Amélioration de transistor à247 OSG60R074hszf Vds-650V ID-141un RDS (ON) -74milliohm Qg-66.8nc pour excitateur de moteur EV Chargeur MOSFET de puissance à canal N

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• N° de Modèle.: TO247 OSG60R074HSZF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 35cm x 37cm x 30cm
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Origine: China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1kk/Month

Description de Produit

 Description générale
Le     MOSFET haute tension GreenMOS®  utilise    la technologie de l'équilibre de charge  pour  obtenir d' excellents faible  résistance  et de    charge inférieur de porte.  Elle  est  conçue  pour  minimiser les   pertes de conduction, fournir des   performances de commutation supérieure  et  une solide   capacité d'avalanche.
La   série Z GreenMOS®  est  intégré  à  la  récupération rapide de la  diode (DRA) afin de  minimiser   le temps de récupération de marche arrière.  Il  est  approprié  pour    les topologies de commutation de résonance  pour  atteindre  une plus grande  efficacité, une  fiabilité accrue  et plus petit   facteur de forme.

Fonctionnalités
      Faible  RDS(ON) &  FOM
      Extrêmement  faibles   pertes de commutation
      Excellente  stabilité  et de  l'homogénéité
      Ultra-rapide  et  robuste de la   diode du corps

Les applications
       Alim PC
      Telecom  power
       Alimentation du serveur
       Chargeur de EV
      Excitateur de moteur  

 Les  paramètres de performance clés

Le paramètre	Valeur	Unité
VDS, min  @ Tj(max)	650	V
ID,  pulse	141	Un
RDS(ON), max  @ VGS  =10V	74	MΩ
Qg	66.8	NC

  Cotes  de maximum absolu  Tj  =25°C  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de source de vidange	VDS	600	V
Gate-source de  tension	VGS	±30	V
Courant de vidange en continu1) , Tc=25 °C	ID	47	Un
Courant de vidange en continu1) , TC=100 °C		30
Vidanger le  courant pulsé2) , Tc=25 °C	ID,  pulse	141	Un
Courant direct de diode continu1) , Tc=25 °C	Est	47	Un
Courant pulsé de diode2) , Tc=25 °C	N'EST, de pouls	141	Un
La dissipation de puissance3) , Tc=25 °C	PD	278	W
L'énergie pulsée unique avalanche5)	La fonction EAS	1000	MJ
Le MOSFET de   robustesse dv/dt, VDS  =0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Diode de marche arrière  dv/dt, VDS  =0…480 V, ISD≤ID	Dv/dt	50	V/ns
Fonctionnement  et   la température de stockage	Tstg  , TJ	-55 à 150	°C

Les  caractéristiques thermiques
 

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0,45	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	62	°C/W

 Caractéristiques électriques  à  Tj  =25°C  sauf  indication contraire  
 

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture de source de vidange	BVDSS	600			V	VGS  =0 V, ID  =1 mA
		650				VGS  =0 V, ID  =1 mA, Tj  =150 °C
Seuil de porte La tension	VGS(th)	3.0		4.5	V	VDS  =VGS  , ID  =1 mA
Drain-source  sur-   résistance de l'état	RDS(ON)		0,066	0,074	Ω	VGS  =10 V, ID=23,5  A
			0.16			VGS  =10 V, ID=23,5 A, TJ  =150 °C
Porte-source  Courant de fuite	IGSS			100	NA	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30 V
Source de vidange  Courant de fuite	Les IDS			10	Μa	VDS  =600 V, VGS  =0 V
Résistance de la porte	RG		8		Ω	Ƒ=1 MHz  , drain ouvert

 Les caractéristiques dynamiques
 

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	Ciss		3982		PF	VGS  =0  V, VDS  =50 V, Ƒ=100 KHz
Capacité de sortie	Coss		354		PF
Transfert inverse de  la capacité	Sir		9.3		PF
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		48.3		Ns	VGS  =10 V, VDS  =400 V, RG = 2 Ω, ID=25  A
Le temps de montée	Tr		88		Ns
Désactiver le   temps de retard	Td(arrêt)		89,3		Ns
Temps de chute	Tf		7.2		Ns

  Caractéristiques de charge de la porte
 

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Total des   frais de porte	Qg		66.8		NC	VGS  =10 V, VDS  =400 V, ID=25  A
Porte- charge source	Qgs		24.4		NC
Gate- frais de vidange	Qgd		23.5		NC
Plateau de la porte de  la tension	Vplateau		7.0		V

  Caractéristiques de la diode du corps
 

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Diode de   la tension de marche avant	VSD			1.4	V	Est de=47 A, VGS  =0 V
Le  temps de récupération de marche arrière	Les DRT		158.3		Ns	Est de=25 A, Di/dt = 100 A/μs
Frais de récupération de marche arrière	Qrr		1.1		UC
Pic de    courant de récupération de marche arrière	Irrm		12.5		Un

Remarque :
1)    calculée    en se fondant  sur courant continu  maximum  admissible de   température de jonction.
2)     cote de  largeur d'impulsions répétitives;  limitée  par la   température de jonction max..
3)    Pd  est  basée  sur   la température de jonction max., en utilisant  junction-  résistance thermique de cas.
4)     La  valeur  de  RθJA  est  mesurée  avec  le  périphérique  monté  sur 1 en 2 FR-4 carte  avec 2oz. Le cuivre, dans  un    environnement de l'air encore  avec  TA=25 °C.
5)     La DMV=100 V, VGS  =10 V, L=60 mH, démarrage  Tj  = 25 °C.


 Informations de commande

Paquet Type	Unités/ Le tube	Tubes/    boîte intérieure	Unités/     boîte intérieure	Les boîtes de intérieure/  boîte en carton	Unités/      boîte en carton
À247-C	30	11	330	6	1980
À247-J	30	20	600	5	3000

 Informations produit
 

Produit	Paquet	Pb  libre	RoHS	Sans halogène
OSG60R074HSZF	D247	Oui	Oui	Oui

Chaîne d'approvisionnement

Déclaration de produits écologiques