MOSFET haute tension à diode de récupération rapide PFC sans cavalier totem pôle

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Subminiature
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• N° de Modèle.: OSG65R038HZAF TO247
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Power Level: Medium Power
• Material: Silicon
• description: perte de commutation extrêmement faible
• caractéristiques: excellente stabilité et uniformité
• applications: alimentation pc
• industries: éclairage led
• application: onduleur de voiture
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 37*37*29CM
• Marque Déposée: Orientalsemiconductor
• Origine: China
• Code SH: 854129000
• Capacité de Production: 20K/Monthly

Description de Produit

Description du produit

Description générale

Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie d'équilibrage de charge pour obtenir une résistance à l'activation exceptionnelle et une charge de grille inférieure. Il est conçu pour minimiser la perte de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et une capacité d'avalanche robuste.
La série Z de GreenMOS® est intégrée à une diode de récupération rapide (FRD) pour minimiser le temps de récupération inverse. Il convient aux topologies de commutation résonantes pour atteindre une efficacité supérieure, une fiabilité supérieure et un format plus petit.

Fonctionnalités

• RDS(ON) ET FOM FAIBLES
• Perte de commutation extrêmement faible
• Excellente stabilité et uniformité
• Diode corps ultra-rapide et robuste

Applications                                                                                             

• Alimentation PC
• Puissance de télécommunication
• Alimentation du serveur
• Chargeur EV
• Pilote de moteur

Paramètres de performance clés
 

Paramètre	Valeur	Unité
VDS, min à TJ(max)	700	V
ID, impulsion	240	A
RDS(ON), MAX. À VGS=10 V.	38	MΩ
QG	175	NF

Informations de marquage
 

Nom du produit	Package	Marquage
OSG65R038HZF	TO247	OSG65R038HZ

Valeurs nominales maximales absolues à TJ=25 °C sauf indication contraire
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de la source de vidange	VDS	650	V
Tension de la source de grille	VGS	±30	V
Courant de drain continué1^), TC=25 °C.	ID	80	A
Courant de drain continué1^), TC=100 °C.		50
Courant de drain pulsé 2^), TC=25 °C.	ID, impulsion	240	A
Diode continue en forward current1^), TC=25 °C.	EST	80	A
Diode pulse2^), TC=25 °C.	EST, impulsion	240	A
Alimentation  3^)  ,TC=25  °C.	PD	500	W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5)	EAS	2900	MJ
MOSFET dv/dt robustesse, VDS=0…480 V.	dv/dt	100	V/ns
Diode inverse dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	°C

Caractéristiques thermiques
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0.25	°C/W
Résistance thermique, ambient4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à TJ=25°C sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension de claquage de la source de vidange	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
		700	770			VGS=0 V, ID=2 mA, TJ=150 °C.
Seuil de porte tension	VGS(TH)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Source de vidange résistance à l'état on	RDS(ON)		0.032	0.038	Ω	VGS=10 V, ID=40 A
			0.083			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C.
Courant de fuite de la source de grille	IGS			100	N/a	VGS = 30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Courant de fuite de la source de vidange	IDS			10	ΜA	VDS=650 V, VGS=0 V.
Résistance de la grille	RG		2.1		Ω	ƒ=1 MHz, drain ouvert

Caractéristiques dynamiques

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CISS		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ = 100 kHz
Capacité de sortie	COSS		486		PF
Capacité de transfert inverse	FCR		12.8		PF
Capacité de sortie effective, liée à l'énergie	Co(er)		278		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacité de sortie effective, liée au temps	Co(tr)		1477		PF
Délai d'activation	td(on)		55.9		ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A.
Temps de montée	tr		121.2		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		114.2		ns
Temps de chute	par		8.75		ns

Caractéristiques de charge de grille

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		175.0		NF	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A.
Charge de la source d'entrée	QGS		40.1		NF
Grille de charge de vidange	QGD		76.1		NF
Tension de plateau de grille	Plateau Vplateau		6.4		V

Caractéristiques de la diode corps

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension avant de diode	VSD			1.3	V	EST = 80 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse	trr		180		ns	EST=30 A, Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée	Qrr		1.5		UC
Courant de récupération inverse de crête	Irrm		15.2		A

Remarque

1. Courant continu calculé en fonction de la température de jonction maximale autorisée.
2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.
3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant la résistance thermique du boîtier de jonction.
4. La valeur de RθJA est mesurée avec l'appareil monté sur une carte FR-4 1 en 2 avec 2 oz. Cuivre, dans un environnement à air fixe avec Ta=25 °C.
5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 mH, TJ de départ=25 °C.