L′éclairage RoHS convertisseur flyback auxiliaire d′un commutateur Opologie OSG90r1k2FF à220f MOSFET de puissance haute tension

• Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique
• Matériel: Semi-Conducteur d′Élément
• Type: Semi-Conducteur de Type N
• Paquet: SMD
• Traitement du Signal: Analogique composite numérique et fonction
• Demande: Mesure de la température
• N° de Modèle.: OSG90R1K2FF TO220F
• Modèle: ULN2003
• Numéro de lot: 2010+
• Marque: Semi Oriental
• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• Paquet de Transport: Air
• Marque Déposée: Orientalsemiconductor
• Origine: China
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20kkkk/Monthly

Description de Produit

Description générale
OSG90R1K2xF GreenMOSTM utilisation avancée de la technologie pour fournir une faible RDS(ON), une faible charge de grille, une commutation rapide et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. Cet appareil est adapté pour une correction du facteur de puissance active et d'alimentation, mode de commutation des applications.


Caractéristiques                                         Applications

1. Faible RDS(on) & FOM l'                                             éclairage
2. Extrêmement faibles pertes de commutation                               disque PWM de commutation
3. Excellente stabilité et de l'uniformité               d'alimentation du serveur
4. Facile à conduire                              le chargeur

Les paramètres de performance clés
 

1. 1. Cotes de maximum absolu Tj=25ºC sauf indication contraire

 

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension drain-source	VDS	900	V
Tension source de la porte	VGS	±30	V
Courant de vidange en continu^1), TC=25 ºC	ID	5	Un
Courant de vidange en continu^1), TC=100 ºC		3.2
Vidanger le courant pulsé^2), TC=25 ºC	ID, pulse	15	Un
La dissipation de puissance3) pour d'251, à262, TC=25 ºC	PD	83	W
La dissipation de puissance^3) pour D220F, TC=25 ºC		31
L'énergie pulsée unique avalanche5)	La fonction EAS	211	MJ
Le MOSFET de robustesse dv/dt, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Diode de marche arrière dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	Dv/dt	15	V/ns
Fonctionnement et la température de stockage	Tstg,tj	-55 à 150	ºC

 

 

1. &Bsp; des caractéristiques thermiques

 

Le paramètre	Symbole	Valeur		Unité
		D251/D262	D220F
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	1.5	4.0	ºC/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	62	62,5	ºC/W

1. Caractéristiques électriques à Tj=25 ºC, sauf indication contraire

 

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	900			V	VGS=0 V, ID=250 μA
		960	1070			VGS=0 V, ID=250 μA, Tj=150 ºC
Tension de seuil de porte	VGS(th)	2.0		4.0	V	VDS=VGS, ID=250 μA
Drain-source sur la résistance à l'état	RDS(ON)		1.0	1.2	Ω	VGS=10 V, ID=2 A
			2.88			VGS=10 V, ID=2 A, Tj=150 ºC
Porte-source courant de fuite	IGSS			100	NA	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Source de courant de fuite de vidange	Les IDS			10	Μa	VDS=900 V, VGS=0 V

1. Les caractéristiques dynamiques

 

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	Ciss		874.2		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, F = 100 kHz
Capacité de sortie	Coss		37,5		PF
Transfert inverse de la capacité	Sir		1.7		PF
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		33.23		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=33 Ω, ID=5 A
Le temps de montée	Tr		26.50		Ns
Désactiver le temps de retard	Td(arrêt)		44.00		Ns
Temps de chute	Tf		17.63		Ns

 

 

1. Caractéristiques de charge de la porte

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Total des frais de porte	Qg		12.50		NC	ID=5 Un, VDS=400 V, VGS=10 V
Porte-charge source	Qgs		3.75		NC
Gate-frais de vidange	Qgd		4.28		NC
Plateau de la porte de la tension	Vplateau		5.8		V

1. Caractéristiques de la diode du corps

 

