• Le mode de commutation d′alimentation FS04R011ugnf Mosfet Pdfn5X6
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Le mode de commutation d′alimentation FS04R011ugnf Mosfet Pdfn5X6

Application: Camion, un camion, Voiture, Mini-voiture, Microbus
certificat: ISO, RoHS
Tension: 40V
Source de courant: Batterie
Type: Voiture électrique Chauffage Cup
description: perte de commutation extrêmement faible

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Info de Base.

N° de Modèle.
SFS04R011UGNF PDFN5x6
caractéristiques
excellente stabilité et uniformité
applications1
chargeur pd
applications2
pilote de moteur
applications 3
régulateur de tension de commutation
applications 4
convertisseur cc-cc
applications 5
alimentation à découpage
Paquet de Transport
Carton
Spécifications
35x30x37cm
Marque Déposée
Orientalsemiconductor
Origine
China
Code SH
854129000
Capacité de Production
20kkkk/Monthly

Description de Produit

Description générale
MOSFET FSMOS® est basé sur l'Oriental Semiconductor Design de périphérique unique pour atteindre un faible RDS(ON), une faible charge de grille, une commutation rapide et d'excellentes caractéristiques d'avalanche. Le haut Vth série est spécialement conçu pour une utilisation dans les systèmes de commande du moteur avec la conduite de la tension de plus de 10V.

Fonctionnalités
  • Faible RDS(on) & FOM (figure de mérite)
  • Extrêmement faibles pertes de commutation
  • Une excellente fiabilité et l'uniformité
  • Commutation rapide et de récupération soft
  • AEC-Q101 qualifiés pour les applications automobiles

Les applications
  • Chargeur de PD
  • Excitateur de moteur
  • Régulateur de tension de commutation
  • Convertisseur DC-DC
  • Alimentation en mode de commutation


Les paramètres de performance clés

 
Le paramètre Valeur Unité
VDS 40 V
ID, pulse 800 Un
RDS(ON), max @ VGS=10V 1.1
Qg 75,9 NC

Marquage des informations

 
Nom du produit Paquet Le marquage
SFS04R011UGNF PDFN5×6 SFS04R011L'UGN
 
Cotes de maximum absolu Tj=25°C sauf indication contraire
 
Le paramètre Symbole Valeur Unité
Tension de source de vidange VDS 40 V
Gate-source de tension VGS ±20 V
Courant de vidange en continu1), TC=25 °C ID 200 Un
Vidanger le courant pulsé2), TC=25 °C ID, pulse 800 Un
Diode de l'avant de courant continu1), TC=25 °C Est 200 Un
Courant pulsé de diode2), TC=25 °C N'EST, de pouls 800 Un
La dissipation de puissance3), TC=25 °C PD 202 W
L'énergie pulsée unique avalanche5) La fonction EAS 240 MJ
Fonctionnement et la température de stockage Tstg, TJ -55 à 175 °C

Les caractéristiques thermiques
 
Le paramètre Symbole Valeur Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction RθJC 0.74 °C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4) RθJA 62 °C/W

Caractéristiques électriques à Tj=25°C sauf indication contraire
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Tension de rupture de source de vidange BVDSS 40     V VGS=0 V, ID=250 μA
Tension de seuil de porte VGS(th) 2.0   4.0 V VDS=VGS, ID=250 μA
Drain-source sur- résistance de l'état RDS(ON)   1.0 1.1 VGS=10 V, ID=20 A
Porte-source courant de fuite
IGSS
    100
NA
VGS=20 V
    -100 VGS=-20 V
Source de courant de fuite de vidange Les IDS     1 Μa VDS=40 V, VGS=0 V
Résistance de la porte RG   3.2   Ω Ƒ=1 MHz, drain ouvert

Les caractéristiques dynamiques
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Capacité d'entrée Ciss   5453   PF
VGS=0 V, VDS=25 V,
Ƒ=100 kHz
Capacité de sortie Coss   1951   PF
Transfert inverse de la capacité Sir   113   PF
Temps de retard de mise sous tension Td(le)   17,5   Ns
VGS=10 V, VDS=40 V, RG = 2 Ω, ID=40 A
Le temps de montée Tr   25.2   Ns
Désactiver le temps de retard Td(arrêt)   48.2   Ns
Temps de chute Tf   25.7   Ns

Caractéristiques de charge de la porte
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Total des frais de porte Qg   75,9   NC

VGS=10 V, VDS=40 V, ID=40 A
Porte-charge source Qgs   25   NC
Gate-frais de vidange Qgd   15.3   NC
Plateau de la porte de la tension Vplateau   4.9   V

Caractéristiques de la diode du corps
Le paramètre Symbole Min. Typ. Max. Unité Condition de test
Diode de la tension de marche avant VSD     1.3 V Est de=20 A, VGS=0 V
Le temps de récupération de marche arrière Les DRT   61,4   Ns
VR = 40 V, est de=40 A
Di/dt = 100 A/μs
Frais de récupération de marche arrière Qrr   86   NC
Pic de courant de récupération de marche arrière Irrm   2.7   Un

Remarque :
  1. Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
  2. Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la température de jonction max..
  3. Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction-résistance thermique de cas.
  4. La valeur de RθJA est mesurée avec le périphérique monté sur 1 en2 FR-4 carte avec 2oz. Le cuivre, dans un environnement de l'air encore avec TA=25 °C.
  5. La DMV=30 V,VGS=10 V, L = 0,3 mH, démarrage Tj=25 °C.






 
 
Switching Mode Power Supply Sfs04r011ugnf Pdfn5X6 Mosfet
 
Switching Mode Power Supply Sfs04r011ugnf Pdfn5X6 MosfetSwitching Mode Power Supply Sfs04r011ugnf Pdfn5X6 MosfetSwitching Mode Power Supply Sfs04r011ugnf Pdfn5X6 MosfetSwitching Mode Power Supply Sfs04r011ugnf Pdfn5X6 MosfetSwitching Mode Power Supply Sfs04r011ugnf Pdfn5X6 Mosfet

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