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Fournisseur Audité | Modèle : | SKM200GO12T4 |
| Numéro de pièce | 22892060 |
| Le statut du produit | En production |
| Le logement | SEMITRANS 3 (106x62x31) |
| (LLxBBxHH) | 106x62x31 |
| Les commutateurs | Demi-pont |
| VCES en V | 1200 |
| Dans un ICnom | 200 |
| La technologie | 4 de l'IGBT rapide (tranchée) |
Semi kron Dan Foss propose des modules IGBT dans SEMITRANS, SEMiX, lait écrémé, MiniSKiiP et SEMITOP packages dans diverses topologies, les intensités nominales et la tension nominales. À partir de 4A jusqu'à 1400A, avec la tension des classes de 600V jusqu'à 1700V, les modules IGBT sont utilisés dans une variété d'applications. Ils sont dotés de technologies clés telles que le frittage et au printemps ou appuyez sur contacts d'ajustement pour assemblage simple et rapide.
Topologies disponibles comprennent la carte CIB (convertisseur convertisseur frein), demi-pont, pont en H, sixpack, 3-niveau et beaucoup plus d', couvrant chaque domaine d'application. Dans ces topologies, les dernières puces IGBT sont combinés avec la technologie de diode de CAL.
La dernière génération 7 IGBT sont maintenant disponibles en semi kron Dan Foss modules de puissance. Ils offrent une plus grande des densités de puissance et de définir la nouvelle référence, en particulier dans le moteur d'entraînement et applications solaires.
Nous offrons un large portefeuille de puces IGBT assemblés dans des boîtiers en plastique discrète, appelés les IGBT discrets, qui sont disponibles en une seule IGBT et co-emballés avec diode de roue libre. Ce sont les périphériques appropriés pour des applications telles que les inverseurs à usage général, convertisseurs solaires, UPS, le chauffage par induction, les principaux appareils électroménagers, soudage et SMPS. Avantages de l'IGBT discrets sont élevés et de densité de courant faible dissipation de puissance résultant en une plus grande efficacité et de dissipateur de chaleur plus petits pour permettre à abaisser le coût global du système.
De plus grandes des arrangements qui forme des blocs de construction de base de l'équipement électronique de puissance sont considérés comme des modules de puissance et de la diode de l'IGBT habituellement combinant meurt dans diverses topologies. Avec l'aide de composants à haute performance, ces modules de puissance peut faire face aux besoins des applications de puissance le plus élevé. À partir de tout-en-un des modules intégrés de puissance avec redresseur, et du hacheur de freinage à la partie de l'onduleur, Infineon couvrent toute une gamme de produits à partir de seulement des centaines de Watts à plusieurs mégawatts. Les lecteurs à usage général, servo-unités et les applications de l'énergie renouvelable comme les applications de convertisseurs solaires ou le vent bénéficier de la performance exceptionnelle, l'efficacité et la longévité de ces produits extrêmement fiables.
L' HybridPACK™ famille comme un produit spécial série avec la qualification de l'automobile est disponible pour soutenir les efforts déployés par le designer dans la mobilité électrique. Infineon appuie en outre l'industrie automobile, offrant une variété de semiconducteurs de puissance IGBT discrets qualifié conformément à AECQ101.
Pour faciliter la mise en place une expérience de laboratoire ou d'un premier prototype, Infineon aide en fournissant des cartes d'évaluation pour la plupart des produits d'accélérer les cycles de développement. Ainsi, des résultats concluants peuvent être générés dans les plus brefs délais.
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