Amélioration de transistor à220f OSG65R290FF VDS-700V ID-45un RDS (ON) milliohm -290Qg-18nc pour alimentation du serveur EV Chargeur solaire/UPS MOSFET de puissance à canal N

• certificat: RoHS, ISO
• Forme: Porcelaine Métal Tube
• Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube
• Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi
• Fonction: Commutateur Transistor
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• N° de Modèle.: TO220F OSG65R290FF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Niveau d′énergie: Haute puissance
• Matériel: Silicium
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 35x30x37cm
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Origine: China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1kk/Month

Description de Produit

 Description générale
Le     MOSFET haute tension GreenMOS®  utilise    la technologie de l'équilibre de charge  pour  obtenir d' excellents faible  résistance  et de    charge inférieur de porte.  Elle  est  conçue  pour  minimiser les   pertes de conduction, fournir des   performances de commutation supérieure  et  une solide   capacité d'avalanche.
La       série générique GreenMOS®   est   optimisé   pour les       performances de commutation extrême   afin de   minimiser les   pertes de commutation.  Il   est  adapté  pour       les applications haute densité de puissance  pour   satisfaire  aux   plus hautes   normes d'efficacité.

Fonctionnalités
      Faible  RDS(on) & FOM
      Extrêmement  faibles   pertes de commutation
      Excellente  stabilité  et de  l'homogénéité

Les applications
       Alim PC
       D'éclairage LED
      Telecom  power
       Alimentation du serveur
       Chargeur de EV
      Solaire/UPS

 Les  paramètres de performance clés

Le paramètre	Valeur	Unité
VDS, min  @ Tj(max)	700	V
ID,  pulse	45	Un
RDS(ON) , MAX  @ VGS  =10V	290	MΩ
Qg	18	NC

  Cotes  de maximum absolu  Tj  =25°C  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de source de vidange	VDS	650	V
Gate-source de  tension	VGS	±30	V
Courant de vidange en continu1) , Tc=25 °C	ID	15	Un
Courant de vidange en continu1) , TC=100 °C		9.3
Vidanger le  courant pulsé2) , Tc=25 °C	ID,  pulse	45	Un
Courant direct de diode continu1) , Tc=25 °C	Est	15	Un
Courant pulsé de diode2) , Tc=25 °C	N'EST, de pouls	45	Un
La dissipation de puissance3) , Tc=25 °C	PD	32	W
L'énergie pulsée unique avalanche5)	La fonction EAS	400	MJ
Le MOSFET de   robustesse dv/dt, VDS  =0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Diode de marche arrière  dv/dt, VDS  =0…480 V, ISD≤ID	Dv/dt	15	V/ns
Fonctionnement  et   la température de stockage	Tstg  , TJ	-55 à 150	°C

 Caractéristiques électriques  à  Tj  =25°C  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	650			V	VGS  =0 V, ID  =250 μA
		700	770			VGS  =0 V, ID  =250 μA, TJ  =150 °C
Seuil de porte La tension	VGS(th)	2.0		4.0	V	VDS  =VGS , ID =250 μA
Drain-source  sur-   résistance de l'état	RDS(ON)		0.26	0,29	Ω	VGS  =10 V, ID=7,5  A
			0,68			VGS  =10 V, ID=7,5 A, TJ  =150 °C
Porte-source  Courant de fuite	IGSS			100	NA	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30 V
Source de vidange  Courant de fuite	Les IDS			1	Μa	VDS  =650 V, VGS  =0 V

Remarque :
1)    calculée    en se fondant  sur courant continu  maximum  admissible de   température de jonction.
2)     cote de  largeur d'impulsions répétitives;  limitée  par la   température de jonction max..
3)    Pd  est  basée  sur   la température de jonction max., en utilisant  junction-  résistance thermique de cas.
4)     La  valeur  de  RθJA  est  mesurée  avec  le  périphérique  monté  sur 1 en 2 FR-4 carte  avec 2oz. Le cuivre, dans  un    environnement de l'air encore  avec  TA=25 °C.
5)     La DMV=100 V, VGS  =10 V, L=20 mH, démarrage  Tj  = 25 °C.

 Informations de commande

Paquet Type	Unités/ Le tube	Tubes/    boîte intérieure	Unités/     boîte intérieure	Les boîtes de intérieure/  boîte en carton	Unités/      boîte en carton
D220F-C	50	20	1000	6	6000

 Informations produit
 

Produit	Paquet	Pb  libre	RoHS	Sans halogène
OSG65R290FF	D220F	Oui	Oui	Oui

Chaîne d'approvisionnement

Déclaration de produits écologiques