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Diode à récupération rapide TO247 VDS 650V RDS38mΩ sans fil Osg65r038hzaf MOSFET

Type: Car Power Inverter
Certification: RoHS
description: perte de commutation extrêmement faible
caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
applications: alimentation pc
industries: éclairage led

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Info de Base.

N° de Modèle.
OSG65R038HZAF TO247
application
onduleur de voiture
Paquet de Transport
Air
Marque Déposée
Orientalsemiconductor
Origine
China
Code SH
854129000
Capacité de Production
20kkkk/Monthly

Description de Produit

Description générale
Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie d'équilibrage de charge pour obtenir une résistance à l'activation exceptionnelle et une charge de grille inférieure. Il est conçu pour minimiser la perte de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et une capacité d'avalanche robuste.
La série Z de GreenMOS® est intégrée à une diode de récupération rapide (FRD) pour minimiser le temps de récupération inverse. Il convient aux topologies de commutation résonantes pour atteindre une efficacité supérieure, une fiabilité supérieure et un format plus petit.

Fonctionnalités
  • RDS(ON) ET FOM FAIBLES
  • Perte de commutation extrêmement faible
  • Excellente stabilité et uniformité
  • Diode corps ultra-rapide et robuste

Applications                                                                                             
  • Alimentation PC
  • Puissance de télécommunication
  • Alimentation du serveur
  • Chargeur EV
  • Pilote de moteur

Paramètres de performance clés
 
Paramètre Valeur Unité
VDS, min à TJ(max) 700 V
ID, impulsion 240 A
RDS(ON), MAX. À VGS=10 V. 38
QG 175 NF

Informations de marquage
 
Nom du produit Package Marquage
OSG65R038HZF TO247 OSG65R038HZ
Valeurs nominales maximales absolues à TJ=25 °C sauf indication contraire
 
Paramètre Symbole Valeur Unité
Tension de la source de vidange VDS 650 V
Tension de la source de grille VGS ±30 V
Courant de drain continué1), TC=25 °C.
ID
80
A
Courant de drain continué1), TC=100 °C. 50
Courant de drain pulsé 2), TC=25 °C. ID, impulsion 240 A
Diode continue en forward current1), TC=25 °C. EST 80 A
Diode pulse2), TC=25 °C. EST, impulsion 240 A
Alimentation  3)  ,TC=25  °C. PD 500 W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5) EAS 2900 MJ
MOSFET dv/dt robustesse, VDS=0…480 V. dv/dt 100 V/ns
Diode inverse dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID dv/dt 50 V/ns
Température de fonctionnement et de stockage Tstg, TJ -55 à 150 °C

Caractéristiques thermiques
 
Paramètre Symbole Valeur Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction RθJC 0.25 °C/W
Résistance thermique, ambient4) RθJA 62 °C/W

Caractéristiques électriques à TJ=25°C sauf indication contraire
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test

Tension de claquage de la source de vidange

BVDSS
650    
V
VGS=0 V, ID=2 MA
700 770   VGS=0 V, ID=2 mA, TJ=150 °C.
Seuil de porte
tension
VGS(TH) 3.0   4.5 V VDS=VGS, ID=2 MA

Source de vidange
résistance à l'état on

RDS(ON)
  0.032 0.038
Ω
VGS=10 V, ID=40 A
  0.083   VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C.
Courant de fuite de la source de grille
IGS
    100
N/a
VGS = 30 V.
    -100 VGS=-30 V.
Courant de fuite de la source de vidange IDS     10 ΜA VDS=650 V, VGS=0 V.
Résistance de la grille RG   2.1   Ω ƒ=1 MHz, drain ouvert

Caractéristiques dynamiques
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Capacité d'entrée CISS   9276   PF
VGS=0 V, VDS=50 V,
ƒ = 100 kHz
Capacité de sortie COSS   486   PF
Capacité de transfert inverse FCR   12.8   PF
Capacité de sortie effective, liée à l'énergie Co(er)   278   PF
VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacité de sortie effective, liée au temps Co(tr)   1477   PF
Délai d'activation td(on)   55.9   ns
VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A.
Temps de montée tr   121.2   ns
Délai de mise hors tension td(désactivé)   114.2   ns
Temps de chute par   8.75   ns

Caractéristiques de charge de grille
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Charge totale de grille QG   175.0   NF

VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A.
Charge de la source d'entrée QGS   40.1   NF
Grille de charge de vidange QGD   76.1   NF
Tension de plateau de grille Plateau Vplateau   6.4   V

Caractéristiques de la diode corps
Paramètre Symbole Min. Type Max. Unité Condition de test
Tension avant de diode VSD     1.3 V EST = 80 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse trr   180   ns
EST=30 A,
Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée Qrr   1.5   UC
Courant de récupération inverse de crête Irrm   15.2   A

Remarque
  1. Courant continu calculé en fonction de la température de jonction maximale autorisée.
  2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
  3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
  4. La valeur de RθJA est mesurée avec l'appareil monté sur une carte FR-4 1 en 2 avec 2 oz. Cuivre, dans un environnement à air fixe avec Ta=25 °C.
  5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 mH, TJ de départ=25 °C.

Totem-Pole Bridgeless Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Fast Recovery Diode MosfetTotem-Pole Bridgeless Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Fast Recovery Diode MosfetTotem-Pole Bridgeless Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Fast Recovery Diode MosfetTotem-Pole Bridgeless Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Fast Recovery Diode MosfetTotem-Pole Bridgeless Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Fast Recovery Diode MosfetTotem-Pole Bridgeless Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Fast Recovery Diode MosfetTotem-Pole Bridgeless Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Fast Recovery Diode MosfetTotem-Pole Bridgeless Osg65r038hzaf To247 Vds 650V RDS38mΩ Fast Recovery Diode Mosfet

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Surface de l'Usine
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