Diode de récupération rapide VDS 650 V RDS99mΩ Telecom Power

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Silicon Wafers
• Type: Fast EV Charging Station
• Package: To247
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Application: alimentation pc
• N° de Modèle.: OSG65R099HSZAF
• Model: Osg65r099hszaf
• Batch Number: 2024
• Brand: Orientalsemi
• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• certification: ISO, TUV, RoHS
• garantie: 24 mois
• Paquet de Transport: Air
• Marque Déposée: Orientalsemiconductor
• Origine: China
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20kkkk/Monthly

Description de Produit

Description du produit

Description générale

Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie d'équilibrage de charge pour obtenir une résistance à l'activation exceptionnelle et une charge de grille inférieure. Il est conçu pour minimiser la perte de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et une capacité d'avalanche robuste.
La série Z de GreenMOS® est intégrée à une diode de récupération rapide (FRD) pour minimiser le temps de récupération inverse. Il convient aux topologies de commutation résonantes pour atteindre une efficacité supérieure, une fiabilité supérieure et un format plus petit.

Fonctionnalités                                                                                                    

• RDS(on) et FOM faibles
• Perte de commutation extrêmement faible
• Excellente stabilité et uniformité
• Diode corps ultra-rapide et robuste
• Certifié AEC-Q101 pour les applications automobiles

Applications

• Alimentation PC
• Puissance de télécommunication
• Alimentation du serveur
• Chargeur EV
• Pilote de moteur

Paramètres de performance clés

 

Paramètre	Valeur	Unité
VDS	650	V
ID, impulsion	96	A
RDS(ON), MAX. À VGS=10 V.	99	MΩ
QG	66.6	NF

Informations de marquage

 

Nom du produit	Package	Marquage
OSG65R099HSZAF	TO247	OSG65R099HSZA

Le test HTRB a été effectué à 600 V plus strictement que le test AEC-Q101 rev.C (80 % V(BR)DSS). Tous les autres tests ont été effectués conformément à la norme AEC Q101 rév. E.

 

Valeurs nominales maximales absolues à TJ=25 °C sauf indication contraire
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de la source de vidange	VDS	650	V
Tension de la source de grille	VGS	±30	V
Courant de drain continué1^), TC=25 °C.	ID	32	A
Courant de drain continué1^), TC=100 °C.		20
Courant de drain pulsé 2^), TC=25 °C.	ID, impulsion	96	A
Diode continue en forward current1^), TC=25 °C.	EST	32	A
Diode pulse2^), TC=25 °C.	EST, impulsion	96	A
Alimentation  3^)  ,TC=25  °C.	PD	278	W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5)	EAS	648	MJ
MOSFET dv/dt robustesse, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diode inverse dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	°C

Caractéristiques thermiques
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0.45	°C/W
Résistance thermique, ambient4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à TJ=25°C sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension de claquage de la source de vidange	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=1 MA
Tension seuil de grille	VGS(TH)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=1 MA
Résistance à l'état on de la source de vidange	RDS(ON)		0.090	0.099	Ω	VGS=10 V, ID=16 A
			0.21			VGS=10 V, ID=16 A, TJ=150 °C.
Courant de fuite de la source de grille	IGS			100	N/a	VGS = 30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Courant de fuite de la source de vidange	IDS			10	ΜA	VDS=650 V, VGS=0 V.
Résistance de la grille	RG		7.8		Ω	ƒ=1 MHz, drain ouvert

Caractéristiques dynamiques

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CISS		3988		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ = 100 kHz
Capacité de sortie	COSS		210		PF
Capacité de transfert inverse	FCR		7.4		PF
Capacité de sortie effective, liée à l'énergie	Co(er)		124		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacité de sortie effective, liée au temps	Co(tr)		585		PF
Délai d'activation	td(on)		46.0		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=20 A.
Temps de montée	tr		60.3		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		93.0		ns
Temps de chute	par		3.7		ns

Caractéristiques de charge de grille

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		66.6		NF	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=20 A.
Charge de la source d'entrée	QGS		20.6		NF
Grille de charge de vidange	QGD		24.8		NF
Tension de plateau de grille	Plateau Vplateau		6.7		V

Caractéristiques de la diode corps

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension avant de diode	VSD			1.3	V	EST = 32 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse	trr		151.7		ns	EST=20 A, Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée	Qrr		1.0		ΜC
Courant de récupération inverse de crête	Irrm		12.3		A

Remarque

1. Courant continu calculé en fonction de la température de jonction maximale autorisée.
2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 mH, TJ de départ=25 °C.