Manufacturing Technology: | Semi-Conducteur Optoélectronique |
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Matériel: | Semi-Conducteur d′Élément |
Type: | diode laser |
Paquet: | trou traversant |
Traitement du Signal: | Simulation |
Demande: | usage médical, processus matériels, mesure |
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Paramètre | Symbole | Notes | Unité |
Puissance de sortie optique | Po(CW) | 500 | Poids brut |
Tension inverse | VR | 2 | V |
Température de fonctionnement | Haut | -10 à 40 | ºC |
Température de stockage | Tstg | -40~+80 | ºC |
Paramètre | Symboles | Conditions | Min | Type | Max | Unités | |
Courant de seuil | Ith | - | - | 50 | 70 | Ma | |
Courant de fonctionnement | IOP | Po=500 mW | - | 500 | 600 | Ma | |
Tension de fonctionnement | VOP | Po=500 mW | - | 1.8 | 2.1 | Volts | |
Pente Efficacité |
η |
- | 0.8 |
1.0 |
- |
MW/mA |
|
- | |||||||
Divergence du faisceau (FWHM) |
Parallèle | θ | Po=500 mW | 9 | 12 | 15 | deg |
Perpendiculaire | θ⊥ | Po=500 mW | 28 | 30 | 35 | deg | |
Angle de déviation parallèle | θ | Po=500 mW | -3 | - | 3 | deg | |
Angle de déviation perpendiculaire | θ⊥ | Po=500 mW | -3 | - | 3 | deg | |
Précision du point d'émission | X,Y,Z | Po=500 mW | -80 | - | 80 | um | |
Longueur d'onde de laçage | λp | Po=500 mW | 805 | 808 | 811 | nm |
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