Emetteur simple à diode laser semi-conducteur à monture C 10 W 808 nm haute puissance

Certification: ISO
Application: Emitter
Structure: SH

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Fabricant/Usine

Info de Base.

N° de Modèle.
CM808DL10
Capacité de Production
1000PCS/Month

Description de Produit

Diode laser à émetteur simple à monture C 10 W 808 nm
Caractéristiques :
Le CM808DL10 est une diode laser de type C de haute qualité, qui est basée sur une croissance de couche épitaxiale quantique et fiable et sur une structure de guide d'ondes à crête fiable. Le CM808DL10 est facile à monter et offre un bon contact thermique, ce qui en fait un choix idéal pour les applications OEM et de haute puissance.  Le boîtier à monture C comporte deux contacts dorés à souder sur les couches semi-conductrices dopées n et p.
Série de diodes laser à émetteur simple CM808DL10, basées sur la conception de la structure d'épitaxie et de guide d'ondes à crête Quantum-Well. Les émetteurs individuels conditionnés à montage en C offrent une fiabilité et des performances excellentes. Longueur d'onde centrale : 635 nm, 650 nm, 670 nm, 785 nm, 808 nm, 830 nm, 9xxnm et 1064 nm. Les modèles de boîtier incluent LES supports de montage, les supports CoS, les supports C et les supports F. Fournir des services de mise en forme du faisceau, comme la compression à axe rapide, en fonction des demandes des clients.

High Power 10W 808nm C-Mount Semiconductor Laser Diode Single Emitter

Fiche technique :

No. D'art.: CM808DL10

Optique  
Longueur d'onde centrale λ 808 nm
Tolérance de longueur d'onde ±5 nm
Puissance de sortie 10 W.
Efficacité de la pente 1,1W/A
Électrique  
Courant de fonctionnement IOP 5 A.
Courant de seuil ITH 0,3 A.
Tension de fonctionnement VOP 2 V.
Efficacité de la conversion de puissance 50 %
Thermique  
Température de fonctionnement 15 À 35 ºC
Température de stockage -40~80 ºC
Coefficient de température de longueur d'onde 0,3 nm/ºC
 

Mise en plan détaillée :
High Power 10W 808nm C-Mount Semiconductor Laser Diode Single Emitter
 

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