Mode d′amélioration de transistor à247 Ost50n65HF Vces-650V Maximum température de jonction175, IC, Pulse-200A VCE (sat) -1.4V QG 99nc N′IGBT de puissance canal-

• certificat: RoHS, CE, ISO, CCC
• Forme: Porcelaine Métal Tube
• Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube
• Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi
• Fonction: Commutateur Transistor
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• N° de Modèle.: TO247 OST50N65HF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Niveau d′énergie: Haute puissance
• Matériel: Silicium
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 35x30x37cm
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Origine: China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1kk/Month

Description de Produit

Description générale

OST50N65HF utilise la technologie brevetée Oriental-Semi avancé (transistor bipolaire à Trident-Gate TGBTTM)

La technologie pour offrir extrêmement faible VCE(sat), faible charge de grille, et excellente de la commutation

Les performances. Cet appareil est adapté pour le milieu de gamme haute les convertisseurs de fréquence de commutation.

 

Fonctionnalités

La technologie TGBTTM avancée

Excellente conduction et de pertes de commutation

Excellente stabilité et de l'homogénéité


Les applications
 Convertisseurs d'induction
  Blocs d'alimentation non interruptible  


 Les  paramètres de performance clés

Le paramètre	Valeur	Unité
VCES,  min  @ 25 °C	650	V
Température de jonction maximum	175	°C
IC, de  pouls	150	Un
VCE(sat), typ  @ VGE=15  V	1.6	V
Qg	102	NC

  Cotes  de maximum absolu  Tvj=25 °C,  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de l'émetteur de collecteur	VCES	650	V
Tension de l'émetteur de la porte	VGES	±20	V
Émetteur de la porte de  tension transitoire, TP≤10 µs, d<0,01		±30	V
Courant de collecteur continu1) , Tc=25 °C	IC	80	Un
Courant de collecteur continu1) , TC=100 °C		50	Un
Courant de collecteur d'impulsion2) , Tc=25 °C	IC, de pouls	150	Un
La dissipation de puissance3) , Tc=25 °C	PD	270	W
La dissipation de puissance3) , TC=100 °C		135	W
Fonctionnement  et   la température de stockage	Tvj Tstg,	-55 à 175	°C
Court- circuit de  résister à l' heure VGE  =15 V, VCC≤400  V  Nombre autorisé  de  courts- circuits<1000 Temps  entre les  courts- circuits :≥1,0 s Tvj  =150 °C	SC	10	Μs

Les  caractéristiques thermiques

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique de l'IGBT, cas de jonction	RθJC	0,55	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	40	°C/W

 Caractéristiques électriques  à  Tvj=25°C  sauf  indication contraire  

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture collecteur-émetteur	V(Br)SCE	650			V	VGE  =0  V, IC  =0,5 mA
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE(sat)		1.6	2.0	V	VGE  =15 V, IC=50 A Tvj=25 °C
			1.8		V	VGE  =15 V, IC=50 A, Tvj=125 °C
			1.9			VGE  =15 V, IC=50 A, Tvj=175 °C
Porte-émetteur de         la tension de seuil	VGE(e)	3.0	4.2	5.5	V	VCE  =VGE , ID =0,5 mA
Porte-émetteur  Courant de fuite	IGES			100	NA	VCE  =0 V, VGE=20  V
Courant de collecteur de tension zéro de la porte	Le CIEM			10	Μa	VCE  =650 V, VGE  =0 V

Remarque :
1)    calculée    en se fondant  sur courant continu  maximum  admissible de   température de jonction.
2)     cote de  largeur d'impulsions répétitives;  limitée  par la   température de jonction max..
3)    Pd  est  basée  sur   la température de jonction max., en utilisant  junction-  résistance thermique de cas.



 Informations de commande

Paquet Type	Unités/ Le tube	Tubes/    boîte intérieure	Unités/     boîte intérieure	Les boîtes de intérieure/  boîte en carton	Unités/      boîte en carton
À247-J	30	20	600	5	3000

 Informations produit

Produit	Paquet	Pb  libre	RoHS	Sans halogène
OST50N65HF	D247	Oui	Oui	Oui

L'approvisionnement Chian




Déclaration de produits écologiques