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Épaisseur 0.5 mm silicone carbure SIC Semiconductor Crystal Wafer

Prix FOB de Référence:	250,00 $US / Pièce
Commande Min.:	25 Pièces

Commande Min.	Prix FOB de Référence
25 Pièces	250,00 $US

Port:	Chongqing, China
Capacité de Production:	2000 Pieces/Month
Conditions de Paiement:	T/T

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Description de Produit

Information d'Entreprise

Info de Base.

N° de Modèle.

4 inch diameter 0.35-0.5 mm thickness

Manufacturing Technology

Optoelectronic Semiconductor

Material

Compound Semiconductor

Type

N/P Type Semiconductor

Package

BGA

Signal Processing

Analog Digital Composite and Function

Application

Wind Power, Industrial Power Supply, Aerospace

Model

ULN2003

Batch Number

2010+

Brand

Cys

Marque Déposée

Paquet de Transport

Carton with Cushioning Material

Spécifications

4 inch/6 inch/8 inch

Origine

China

Code SH

2849200000

Description de Produit

Spécifications

Grade		Production MPD nulle	Qualité de production standard (classe P)	Qualité factice (classe D)
Diamètre		99,5 mm-100 mm
Epaisseur	4H-N	350 μm±15 μm	350 μm±25 μm
	4H-si	500 μm±15 μm	500 μm±25 μm
Orientation des tranches		Hors axe : 4.0° vers<1120>±0.5° avant 4H-N, sur axe :<0001>±0.5° pour 4H-si
Densité de microtube	4H-N	≤0,2cm²	≤2 cm²	≤15 cm²
	4H-si	≤1 cm²	≤5 cm²	≤15 cm²
Résistivité	4H-N	0.015-0,024 Ω.cm		0.015-0,028 Ω.cm
	4H-si	≥1 E10 Ω.cm		≥1 E5Ω.cm
Orientation de l'plat principal		{10-10}±5.0°
Longueur de la section plate principale		32,5 mm±2,0 mm
Longueur de la section plate secondaire		18,0 mm±2,0 mm
Orientation de l'élément plat secondaire		Face en silicone vers le haut : 90° dans le sens horaire. À partir de l'plat Prime ±5.0°
Exclusion d'arête		3 mm
LTV/TTV/Bow/Warp		≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Rugosité		Polonais Ra≤1nm
		CMP Ra≤0.2nm		RA≤0.5nm
Fissures de bord par lumière haute intensité		Aucun	Aucun	Longueur cumulée ≤ 10 mm, longueur unique ≤ 2 mm
Plaques hexagonales par lumière haute intensité		Surface de communication ≤ 0.05 %		Surface de communication ≤ 0.1 %
Zones polytypepar lumière haute intensité		Aucun	Aucun	Surface de communication ≤ 3 %
Inclusions visuelles de carbone		Surface de communication ≤ 0.05 %		Surface de communication ≤ 3 %
Rayures de surface en silicone par lumière haute intensité		Aucun	Aucun	Longueur cumulative ≤ 1×diamètre de la tranche
Copeaux de contour par lumière haute intensité		Aucun autorisé ≥ largeur et profondeur de 0,2 mm		5 autorisé, ≤ 1 mm chacun
Contamination de surface en silicium par lumière haute intensité		Aucun	Aucun	Aucun
Emplacement de la vis de filetage (TSD)		≤500 cm²	S/O	S/O
Emballage		Cassette multi-wafer ou conteneur de wafer unique

