Transistor mode d′amélioration TO247 Ost30n65hmf Vces-650V température de jonction maximale 175, IC, Pulse-120A VCE (SAT) -1,5V QG-56nc IGBT de puissance canal N

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Subminiature
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• N° de Modèle.: TO247 OST30N65HMF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 35x30x37cm
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Origine: China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1kk/Month

Description de Produit

 Description générale
OST30N65HMF  utilise   la  technologie brevetée Oriental-Semi  Trident-Gate avancé   (transistor bipolaire à la technologie TGBTTM)   pour    une    très    faible   VCE(sat), faible       charge de grille   et d'   excellentes    performances de commutation.  Cet  appareil  est  adapté  pour le  milieu  de   gamme haute    les convertisseurs de fréquence de commutation.


Fonctionnalités
        La technologie TGBTTM avancée
      Excellente  conduction  et de   pertes de commutation
      Excellente  stabilité  et de  l'homogénéité
          Diode antiparallèles souple et rapide



Les applications
       Les onduleurs PV
       Convertisseurs d'induction
        Blocs d'alimentation non interruptible



 Les  paramètres de performance clés

Le paramètre	Valeur	Unité
VCES,  min  @ 25°C	650	V
Température de jonction maximum	175	°C
IC, de  pouls	120	Un
VCE(sat), typ  @ VGE=15V	1.5	V
Qg	56	NC

  Cotes  de maximum absolu  Tvj=25°C  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de l'émetteur de collecteur	VCES	650	V
Tension de l'émetteur de la porte	VGES	±20	V
Émetteur de la porte de  tension transitoire, TP≤10µs, d<0,01		±30	V
Courant de collecteur continu1) , TC=25ºC	IC	42	Un
Courant de collecteur continu1) , TC=100ºC		30	Un
Courant de collecteur d'impulsion2) , TC=25ºC	IC, de  pouls	120	Un
Courant direct de diode1) , TC=25ºC	Si	42	Un
Courant direct de diode1) , TC=100ºC		30	Un
Courant pulsé de diode2) , TC=25ºC	Si, de pouls	120	Un
La dissipation de puissance3) , TC=25ºC	PD	250	W
La dissipation de puissance3) , TC=100ºC		125	W
Fonctionnement  et   la température de stockage	Tvj Tstg,	-55 à 175	°C
Court- circuit de  résister à l' heure VGE  =15 V, VCC≤400  V  Nombre autorisé  de  courts- circuits<1000 Temps  entre les  courts- circuits :≥1,0  s	SC	5	Μs

Les  caractéristiques thermiques

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique de l'IGBT, cas de jonction	RθJC	0,8	°C/W
La diode   résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	1.65	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	40	°C/W

 Caractéristiques électriques  à  Tvj  =25°C  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture collecteur-émetteur	V(Br)SCE	650			V	VGE  =0  V, IC  =0,5 mA
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE(sat)		1.5	1.63	V	VGE  =15 V, IC=30 A Tvj=25 °C
			1.7		V	VGE  =15 V, IC=30 A, Tvj   =125 °C
			1.8			VGE  =15 V, IC=30 A, Tvj   =175 °C
Porte-émetteur de         la tension de seuil	VGE(e)	4	5	6	V	VCE  =VGE , ID =0,5 mA
La diode de  l'avant La tension	VF		1.75	2.05	V	VGE  =0  V, si  =30 A Tvj   =25 °C
			1.64			VGE  =0  V, si  =30 A, Tvj   =125 °C
			1.57			VGE  =0  V, si  =30 A, Tvj   =175 °C
Porte-émetteur  Courant de fuite	IGES			100	NA	VCE  =0 V, VGE=20  V
Courant de collecteur de tension zéro de la porte	Le CIEM			10	Μa	VCE  =650 V, VGE  =0 V

  Caractéristiques de charge de la porte
 

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Total des   frais de porte	Qg		56		NC	VGE  =15 V, Scr=520 V, IC=30  A
Porte- charge de l'émetteur	Qge		27		NC
Porte- charge de collecteur	Qgc		7		NC

Remarque :
1)    calculée    en se fondant  sur courant continu  maximum  admissible de   température de jonction.
2)     cote de  largeur d'impulsions répétitives;  limitée  par la   température de jonction max..
3)    Pd  est  basée  sur   la température de jonction max., en utilisant  junction-  résistance thermique de cas.




 Informations de commande
 

Paquet Type	Unités/ Le tube	Tubes/    boîte intérieure	Unités/     boîte intérieure	Les boîtes de intérieure/  boîte en carton	Unités/      boîte en carton
À247-J	30	20	600	4	2400

 Informations produit

Produit	Paquet	Pb  libre	RoHS	Sans halogène
OST30N65HMF	D247	Oui	Oui	Oui

 

L'approvisionnement Chian




Déclaration de produits écologiques