Alimentations sans coupure TO247-P 800W Ost75n65hsmf 30V Fabricant Trident Gate MOSFET bipolaire

• Manufacturing Technology: Discrete Device
• Material: Element Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: DIP(Dual In-line Package)
• Signal Processing: Digital
• Application: Temperature Measurement
• N° de Modèle.: OST75N65HSMF-2
• Model: ST
• Batch Number: 2010+
• Brand: Orientalsemi
• réf: Ost75n65hsmf
• emballage: to-274
• applications1: convertisseurs à induction
• applications2: alimentations sans coupure
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 35x30x37cm
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Origine: China
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1kk/Month

Description de Produit

Description du produit

Description générale  
OST75N65HSMF    utilise    la                  technologie brevetée Trident-Gate Bipolar transistor (TGBTTM) d'Oriental-semi  pour  fournir  un VCE   (SAT) extrêmement faible,  une faible   charge de grille et   d'excellentes   performances de commutation. Ce dispositif  est adapté aux    convertisseurs de fréquence de commutation moyenne à haute.

Fonctionnalités
.  Technologie TGBTTM avancée  
.  Excellente perte de conduction et  de commutation  
.  Excellente stabilité et  uniformité
.    Diode antiparallèle rapide et souple

Applications
.   Convertisseurs à induction
.   Alimentations sans coupure

Paramètres de performance clés  
 

Paramètre	Valeur	Unité
VCES,  min . À 25 °C.	650	V
Température de jonction maximale	175	°C
IC,  impulsion	300	A
VCE(sat), type  @ VGE=15 V.	1.45	V
QG	195	NF

 Informations de marquage
 

Nom du produit	Package	Marquage
OST75N65HSMF	TO247	OST75N65HSM

  Valeurs nominales maximales absolues  à  Tvj=25°C  sauf  indication contraire  

 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de l'émetteur du collecteur	VCES	650	V
Tension de l'émetteur de grille	VGES	±20	V
Tension d'émetteur de grille transitoire, TP≤10µs,  D<0.01		±30	V
Current1 du collecteur continu)  , TC=25ºC	CI	90	A
Courant collecteur continu 1)  , TC=100ºC		75	A
Courant du  collecteur pulse2 )  , TC=25ºC	IC,  impulsion	300	A
Diode  marche avant  current1)  , TC=25ºC	SI	90	A
Diode  marche avant  current1)  , TC=100ºC		75	A
Diode  pulse2 )  , TC=25ºC	SI,  Pulse	300	A
Power  dissipation3)  , TC=25ºC	PD	395	W
Power  dissipation3)  , TC=100ºC		198	W
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg, Tvj	-55 à  175	°C

Caractéristiques thermiques
 

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique IGBT,  boîtier de jonction	RθJC	0.38	°C/W
Résistance thermique de diode,  boîtier de jonction	RθJC	0.38	°C/W
Résistance thermique,  ambient4)	RθJA	40	°C/W

 

 Caractéristiques électriques  à  Tvj=25°C  sauf  indication contraire  
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Collecteur-émetteur tension de claquage	V(BR)CES	650			V	VGE=0 V,  IC=0.5  MA
Tension de saturation collecteur-émetteur	VCE (Sam)		1.45	1.7	V	VGE=15 V,  IC=75 A Tvj=25°C.
			1.65		V	VGE=15 V,  IC=75 A, Tvj   = 125 °C.
			1.75			VGE=15 V,  IC=75 A, Tvj   = 175 °C.
Porte-émetteur tension de seuil	VGE(TH)	3.0	4.0	5.0	V	VCE=VGE  ,  ID=0.5  MA
Diode vers l'avant tension	VF		1.6	1.8	V	VGE=0 V,  IF=75 A. Tvj   = 25 °C.
			1.5			VGE=0 V,  IF=75 A, Tvj   = 125 °C.
			1.4			VGE=0 V,  IF=75 A, Tvj   = 175 °C.
Porte-émetteur courant de fuite	IGES			100	N/a	VCE=0 V, VGE=20 V.
Courant du  collecteur de tension de grille nulle	ICES			10	ΜA	VCE=650 V, VGE=0 V.

Caractéristiques dynamiques
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CIES		8066		PF	VGE = 0 V, VCE=25 V, ƒ = 100  kHz
Capacité de sortie	COE		230		PF
Capacité de transfert inverse	Cres		6		PF
Délai d'activation	td(on)		68		ns	VGE = 15 V, VCC=400 V, RG=10  Ω, IC=75 A.
Temps de montée	tr		107		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		265		ns
Temps de chute	par		91		ns
Énergie d'activation	EON		2.98		MJ
Couper l'énergie	Eoff		1.1		MJ
Délai d'activation	td(on)		56		ns	VGE = 15 V, VCC=400 V, RG=10  Ω, IC=30 A.
Temps de montée	tr		49		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		311		ns
Temps de chute	par		62		ns
Énergie d'activation	EON		0.95		MJ
Couper l'énergie	Eoff		0.34		MJ

Caractéristiques de charge de grille
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		195		NF	VGE = 15 V, VCC=520 V, IC=75 A.
Charge porte-émetteur	QGE		62		NF
Frais de collecteur de grille	QGC		54		NF

Caractéristiques de la diode corps
 

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Temps de récupération inverse de diode	trr		132		ns	VR  =400 V, SI = 75 A, DIF/dt=500 A/μs  Tvj   = 25°C.
Charge  de récupération inverse de diode	Qrr		1.4		ΜC
Courant de   récupération inverse de crête de diode	Irrm		20		A

Remarque
1)   courant continu calculé  en fonction    de la température de jonction maximale autorisée.  2)   valeur  nominale répétitive ;  largeur d'impulsion  limitée  par  la température de jonction maximale.
3)   le PD  est  basé sur  la température de jonction maximale,  en utilisant  la résistance thermique du boîtier de jonction.
4)    la  valeur  de  RθJA   est  mesurée  avec  l' appareil  monté  sur  la     carte FR-4 de 1 in2  avec  2oz.  Cuivre, dans  un    environnement à air fixe  avec  Ta=25  °C.

Chaîne d'approvisionnement

Déclaration de produit écologique