Transistor bipolaire Trident-Gate Automotive Ost40n120hmf 10µ S Tolérance Short-Circuit 1200V 40A intégré à la DRA-247n Field Stop IGBT de tranchée

• certificat: RoHS, ISO
• Forme: ST
• Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube
• Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi
• Fonction: Micro-ondes Transistor
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• N° de Modèle.: OST40N120HMF TO-247N
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Niveau d′énergie: Haute puissance
• Matériel: Silicium
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 35.3x30x37.5/60x23x13
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Origine: China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1kk/Month

Description de Produit

Description générale
OST40N120HMF utilise la technologie brevetée Oriental-Semi Trident-Gate avancé (transistor bipolaire à la technologie TGBTTM) pour une très faible VCE(sat), faible charge de grille et d'excellentes performances de commutation. Cet appareil est adapté pour le milieu de gamme haute les convertisseurs de fréquence de commutation.

Fonctionnalités

• La technologie TGBTTM avancée
• Excellente conduction et de pertes de commutation
• Excellente stabilité et de l'homogénéité
• Diode antiparallèles souple et rapide

Les applications

• Convertisseurs d'induction
• Blocs d'alimentation non interruptible

Les paramètres de performance clés

 

Le paramètre	Valeur	Unité
VCES, min @ 25°C	1200	V
Température de jonction maximum	175	°C
IC, de pouls	160	Un
VCE(sat), typ @ VGE=15V	1.45	V
Qg	214	NC

Marquage des informations

 

Nom du produit	Paquet	Le marquage
OST40N120HMF	D247	OST40N120HM

 

Cotes de maximum absolu Tvj=25°C sauf indication contraire
 

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de l'émetteur de collecteur	VCES	1200	V
Tension de l'émetteur de la porte	VGES	±20	V
Émetteur de la porte de tension transitoire, TP≤0.5ΜS, d<0,001		±25	V
Courant de collecteur continu^1), TC=25ºC	IC	56	Un
Courant de collecteur continu^1), TC=100ºC		40	Un
Courant de collecteur d'impulsion^2), TC=25ºC	IC, de pouls	160	Un
Courant direct de diode^1), TC=25ºC	Si	56	Un
Courant direct de diode^1), TC=100ºC		40	Un
Courant pulsé de diode^2), TC=25ºC	Si, de pouls	160	Un
La dissipation de puissance^3), TC=25ºC	PD	357	W
La dissipation de puissance^3), TC=100ºC		179	W
Fonctionnement et la température de stockage	Tvj Tstg,	-55 à 175	°C
Court-circuit de résister à l'heure VGE=15 V, SCR≤600 V Nombre autorisé de courts-circuits<1000 Temps entre les courts-circuits :≥1,0 s Tvj=150 °C	TSC	10	Μs

Les caractéristiques thermiques

Le paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique de l'IGBT, cas de jonction	RθJC	0,42	°C/W
La diode résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	0.75	°C/W
Résistance thermique, jonction ambiant4)	RθJA	40	°C/W

 

Caractéristiques électriques à Tvj=25°C sauf indication contraire

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Tension de rupture collecteur-émetteur	V(Br)SCE	1200			V	VGE=0 V, IC=0,5 mA
Tension de saturation de collecteur-émetteur	VCE(sat)		1.45	1.8	V	VGE=15 V, IC=40 Un Tvj=25 °C
			1.65		V	VGE=15 V, IC=40 A, Tvj =125 °C
			1.8			VGE=15 V, IC=40 A, Tvj =175 °C
Porte-émetteur La tension de seuil	VGE(e)	4.8	5.8	6.8	V	VCE=VGE, ID=0,5 mA
Diode de la tension de marche avant	VF		1.9	2.1	V	VGE=0 V, Si=40 Un Tvj =25 °C
			1.6			VGE=0 V, Si=40 A, Tvj =125 °C
			1.5			VGE=0 V, Si=40 A, Tvj =175 °C
Porte-émetteur Courant de fuite	IGES			100	NA	VCE=0 V, VGE=20 V
Courant de collecteur de tension zéro de la porte	Le CIEM			10	Μa	VCE=1200V, VGE=0 V

 

Les caractéristiques dynamiques
 

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	Le CIES		11270		PF	VGE=0 V, VCE=25 V, Ƒ=100 kHz
Capacité de sortie	Centres d'excellence		242		PF
Transfert inverse de la capacité	Cres		10		PF
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		120		Ns	VGE=15 V, SCR=600 V, RG=10 Ω, IC=40 A
Le temps de montée	Tr		88		Ns
Désactiver le temps de retard	Td(arrêt)		246		Ns
Temps de chute	Tf		160		Ns
Tourner sur l'énergie	Eon		3.14		MJ
Couper l'énergie	Eoff		1.02		MJ
Temps de retard de mise sous tension	Td(le)		112		Ns	VGE=15 V, SCR=600 V, RG=10 Ω, IC=20 A
Le temps de montée	Tr		51		Ns
Désactiver le temps de retard	Td(arrêt)		284		Ns
Temps de chute	Tf		148		Ns
Tourner sur l'énergie	Eon		1.32		MJ
Couper l'énergie	Eoff		0.53		MJ

Caractéristiques de charge de la porte
 

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Total des frais de porte	Qg		214		NC	VGE=15 V, SCR=960 V, IC=40 A
Porte-charge de l'émetteur	Qge		103		NC
Porte-charge de collecteur	Qgc		40		NC

Caractéristiques de la diode du corps
 

Le paramètre	Symbole	Min.	Typ.	Max.	Unité	Condition de test
Temps de récupération de la diode de marche arrière	Les DRT		293		Ns	VR=600 V, Si=40 A, Le diF/dt = 500 A/μs Tvj = 25 °C
Frais de récupération de la diode de marche arrière	Qrr		2.7		ΜC
Pic de courant de récupération de la diode de marche arrière	Irrm		25		Un

Remarque :

1. Courant continu calculée basée sur la jonction de la température maximale admissible.
2. Cote de largeur d'impulsions répétitives; limitée par la température de jonction max..
3. Pd est basée sur la température de jonction max., en utilisant junction-résistance thermique de cas.
4. La valeur de RθJA est mesurée avec le périphérique monté sur 1 en² FR-4 carte avec 2oz. Le cuivre, dans un environnement de l'air encore avec TA=25 °C.

 

La version 1 : Pour247-P package dimension contour

Informations de commande
 

Type de paquet	Unités/ tube	Tubes/ boîte intérieure	Unités/ boîte intérieure	Les boîtes de carton intérieur/	Unités/ Boîte en carton
À247-P	30	11	330	6	1980

Informations produit
 

Produit	Paquet	Pb libre	Compatible RoHS	Sans halogène
OST40N120HMF	D247	Oui	Oui	Oui

Legal Disclaimer
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