• Diode laser infrarouge haute puissance 500 MW 808 nm
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Diode laser infrarouge haute puissance 500 MW 808 nm

Manufacturing Technology: Semi-Conducteur Optoélectronique
Matériel: Semi-Conducteur d′Élément
Type: diode laser
Paquet: trou traversant
Traitement du Signal: Simulation
Demande: usage médical, processus matériels, mesure

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Fabricant/Usine & Société Commerciale

Info de Base.

N° de Modèle.
JLD808NM500MW
Modèle
jld808-500mw
Numéro de lot
2010+
Marque
unité commerciale
longueur d′onde
805 nm à 811 nm
puissance de sortie optique
500 mw cw
type can
to18-5,6 mm
couleur claire
infrarouge
courant de seuil
50 ma type
durée de vie
10000 heures
tension inverse
2 v.
courant de fonctionnement
500 ma
tension de fonctionnement
1,8 v.
température de fonctionnement
-10~+65 degrés
Paquet de Transport
Anti-Static Package
Spécifications
808nm 500mw laser diode
Marque Déposée
BU
Origine
Duangdong, China
Code SH
85414010
Capacité de Production
10000PCS Per Day

Description de Produit

Caractéristiques :
1. Puissance de sortie optique : 500 mw (CW)
Longueur d'onde : TYP.808nm
3. φ5.6mm paquet
Diode laser infrarouge 808 nm 500 mw haute puissance
500MW 808nm Infrared High Power Laser Diode

Valeurs nominales maximales absolues    (TC=25 ºC)
Paramètre Symbole Notes Unité
Puissance de sortie optique Po(CW) 500 Poids brut
Tension inverse VR   2 V
Température de fonctionnement Haut -10 à 40 ºC
Température de stockage Tstg -40~+80 ºC

Caractéristiques électriques/optiques ( TC=25ºC)
Paramètre    Symboles   Conditions   Min   Type   Max  Unités
Courant de seuil      Ith       -    -   50   70   Ma
Courant de fonctionnement      IOP   Po=500 mW    -   500   600   Ma
Tension de fonctionnement      VOP   Po=500 mW    -   1.8   2.1  Volts
Pente
Efficacité
 
     η
-  
  0.8
 
  1.0
 
  -
 
MW/mA
    -        
Divergence du faisceau
(FWHM)
Parallèle     θ   Po=500 mW    9    12   15   deg
  Perpendiculaire     θ⊥   Po=500 mW    28    30   35   deg
Angle de déviation parallèle    θ   Po=500 mW    -3    -    3   deg
Angle de déviation perpendiculaire    θ⊥   Po=500 mW   -3    -    3   deg
Précision du point d'émission   X,Y,Z   Po=500 mW   -80 - 80   um
Longueur d'onde de laçage      λp   Po=500 mW   805   808   811   nm

Description :  
 1. Petit boîtier Ø 5,6 mm.
 
  2. Diode laser infrarouge infrarouge haute puissance 808 nm 500 mw.
 
  3. Prix bon marché haute qualité 808nm 500mw laser infrarouge diode .
 
   4.   Détails du paquet: Boîte en plastique, il dépend de différents types de diodes laser avec différentes tailles.normalement 100pcs dans un plateau, 10 plateaux dans un sac, puis 10 sacs dans une boîte en carton.
 500MW 808nm Infrared High Power Laser Diode
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500MW 808nm Infrared High Power Laser Diode
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