20	1000	6	6000

Informations produit
 

Produit	Paquet	Pb libre	RoHS	Sans halogène
OSG60R180PF	D220	Oui	Oui	Oui

 

Chaîne d'approvisionnement

Déclaration de produits écologiques