| Manufacturing Technology: | Optoelectronic Semiconductor |
|---|---|
| Material: | Element Semiconductor |
| Type: | N-type Semiconductor |
| Package: | PGA(Pin Grid Array Package) |
| Signal Processing: | Analog Digital Composite and Function |
| Application: | Temperature Measurement |
Fournisseurs avec des licences commerciales vérifiées
Fournisseur Audité | Modèle : | FP25R12W1T7 | FP25R12W1T7-B11 | FP25R12W2T7 | FP25R12W2T7-B11 |
EasyPACK™ 2B 1200 V, 25 d'un module IGBT PIM avec TRENCHSTOP™7, l'émetteur de l'IGBT contrôlée 7 diode et NTC.
Résumé des Caractéristiques
Avantages
| Parametrics | FP25R12W2T7 |
|---|---|
| La configuration | PIM |
| Dimensions (longueur) | 56,7 mm |
| Dimensions (largeur) | 48 mm |
| Le logement | EasyPIM™ 2B |
| IC(nom) / SI(nom) | 25 A |
| IC max | 25 A |
| La qualification | Industrial |
| La technologie | IGBT7 - T7 |
| VCE(sat) (Tvj=25 °C typ) | 1,6 V |
| VF (Tvj=25 °C typ) | 1,83 V |
| Classe de tension max | 1200 V |
Notre sélection de produits de l'IGBT fournit une large variété de différents périphériques. Ces produits répondent à un large éventail de demandes dans le domaine de l'automobile, de la traction, transmission d'énergie, des systèmes industriels et de consommation. Nos solutions offrent de très faibles pertes de puissance en marche avant et état de blocage, exigent seulement une faible puissance d'entraînement et ont une haute efficacité. Les IGBT peuvent résister à des tensions jusqu'à 6,5 kV et de fonctionner à une fréquence de commutation à partir de 2 kHz à 50 kHz.
Nous offrons un large portefeuille de puces IGBT assemblés dans des boîtiers en plastique discrète, appelés les IGBT discrets, qui sont disponibles en une seule IGBT et co-emballés avec diode de roue libre. Ce sont les périphériques appropriés pour des applications telles que les inverseurs à usage général, convertisseurs solaires, UPS, le chauffage par induction, les principaux appareils électroménagers, soudage et SMPS. Avantages de l'IGBT discrets sont élevés et de densité de courant faible dissipation de puissance résultant en une plus grande efficacité et de dissipateur de chaleur plus petits pour permettre à abaisser le coût global du système.
De plus grandes des arrangements qui forme des blocs de construction de base de l'équipement électronique de puissance sont considérés comme des modules de puissance et de la diode de l'IGBT habituellement combinant meurt dans diverses topologies. Avec l'aide de composants à haute performance, ces modules de puissance peut faire face aux besoins des applications de puissance le plus élevé. À partir de tout-en-un des modules intégrés de puissance avec redresseur, et du hacheur de freinage à la partie de l'onduleur, Infineon couvrent toute une gamme de produits à partir de seulement des centaines de Watts à plusieurs mégawatts. Les lecteurs à usage général, servo-unités et les applications de l'énergie renouvelable comme les applications de convertisseurs solaires ou le vent bénéficier de la performance exceptionnelle, l'efficacité et la longévité de ces produits extrêmement fiables.
L' HybridPACK™ famille comme un produit spécial série avec la qualification de l'automobile est disponible pour soutenir les efforts déployés par le designer dans la mobilité électrique. Infineon appuie en outre l'industrie automobile, offrant une variété de semiconducteurs de puissance IGBT discrets qualifié conformément à AECQ101.
Pour faciliter la mise en place une expérience de laboratoire ou d'un premier prototype, Infineon aide en fournissant des cartes d'évaluation pour la plupart des produits d'accélérer les cycles de développement. Ainsi, des résultats concluants peuvent être générés dans les plus brefs délais.
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