Type: | Type de salle |
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Type de sortie Signal: | Sortie analogique |
Procédé de production: | Intégration |
Matériel: | Plastique |
Précision année: | 0.1G |
Demande: | Alimentation à découpage |
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Modèle du produit | ||
Modèle | Courant d'entrée nominal IPN (A) | Plage de mesure IPM (A) |
HS65-500A-C. | 500 | ±750 |
Paramètre | Symbole | Unité | Valeur | Conditions de test |
Données électriques | ||||
Tension d'alimentation (±5 %) (1) | VC | V | ±15~±24 V. | |
Consommation de courant | CI | Ma | 28 + courant de sortie | |
Courant de sortie ISN | ISN | Ma | 100 | |
Capacité de surintensité (1 ms ) | IPC | À | - | |
Résistance d'isolation | RIS | MΩ | > 2000 | À 500 VDC |
Impédance interne | RS | Ω | 40 | approximation |
Résistance de charge (2) | RM | Ω | 0 à 50 | |
Données de performances | ||||
Linéarité (3) (0…± IPN ) | εL | %d'IPN | <±0.1 % | @TA = 25°C. |
Précision | X | % | <±0.5 % | @ IPN, TA = 25 °C. |
( supprimer le courant de décalage zéro ) | ||||
Courant de décalage nul | IOE | Ma | <±0.2 | @ IP=0, TA = 25 °C. |
Courant de décalage magnétique | IOM | Ma | <±0.1 | @ IP = 0 ; |
3 fois l'impact du courant nominal | ||||
Dérive de température de décalage zéro | IOT | Ma | <±0.8 | @ IP=0, @-40 ~ +85°C. |
Temps de réponse | tr | Μs | <1 | À 90 % de la réponse de l'étape IPN |
Le courant suit di /dt | di/dt | A/µS | > 100 | |
Bande passante (4) | NB | KHz | DC~150 | @-3dB |
Données générales | ||||
Température ambiante de fonctionnement | TA | ºC | -40….+85 | |
Température ambiante de stockage | TS | ºC | -40….+100 | |
Poids | m | g | 550 | approximation |
Paramètre | Symbole | Unité | Valeur | Remarque |
Isolation AC résiste à un test de tension RMS à 50 Hz, 1 min | DÉD | KV | 3.8 | |
Tension de tenue aux impulsions 1.2/50uS | UW | KV | 16 | |
Matériau de la coque | - | - | UL94-V0 | PBT + 30 % GF |
Index de suivi relatif | CTI | V | 175 | |
Distance de fuite | DCP | mm | 21 | |
Jeu électrique | DCI | mm | 20 |
Paramètre | Symbole | Unité | Valeur |
Tension d'alimentation | VC | V | ±24 |
Courant de sortie (sortie en court-circuit à la masse) | Sortie | Ma | - |
Décharge électrostatique - décharge de contact | VESD | V | - |
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