Boîtier TO252 de systèmes photovoltaïques MOSFET de puissance Osg80r900df canal N 800 W 900 V.

• certificat: RoHS, ISO
• Forme: Porcelaine Métal Tube
• Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube
• Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi
• Fonction: Commutateur Transistor
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• N° de Modèle.: OSG80R900DF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Plastic Transistor Sealed
• Niveau d′énergie: Puissance moyenne
• Matériel: Silicium
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 35x30x37cm
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Origine: China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1K/Month

Description de Produit

Description du produit

Description générale
Le MOSFET haute tension utilise la technologie d'équilibrage de charge pour obtenir une résistance à l'activation exceptionnelle et une charge de grille inférieure. Il est conçu pour minimiser la perte de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et une capacité d'avalanche robuste. La série Generic est optimisée pour des performances de commutation extrêmes afin de minimiser la perte de commutation. Il est conçu pour les applications à forte densité de puissance afin de répondre aux normes d'efficacité les plus élevées.

Fonctionnalités
      RDS (ON) ET  FOM FAIBLES
      Perte de   commutation extrêmement faible  
      Excellente  stabilité  et  uniformité

Applications
       Éclairage LED
     Puissance de télécommunication
      Solaire/UPS
      Puissance de serveur
   Alimentation PC
   Chargeur EV
 

Chaîne d'approvisionnement

Déclaration de produit écologique