VDS-700V ID-12A RDS (ON) -1,4 milliohms QG-6,7nc chargeur EV alimentation solaire/UPS MOSFET

• certificat: RoHS, ISO
• Forme: ST
• Type de Blindage: Cutoff de Sharp Blindage Tube
• Méthode de refroidissement: Air Tube Refroidi
• Fonction: Commutateur Transistor
• Fréquence de travail: Haute fréquence
• N° de Modèle.: TO252 OSG65R1K4DF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Niveau d′énergie: Haute puissance
• Matériel: Silicium
• Paquet de Transport: Carton
• Spécifications: 37*37*29CM
• Marque Déposée: Orientalsemi
• Code SH: 8541290000
• Capacité de Production: Over 1kk/Month

Description de Produit

Description du produit

Description générale

Le MOSFET haute tension GreenMOS® utilise la technologie d'équilibrage de charge pour obtenir une résistance à l'activation exceptionnelle et une charge de grille inférieure. Il est conçu pour minimiser la perte de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et une capacité d'avalanche robuste.
La série GreenMOS® Generic est optimisée pour des performances de commutation extrêmes afin de minimiser la perte de commutation. Il est conçu pour les applications à forte densité de puissance afin de répondre aux normes d'efficacité les plus élevées.
 

Fonctionnalités

• RDS(on) et  FOM faibles
• Perte de commutation extrêmement faible  
• Excellente stabilité et  uniformité

 

Applications

•  Alimentation PC
• Éclairage LED
•  Puissance de télécommunication
•  Alimentation du serveur
• Chargeur EV
• Solaire/UPS

 

Paramètres de performance clés

 

Paramètre	Valeur	Unité
VDS, min à TJ(max)	700	V
ID, impulsion	12	A
RDS(ON) , MAX @ VGS=10V	1.4	Ω
QG	6.7	NF

Informations de marquage

 

Nom du produit	Package	Marquage
OSG65R1K4DF	TO252	OSG65R1K4D

 

Valeurs nominales maximales absolues à TJ=25 °C sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Tension de la source de vidange	VDS	650	V
Tension de la source de grille	VGS	±30	V
Courant de drain continué1), TC=25 °C.	ID	4	A
Courant de drain continué1), TC=100 °C.		2.5
Courant de drain pulsé 2), TC=25 °C.	ID, impulsion	12	A
Diode continue en forward current1), TC=25 °C.	EST	4	A
Diode pulse2), TC=25 °C.	EST, impulsion	12	A
Puissance dissipe3), TC=25 °C.	PD	28.4	W
Énergie d'avalanche à impulsion unique5)	EAS	112	MJ
MOSFET dv/dt robustesse, VDS=0…480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diode inverse dv/dt, VDS=0…480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Température de fonctionnement et de stockage	Tstg, TJ	-55 à 150	°C

 

Caractéristiques thermiques

Paramètre	Symbole	Valeur	Unité
Résistance thermique, boîtier de jonction	RθJC	4.4	°C/W
Résistance thermique, ambient4)	RθJA	62	°C/W

Caractéristiques électriques à TJ=25°C sauf indication contraire

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension de claquage de la source de vidange	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		700	770			VGS=0 V, ID=250 μA, TJ=150 °C.
Seuil de porte tension	VGS(TH)	2.0		4.0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Résistance à l'état on de la source de vidange	RDS(ON)		1.2	1.4	Ω	VGS=10 V, ID=2 A
			2.9			VGS=10 V, ID=2 A, TJ=150 °C.
Courant de fuite de la source de grille	IGS			100	N/a	VGS = 30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Courant de fuite de la source de vidange	IDS			1	ΜA	VDS=650 V, VGS=0 V.

 

Caractéristiques dynamiques

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Capacité d'entrée	CISS		259.9		PF	VGS=0 V, VDS=50  V, ƒ=1  MHz
Capacité de sortie	COSS		21.1		PF
Capacité de transfert inverse	FCR		0.9		PF
Délai d'activation	td(on)		30.9		ns	VGS=10 V, VDS=380 V, RG=25 Ω, ID=4 A.
Temps de montée	tr		20.7		ns
Délai de mise hors tension	td(désactivé)		56.3		ns
Temps de chute	par		28.7		ns

Caractéristiques de charge de grille

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Charge totale de grille	QG		6.7		NF	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=4 A.
Charge de la source d'entrée	QGS		1.5		NF
Grille de charge de vidange	QGD		3.2		NF
Tension de plateau de grille	Plateau Vplateau		6.4		V

Caractéristiques de la diode corps

Paramètre	Symbole	Min.	Type	Max.	Unité	Condition de test
Tension avant de diode	VSD			1.3	V	EST = 4 A, VGS = 0 V.
Temps de récupération inverse	trr		162		ns	VR=400 V, IS=4 A, Di/dt = 100 A/μs
Charge de récupération inversée	Qrr		1.2		ΜC
Courant de récupération inverse de crête	Irrm		7		A

Remarque

1. Courant continu calculé en fonction  de la température de jonction maximale autorisée.
2. Valeur nominale répétitive ; largeur d'impulsion limitée par  la température de jonction maximale.
3. Le PD est basé sur la température de jonction maximale, en utilisant  la résistance thermique du boîtier de jonction.
4. La  valeur  de  RθJA  est  mesurée  avec  l' appareil  monté  sur      une carte FR-4 1 en 2  avec  2 oz.  Cuivre, dans un environnement à air fixe avec Ta=25  °C.
5. VDD=50 V, VGS=10 V, L=20 mH, TJ de départ=25  °C.

 

Chaîne d'approvisionnement

Déclaration de produit écologique