Plaquette polie double face en carbure de silicium de type N 8 po
RÉV.01(2022.08)
NON	Élément	Unité	Production	Recherche	Factice
1 données Crystal
1.1	polytype	----	4H	4H	4H
1.2	orientation de la surface	°	<11-20> 4±0.5	<11-20> 4=0.5	<11-20> 4±0.5
2 données optiques
2.1	dopant	----	Azote de type n.	azote type	Azote de type n.
2.2	résistivité	ohm:cm	0.015-0.025	0.01 à 0.03	N/A
3 Date mécanique
3.1	diamètre	mm	200±0.2	200±0.2	200±0.2
3.2	epaisseur	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientation de l'encoche de la bande de papier	°	[1-100]+5	1-100]+5	[1-100]+5
3.4	Profondeur de l'encoche	mm	1 à 1.5	1 à 1.5	1 à 1.5
3.5	LTV	μm	≤5 (10 mm x 10 mm)	≤5 (10 mm x 10 mm)	≤10 (10 mm x 10 mm
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Arc	μm	25-25	45-45	65-65
3.8	Warp	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	RA≤0.2	RA≤0.2	RA≤0.2
4 structure
4.1	densité de microtube	ca/cm²	≤2	≤10	≤50
4.2	contenu en métal	atomes/em	≤1E11	≤1E11	N/A
4.3	TSD	ca/cm2	≤500	≤1000	N/A
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	N/A
4.5	TED	ca/cm2	≤7000	≤10000	N/A
5 Détails sur le recto
5.1	avant	----	Si	Si	Si
5.2	état de surface	----	Si CMP si-face CMP	Si CMP si-face CMP	Si CMP si-face CMP
5.3	particule	ue/wafer	100 (taille 20,3 μm)	N/A	N/A
5.4	rayure	ca/galette	s5, longueur totale 200mm	N/A	N/A
5.5	Arête puces/indentsleracks/coloricontamination	----	Aucun	Aucun	N/A
5.6	Zones polytype	----	Aucun	Arca≤10%	Superficie ≤ 30 %
5.7	marquage avant	----	Aucun	Aucun	Aucun
6 Retour détails
6.1	finition arrière	----	C MP C-FACE MP	C MP C-FACE MP	C MP C-FACE MP
6.2	rayure	/mm	N/A	N/A	N/A
6.3	Défauts arrière bords copeaux/indentations	----	Aucun	Aucun	N/A
6.4	Rugosité arrière	nm	Ras5	Ras5	Ras5
6.5	marquage arrière	----	Encoche	Encoche	Encoche
7 arête
71	arête	----	Chanfrein	Chanfrein	Chanfrein
8
8.1	packagin	----	Prêt pour l'EPI avec vide emballage	Prêt pour l'EPI avec vide emballage	Prêt pour l'EPI avec vide emballage
8.2	emballage	----	Multi-wafer emballage de la cassette	Multi-wafer prélèvement de cassettes	Multi-wafer emballage de la cassette
Remarque : NA signifie aucune exigence

Profil de l'entreprise

Chongqing CYS Machinery Co., Ltd, située à Chongqing, l'une des plus grandes villes industrielles de Chine.
nous nous concentrons sur la conception, la production du saphir synthétique et le rubis roulement, les équipements marins etc plus de 15 ans. et ont
expérience riche en importation et en exportation.
Pour explorer un nouveau marché pour nos produits, notre entreprise lance souvent aussi divers produits dans le monde entier.
Nous sommes l'entreprise avec un travail d'équipe de premier ordre et notre devise est "de favoriser le développement durable, de mettre en place une réputation sincère, à
améliorer le service, optimiser l'environnement d'investissement, former des partenariats stratégiques étroits avec les clients, servir les clients
de tout cœur et de se développer avec les clients ».
Aujourd'hui, face à la concurrence vive du marché, et avec une riche expérience dans le commerce international, nous avons une haute réputation, bon
des produits de qualité et un prix compétitif. Nous avons eu la coopération avec des entreprises du monde entier. Nous espérons que notre travail pourra vous aider
parfait pour les affaires. Nous sommes impatients d'établir des relations avec vous dans un avenir proche.

Adresse: Room 1506, Building 41, Longhu Yuanzhu North District, No. 420 Panxi Road, Jiangbei District, Chongqing, China

Type d'Entreprise: Fabricant/Usine

Gamme de Produits: Instruments & Compteurs, Machinerie de Fabrication & de Façonnage, Métallurgie, Minéral & Énergie, Équipement Industriel & Composants

Produits Principaux: Produit marin industriel Sythétique Ruby Sapphire, Wafer de substrat de carbure de silicium, séparateur

Présentation de l'Entreprise: Chongqing CYS Machinery Co., Ltd, située à Chongqing, l′une des plus grandes villes industrielles de Chine.

Nous nous concentrons sur la conception, la production du saphir synthétique et le rubis roulement, les équipements marins etc plus de 15 ans. Et ont une riche expertise dans l′importation et l′exportation.

Pour explorer un nouveau marché pour nos produits, notre entreprise lance souvent aussi divers produits dans le monde entier.

Nous sommes l′entreprise qui fait preuve d′un travail d′équipe de premier ordre et notre devise est « de favoriser le développement durable, d′établir une réputation sincère, d′améliorer le service, d′optimiser l′environnement d′investissement, de former des partenariats stratégiques étroits avec les clients, de servir les clients de tout cœur et de se développer avec les clients ».

Aujourd′hui, face à la concurrence vive du marché et à la riche expérience du commerce international, nous avons une réputation élevée, des produits de bonne qualité et des prix compétitifs. Nous avons eu la coopération avec des entreprises du monde entier. Nous espérons que notre travail pourra rendre votre entreprise parfaite. Nous sommes impatients d′établir des relations avec vous dans un avenir proche.

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