• Qualité P 100 mm 4 in 6 in 8 Fer à ergot en carbure de silicium pouce SIC Semiconductor substrat
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Qualité P 100 mm 4 in 6 in 8 Fer à ergot en carbure de silicium pouce SIC Semiconductor substrat

Application: Semiconductor
Type: N-type Semiconductor
grade: classe p & d.
spéc: 4 pouces 6 pouces etc
matière première: 6 n sic
types: n ou si

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Info de Base.

N° de Modèle.
P Grade
technologie de fabrication
dépôt chimique en vapeur
matériau
sic
package
personnalisé
traitement du signal
non
modèle
4h-n
numéro de lot
non
marque
non
Paquet de Transport
Foam Bag
Spécifications
4 6 inches
Marque Déposée
non
Origine
China
Code SH
3818009000
Capacité de Production
5000 PCS

Description de Produit

Détails du produit

Spécification (Ingot SIC )
Spéc 4  pouces 6 pouces
Diamètre 100.0 mm +0.0/-0.5mm 150 mm/153 mm +0.0/-0,5 mm
Epaisseur 15cm/20cm
 High Quality P Grade 100mm 4 Inch 6 Inch 8 Inch Silicon Carbide Ingot Wafer Sic Semiconductor Substrate
High Quality P Grade 100mm 4 Inch 6 Inch 8 Inch Silicon Carbide Ingot Wafer Sic Semiconductor Substrate
High Quality P Grade 100mm 4 Inch 6 Inch 8 Inch Silicon Carbide Ingot Wafer Sic Semiconductor Substrate
High Quality P Grade 100mm 4 Inch 6 Inch 8 Inch Silicon Carbide Ingot Wafer Sic Semiconductor Substrate
 
Package produit
High Quality P Grade 100mm 4 Inch 6 Inch 8 Inch Silicon Carbide Ingot Wafer Sic Semiconductor Substrate
High Quality P Grade 100mm 4 Inch 6 Inch 8 Inch Silicon Carbide Ingot Wafer Sic Semiconductor Substrate
High Quality P Grade 100mm 4 Inch 6 Inch 8 Inch Silicon Carbide Ingot Wafer Sic Semiconductor Substrate
 
Application
High Quality P Grade 100mm 4 Inch 6 Inch 8 Inch Silicon Carbide Ingot Wafer Sic Semiconductor Substrate
 
Profil de l'entreprise

Baotong Silicon Carbide New Material Co., Ltd. Est une entreprise de carbure de silicium intégrant la production, le traitement et la vente. Notre fabricant possède une ligne de production de fusion de carbure de silicium noir 26000Kva et 12500kva, et est équipé d'équipements de traitement de sable et de poudre fine de segment, qui peuvent être personnalisés selon les besoins du client. Granularité de traitement.

Afin de répondre aux besoins de nos clients en carbure de silicium, Baotong a construit une nouvelle ligne de production de fonte de carbure de silicium 40000Kva, qui a été mise en service, et la production mensuelle de blocs de carbure de silicium a atteint 6000-7000 tonnes.

High Quality P Grade 100mm 4 Inch 6 Inch 8 Inch Silicon Carbide Ingot Wafer Sic Semiconductor Substrate
 
Nos avantages
• Prix concurrentiel
• de nombreux stocks de Specs  
• plus de 40 partenaires stables dans le monde entier
• 11 ans d'expérience dans la production et l'exportation
• équipes de R&D et de CQ matures pour assurer le bon & Qualité stable
Réception client
High Quality P Grade 100mm 4 Inch 6 Inch 8 Inch Silicon Carbide Ingot Wafer Sic Semiconductor Substrate
FAQ
Q1: Êtes-vous une société de commerce ou un fabricant?
R: Nous sommes fabricant.

Q2 : les échantillons sont-ils libres ou non ?
A: L'échantillon peut être gratuit. Seul l'expédition doit être payée par votre côté.  

Q3. Pouvez-vous personnaliser la taille du grain ou les paramètres en fonction de mes besoins ?
R: Oui, nous pouvons personnaliser.

Q4. Testez-vous tous vos produits avant la livraison ?
R: Nous avons des laboratoires pour tester les propriétés chimiques et physiques de notre SIC. Nous testerons à plusieurs reprises pendant la production et avant l'expédition pour nous assurer que le produit est conforme aux normes établies.

 
Nous espérons recevoir votre demande.
N'hésitez pas à me poser des questions. Merci ^^

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Fabricant/Usine
Surface de l'Usine
101~500 Mètres Carrés