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
La diode courant de marche avant	Est			5	Un	VGS<ve
Source de courant pulsé	Fai			15
Diode de la tension de marche avant	VSD			1.3	V	Est de=5 A, VGS=0 V
Le temps de récupération de marche arrière	Les DRT		265.87		Ns	VR = 400 V, est de=5 A, Di/dt = 100 A/μs
Frais de récupération de marche arrière	Qrr		2.88		ΜC
Pic de courant de récupération de marche arrière	Irrm		19.51		Un

1. Remarque :

 

1. Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
2. Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la température de jonction max..
3. Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction-résistance thermique de cas.
4. La valeur de RθJA est mesurée avec le périphérique monté sur 1 en 2 FR-4 carte avec 2oz. Le cuivre, dans un environnement de l'air encore avec TA=25 ºC.
5. La DMV=100 V, RG=47 Ω, L=10 mH, démarrage Tj=25 ºC.

Marquage des informations
 

Nom du produit	Paquet	Le marquage
OSG65R038HZF	D247	OSG65R038Hz

Cotes de maximum absolu Tj=25°C sauf indication contraire
 

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de source de vidange	VDS	650	V
Gate-source de tension	VGS	±30	V
Courant de vidange en continu^1), TC=25 °C	ID	80	Un
Courant de vidange en continu^1), TC=100 °C		50
Vidanger le courant pulsé^2), TC=25 °C	ID, pulse	240	Un
Diode de l'avant de courant continu^1), TC=25 °C	Est	80	Un
Courant pulsé de diode^2), TC=25 °C	N'EST, de pouls	240	Un
La dissipation de puissance^3)  ,TC=25  °C	PD	500	W
L'énergie pulsée unique avalanche5)	La fonction EAS	2900	MJ
Le MOSFET de robustesse dv/dt, VDS=0…480 V	Dv/dt	100	V/ns
Diode de marche arrière dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	Dv/dt	50	V/ns
Fonctionnement et la température de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	°C

Les caractéristiques thermiques
 

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0.25	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à Tj=25°C sauf indication contraire

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 mA
		700	770			VGS=0 V, ID=2 mA, Tj=150 °C
Seuil de porte La tension	VGS(th)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 mA
Source de vidange Résistance à l'état	RDS(ON)		0,032	0,038	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0,083			VGS=10 V, ID=40 A, Tj=150 °C
Porte-source courant de fuite	IGSS			100	NA	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Source de courant de fuite de vidange	Les IDS			10	Μa	VDS=650 V, VGS=0 V
Résistance de la porte	RG		2.1		Ω	Ƒ=1 MHz, drain ouvert

Les caractéristiques dynamiques

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	Ciss		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, Ƒ=100 kHz
Capacité de sortie	Coss		486		PF
Transfert inverse de la capacité	Sir		12.8		PF
Capacité de sortie efficace, l'énergie liées	Co(er)		278		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V
Capacité de sortie efficace, l'heure liées	Co(tr)		1477		PF
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		55,9		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG = 2 Ω, ID=40 A
Le temps de montée	Tr		121,2		Ns
Désactiver le temps de retard	Td(arrêt)		114.2		Ns
Temps de chute	Tf		8.75		Ns

Caractéristiques de charge de la porte

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Total des frais de porte	Qg		175,0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Porte-charge source	Qgs		40.1		NC
Gate-frais de vidange	Qgd		76.1		NC
Plateau de la porte de la tension	Vplateau		6.4		V

Caractéristiques de la diode du corps

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Diode de la tension de marche avant	VSD			1.3	V	Est de=80 A, VGS=0 V
Le temps de récupération de marche arrière	Les DRT		180		Ns	Est de=30 A, Di/dt = 100 A/μs
Frais de récupération de marche arrière	Qrr		1.5		UC
Pic de courant de récupération de marche arrière	Irrm		15.2		Un

Remarque :

1. Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
2. Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la température de jonction max..
3. Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction-résistance thermique de cas.
4. La valeur de RθJA est mesurée avec le périphérique monté sur 1 en 2 FR-4 carte avec 2oz. Le cuivre, dans un environnement de l'air encore avec TA=25 °C.
5. La DMV=300 V, VGS=10 V, L=40 mH, démarrage Tj=25 °C.